对实验室用 MOCVD方法生长的未掺杂 Ga N单晶膜的发光性能进行了研究。结果表明 :在室温时未掺杂 Ga N单晶出现的能量为 2 .9e V左右蓝带发光与补偿度有较强的依赖关系。高补偿 Ga N的蓝带发射强 ,低补偿 Ga N的蓝带发射弱。对蓝带发光...对实验室用 MOCVD方法生长的未掺杂 Ga N单晶膜的发光性能进行了研究。结果表明 :在室温时未掺杂 Ga N单晶出现的能量为 2 .9e V左右蓝带发光与补偿度有较强的依赖关系。高补偿 Ga N的蓝带发射强 ,低补偿 Ga N的蓝带发射弱。对蓝带发光机理进行了探讨 ,认为蓝带为导带电子跃迁至受主能级的发光 ( e A发光 )。观察到降低 Ga N补偿度能提高 Ga N带边发射强度。展开更多
对本实验室用 MOCVD方法生长的未故意掺杂的 Ga N单晶膜进行了结晶性能、电学性能研究。结果表明 ,室温时 Ga N的 X射线双晶衍射半高宽与其补偿度有较强的依赖关系。高补偿的 Ga N的 X射线双晶衍射半高宽较宽 ,低补偿的 Ga N的 X射线双...对本实验室用 MOCVD方法生长的未故意掺杂的 Ga N单晶膜进行了结晶性能、电学性能研究。结果表明 ,室温时 Ga N的 X射线双晶衍射半高宽与其补偿度有较强的依赖关系。高补偿的 Ga N的 X射线双晶衍射半高宽较宽 ,低补偿的 Ga N的 X射线双晶衍射半高宽较窄。展开更多
文摘对实验室用 MOCVD方法生长的未掺杂 Ga N单晶膜的发光性能进行了研究。结果表明 :在室温时未掺杂 Ga N单晶出现的能量为 2 .9e V左右蓝带发光与补偿度有较强的依赖关系。高补偿 Ga N的蓝带发射强 ,低补偿 Ga N的蓝带发射弱。对蓝带发光机理进行了探讨 ,认为蓝带为导带电子跃迁至受主能级的发光 ( e A发光 )。观察到降低 Ga N补偿度能提高 Ga N带边发射强度。
