新型无机材料及国内外科技政策的趋向与特点

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作者 刘光华 吴华彬 刘捷 《材料导报》 EI CAS CSCD 1996年第3期46-50,共5页

综述了新型无机材料的现状和发展及国内外科技政策的趋向与特点。

关键词 无机材料 科学技术政策

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用混合氯化稀土催化合成柠檬酸三丁酯 被引量：33

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作者 刘桂华 李永绣 +1 位作者 刘辉彪 陈菁 《现代化工》 EI CAS CSCD 1999年第1期21-23,共3页

研究了氯化稀土对柠檬酸与正丁醇酯化反应的催化性能。结果表明，单一氯化稀土和混合氯化稀土均具有很好的催化活性。为此，系统地研究了混合氯化稀土催化合成柠檬酸三丁酯的工艺条件。

关键词 氯化稀土 催化剂 酯化 柠檬酸三丁酯 混合 催化

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稀土Nd,Ce掺杂硅基薄膜光致发光特性 被引量：2

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作者 元美玲 刘南生 +2 位作者 王水凤 曾宇昕 汪庆年 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期291-295,共5页

测量了Nd ,Ce稀土离子注入Si基晶片 ,在不同离子注入剂量、不同退火条件下的室温光致发光 (PL)谱 ,结果表明它们均具有蓝、紫发光峰 ,且发光稳定。在一定范围内发光效率随掺杂浓度的增加而增大 ,随退火条件的不同而改变。运用原子力显微... 测量了Nd ,Ce稀土离子注入Si基晶片 ,在不同离子注入剂量、不同退火条件下的室温光致发光 (PL)谱 ,结果表明它们均具有蓝、紫发光峰 ,且发光稳定。在一定范围内发光效率随掺杂浓度的增加而增大 ,随退火条件的不同而改变。运用原子力显微镜 (AFM )对样品的表面形貌进行了观察 ,结果显示 ,样品表面颗粒大小、粗糙度将影响其发光效率。表面颗粒大小均匀 ,均方根粗糙度小的样品发光效率较高。通过对样品的卢瑟福背散射 (RBS)能谱测量 ,对样品的表面结构进行了探讨 ,并讨论了表面结构与光致发光特性之间的联系。对样品的发光机理作了初步探讨。 展开更多

关键词 CE掺杂 硅基薄膜 光致发光特性 稀土掺杂 离子注入 SIO2薄膜 表面形貌 表面结构 钕掺杂 铈掺杂 ND掺杂 硅基发光二极管

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酸法浸取粉煤灰制取氧化锗和氧化铝的研究 被引量：6

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作者 刘蓓 李样生 刘光华 《无机盐工业》 CAS 1998年第5期3-4,7,共3页

报导了用硫酸浸取粉煤灰后，进一步用萃取法提取ＧｅＯ２和复盐热解法制取Ａｌ２Ｏ３的最佳实验条件和工艺参数。方法工艺流程简单，锗和铝的回收率高，可消除“灰害”，变废为宝，使粉煤灰得到高技术应用。

关键词 粉煤灰 氧化锗 氧化铝 酸法浸取 工艺

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低束流Nd^(3+)注入硅基薄膜结构及光致发光的研究 被引量：2

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作者 曾宇昕 王水凤 +3 位作者 元美玲 程国安 肖志松 徐飞 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期377-380,共4页

采用金属蒸气真空弧离子源（MEVVA）制备了掺Nd3+硅基薄膜材料。用扫描电镜和X射线衍射观测了表面形貌及物相结构随注入条件、退火温度的变化,样品经1000°C退火处理形成NdSi相钕硅化合物。测试了样品的光致荧光谱,在254nm（～5.0e... 采用金属蒸气真空弧离子源（MEVVA）制备了掺Nd3+硅基薄膜材料。用扫描电镜和X射线衍射观测了表面形貌及物相结构随注入条件、退火温度的变化,样品经1000°C退火处理形成NdSi相钕硅化合物。测试了样品的光致荧光谱,在254nm（～5.0eV）光激发下获得了紫蓝光区（410～430nm）和红光区（746nm）荧光发射,随着退火温度的升高,荧光强度增大。746nm红光光谱显示了Nd3+特征光发射跃迁（4F7/2,4S3/2→4I9/2）,讨论了注入层结构与荧光发射的相关性。 展开更多

关键词 硅基薄膜 离子注入 ND^3+ 结构 光致发光 钕(Ⅲ) MEVVA 金属蒸气真空弧离子源

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钕离子注入单晶硅合成硅化物的研究 被引量：3

6

作者 肖志松 程国安 张通和 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1999年第2期200-203,共4页

用MEVVA离子源将Nd离子注入到单晶硅中形成了钕硅掺杂层，用XRD分析了掺杂居的物相，用AES分析了掺杂层中离子的浓度分布．分析表明，在强流钛离子注入后，掺杂层中有硅化物形成，且形成相的种类随注量、束流密度及后续热处理条件的改... 用MEVVA离子源将Nd离子注入到单晶硅中形成了钕硅掺杂层，用XRD分析了掺杂居的物相，用AES分析了掺杂层中离子的浓度分布．分析表明，在强流钛离子注入后，掺杂层中有硅化物形成，且形成相的种类随注量、束流密度及后续热处理条件的改变而变化．还对钕硅化物的形成过程进行了初步讨论． 展开更多

关键词 离子注入 单晶硅 硅化物 钕 半导体

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铒掺杂富硅热氧化SiO_2/Si发光薄膜的显微结构 被引量：2

7

作者 徐飞 肖志松 +4 位作者 程国安 易仲珍 曾宇昕 张通和 顾岚岚 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期758-762,共5页

利用金属蒸气真空弧 (MEVVA)离子源将稀土元素Er离子掺杂到富硅热氧化SiO2 /Si薄膜中。卢瑟福背散射 (RBS)和X 射线电子能谱仪 (XPS)分析表明 ,Er浓度可达原子百分数 (x)～ 10 ,即Er的原子体浓度为～ 10 2 1·cm-3 。XPS研究发现 ,... 利用金属蒸气真空弧 (MEVVA)离子源将稀土元素Er离子掺杂到富硅热氧化SiO2 /Si薄膜中。卢瑟福背散射 (RBS)和X 射线电子能谱仪 (XPS)分析表明 ,Er浓度可达原子百分数 (x)～ 10 ,即Er的原子体浓度为～ 10 2 1·cm-3 。XPS研究发现 ,随着Si注量增大 ,退火态样品表面硅含量增多 ,热氧化硅含量减少。反射式高能电子衍射 (RHEED)和原子灵敏度因子法 (AFM)研究表明 ,样品表面没有大量Er析出或铒硅化物形成 ,退火后表层中Si外延再生长、有针状微晶硅颗粒形成。在 77K及室温下 ,研究了Er掺杂富硅热氧化SiO2 /Si薄膜的近红外区 1 5 展开更多

关键词 MEVVA离子源 半导体薄膜 铒 光致发光 显微结构 掺杂 SiO2/Si发光薄膜 富硅氧化硅 光谱

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提高掺Er硅发光效率的途径与前景 被引量：4

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作者 肖志松 徐飞 +4 位作者 张通和 程国安 杨锡震 顾岚岚 王迅 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第10期26-28,共3页

阐述了掺Er硅发光的研究意义和现状,总结了掺Er硅的材料性能、发光机理、提高发光效率的途径、制备方法,以及掺Er硅LEDs器件的行为和未来展望。

关键词 掺Er硅 发光 发光效率 LEDs器件 发光机理

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EVVA源离子束合成镧硅化物 被引量：1

9

作者 肖志松 徐飞 +2 位作者 程国安 易仲珍 张通和 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2000年第2期200-204,共5页

用MEVVA离子源将La离子注入到单晶硅中形成掺杂层 ,用XRD ,SEM分析了掺杂层的物相和表面形貌 .分析结果表明 ,在强流离子注入后 ,掺杂层中有硅化物形成 ,且形成相的种类与注量、束流密度及后续热处理条件密切相关 .对La硅化物的形成过... 用MEVVA离子源将La离子注入到单晶硅中形成掺杂层 ,用XRD ,SEM分析了掺杂层的物相和表面形貌 .分析结果表明 ,在强流离子注入后 ,掺杂层中有硅化物形成 ,且形成相的种类与注量、束流密度及后续热处理条件密切相关 .对La硅化物的形成过程进行了讨论 . 展开更多

关键词 离子注入 硅 MEVVA源离子束 镧硅化物 合成

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金属间化合物Ho_2Co_(17-x)Si_x的磁性能机制研究 被引量：1

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作者 罗广圣 郭舜 《航空材料学报》 EI CAS CSCD 2001年第4期14-17,共4页

研究了非磁性原子Si替代Co对Ho2 Co17金属间化合物结构和磁性的影响。X射线衍射表明 ,所有Ho2 Co17 xSix(x =0 .5 ,1.0 ,1.5 ,2 .0 ,2 .5 ,3.0 )化合物都为Th2 Ni17型六角结构 ;化合物的晶格常数和单胞体积都随Si含量的增加而呈线性下... 研究了非磁性原子Si替代Co对Ho2 Co17金属间化合物结构和磁性的影响。X射线衍射表明 ,所有Ho2 Co17 xSix(x =0 .5 ,1.0 ,1.5 ,2 .0 ,2 .5 ,3.0 )化合物都为Th2 Ni17型六角结构 ;化合物的晶格常数和单胞体积都随Si含量的增加而呈线性下降。磁性测量表明 ,Ho2 Co17 xSix 化合物的居里温度和饱和磁化强度均随Si含量的增加而呈线性下降。从热磁曲线测量观察到 ,当 0 .5≤x≤ 3.0时Ho2 Co17 xSix 化合物出现由易面到易轴的自旋重取向 ,自旋重取向温度Tsr随Si原子含量的增加先下降 ,而后又上升 ,在x =2 .5处出现最低点。 展开更多

关键词 稀土 居里温度 自旋重取向 饱和磁化强度 磁晶各向异性 金属间化合物 磁性能 硅 Ho2Co17-xSix

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(Ni,Cr)/Al_2O_3复合涂层制备工艺的研究 被引量：1

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作者 程国安 刘洪刚 毛琼 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第8期28-30,共3页

利用粉末热喷涂法制备（Ｎｉ，Ｃｒ）／Ａｌ２Ｏ３复合涂层，采用ＸＲＤ和金相对复合涂层的相结构和相组成进行分析，并分析了喷涂工艺对金属／陶瓷系复合涂层制备的影响。实验结果表明，Ａｌ２Ｏ３粉末的沉积率和喷涂参数是影响（Ｎｉ... 利用粉末热喷涂法制备（Ｎｉ，Ｃｒ）／Ａｌ２Ｏ３复合涂层，采用ＸＲＤ和金相对复合涂层的相结构和相组成进行分析，并分析了喷涂工艺对金属／陶瓷系复合涂层制备的影响。实验结果表明，Ａｌ２Ｏ３粉末的沉积率和喷涂参数是影响（Ｎｉ，Ｃｒ）／Ａｌ２Ｏ３复合涂层相结构和相组成的关键。 展开更多

关键词 热喷涂 金属/陶瓷 复合涂层 相结构 镍 铬

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(Si,Er)双注入单晶硅近红外光发射　 被引量：1

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作者 徐飞 肖志松 +4 位作者 张通和 程国安 易仲珍 曾宇昕 顾岚岚 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2001年第4期476-481,共6页

利用金属蒸气真空弧离子源，将硅和铒离子先后注入到单晶硅中，经快速退火制备出（Ｓｉ，Ｅｒ）双注入单晶硅发光薄膜，ＲＢＳ分析表明铒原子分数接近１０％，即原子浓度约１０２１ ｃｍ－３．ＸＲＤ分析发现，随着Ｅｒ注量增加，退火... 利用金属蒸气真空弧离子源，将硅和铒离子先后注入到单晶硅中，经快速退火制备出（Ｓｉ，Ｅｒ）双注入单晶硅发光薄膜，ＲＢＳ分析表明铒原子分数接近１０％，即原子浓度约１０２１ ｃｍ－３．ＸＲＤ分析发现，随着Ｅｒ注量增加，退火态样品中ＥｒＳｉ２相增多．显微结构分析表明，注量条件影响辐照损伤程度、物相变化和表面显微形貌．而这些结构变化将直接决定了（Ｓｉ，Ｅｒ）双注入单晶硅发光薄膜近红外区光致发光． 展开更多

关键词 离子注入 双注入 铒掺杂 光发射 单晶硅

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高温氨气氛下镍纳米催化剂的结构研究 被引量：1

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作者 赵勇 程国安 +3 位作者 郑瑞廷 刘华平 梁昌林 张萌 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期586-590,共5页

研究了高温氨处理过程对SiO2/Si基底表面镍纳米薄膜显微结构变化的影响,探讨了镍纳米薄膜显微结构随氨气介入时间、薄膜厚度以及氨气刻蚀温度等参数变化的规律,并对氨在其变化过程中的作用机制进行了初步分析.结果表明:SiO2/Si基底表面... 研究了高温氨处理过程对SiO2/Si基底表面镍纳米薄膜显微结构变化的影响,探讨了镍纳米薄膜显微结构随氨气介入时间、薄膜厚度以及氨气刻蚀温度等参数变化的规律,并对氨在其变化过程中的作用机制进行了初步分析.结果表明:SiO2/Si基底表面镍纳米薄膜转变成高密度、小直径、均匀镍纳米颗粒的关键是恰当的氨气介入时间和刻蚀温度;硅表面的二氧化硅层有效地隔离了镍原子和硅原子的扩散,这种隔离层对镍纳米薄膜的显微结构有很大的影响,起到了阻碍硅和镍发生化合反应的作用,维持了镍在基底表面物质的量的恒定. 展开更多

关键词 纳米薄膜 氨刻蚀 显微结构

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稀土掺杂硅基薄膜的高效发光特性 被引量：1

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作者 元美玲 汪庆年 +2 位作者 张晓峰 王水凤 姜乐 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期651-654,共4页

测量了在不同离子注入剂量,不同退火条件下的Nd注入S i基晶片室温光致发光谱,结果表明它们均具有蓝、紫发光峰,且发光稳定。在一定范围内发光效率随掺杂浓度的增加而增大,随退火条件的不同而改变。在实验室条件下,对掺杂硅片和单晶硅片... 测量了在不同离子注入剂量,不同退火条件下的Nd注入S i基晶片室温光致发光谱,结果表明它们均具有蓝、紫发光峰,且发光稳定。在一定范围内发光效率随掺杂浓度的增加而增大,随退火条件的不同而改变。在实验室条件下,对掺杂硅片和单晶硅片进行电化学腐蚀制成多孔硅样片,同时用适当配比的HNO3对以单晶硅为基底的多孔硅进行处理,测试了腐蚀后各类样品的光致发光(PL)谱。发现掺稀土Nd的多孔硅和用HNO3处理的多孔硅的发光效率有显著提高。 展开更多

关键词 ND掺杂 多孔硅 酸处理 光致发光

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(Si,Er)双注入热氧化硅的光致发光 被引量：1

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作者 肖志松 徐飞 +2 位作者 张通和 程国安 顾岚岚 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期538-541,共4页

采用强流金属蒸汽真空弧 (MEVVA)离子源注入机 ,先将Si大束流注入热氧化SiO2 /单晶硅 ,直接形成镶嵌在SiO2 中的纳米晶Si,再小束流注入Er。Er离子在掺杂层中的浓度可达 10 2 1 cm-3 量级 ,大大地提高了作为孤立发光中心的Er3 +浓度。在 ... 采用强流金属蒸汽真空弧 (MEVVA)离子源注入机 ,先将Si大束流注入热氧化SiO2 /单晶硅 ,直接形成镶嵌在SiO2 中的纳米晶Si,再小束流注入Er。Er离子在掺杂层中的浓度可达 10 2 1 cm-3 量级 ,大大地提高了作为孤立发光中心的Er3 +浓度。在 77K和室温下 ,观察到了Er3 +的 1 54 展开更多

关键词 氧化硅 离子注入 纳米硅 铒 光致发光 半导体材料 掺杂 稀土

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MEVVA离子源金属掺杂蓝宝石着色的研究 被引量：1

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作者 徐飞 肖志松 +4 位作者 程国安 张通和 易仲珍 王水凤 谢大韬 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2000年第3期335-339,共5页

利用金属蒸气真空弧 (MEVVA)离子源将金属离子 (Co+ ,Fe+ 和Nd+ )掺杂到无色人工合成蓝宝石中 .研究在不同元素的注入条件下和退火过程中蓝宝石的着色情况 .利用RBS研究掺杂元素在蓝宝石表面的分布状况 ,XRD分析蓝宝石金属掺杂层的物相... 利用金属蒸气真空弧 (MEVVA)离子源将金属离子 (Co+ ,Fe+ 和Nd+ )掺杂到无色人工合成蓝宝石中 .研究在不同元素的注入条件下和退火过程中蓝宝石的着色情况 .利用RBS研究掺杂元素在蓝宝石表面的分布状况 ,XRD分析蓝宝石金属掺杂层的物相变化 .通过对金属掺杂蓝宝石的可见光吸收的测试 ,获得掺杂元素与蓝宝石着色的关系 . 展开更多

关键词 蓝宝石 着色 MEVVA原子源 金属离子 掺杂

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气体催化裂解法制备高纯碳纳米管的研究

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作者 程国安 刘华平 +2 位作者 彭宜斌 郑瑞廷 刘长虹 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2003年第4期467-470,共4页

利用有机气体化学裂解技术 ,用二甲苯作碳源 ,二茂铁作催化剂 ,噻吩作助长剂 ,氢气作载气 ,对碳纳米管的制备进行了研究 .研究结果表明 ,二甲苯流量、氢气流量及有机气体裂解温度等工艺参数对碳纳米管的产量及形态有很大的影响 ;在反应... 利用有机气体化学裂解技术 ,用二甲苯作碳源 ,二茂铁作催化剂 ,噻吩作助长剂 ,氢气作载气 ,对碳纳米管的制备进行了研究 .研究结果表明 ,二甲苯流量、氢气流量及有机气体裂解温度等工艺参数对碳纳米管的产量及形态有很大的影响 ;在反应温度为 10 0 0～ 110 0℃ ,氢气流量为 15 0mL·min- 1,二甲苯的流量为 0 .12 1mL·min- 1时 ,能获得直径为 4 0～ 10 0nm的碳纳米管 ,碳纳米管的纯度可达 95 %以上 . 展开更多

关键词 碳纳米管 气体催化剂 CVD 有机气体化学裂解技术 制备

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过渡塑性相工艺制备BN-AlN复合陶瓷 被引量：2

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作者 胡友根 《西北轻工业学院学报》 2000年第1期40-44,共5页

运用过渡塑性相工艺 ( TPPP)原理 ,以 BN为反应相和基体 ,Al粉为过渡塑性相制备 BN- Al N复合陶瓷 .研究结果表明 ,随着 Al粉含量的增加 ,经冷等静压后坯体的密度随之有明显的提高 ;在 N2 气氛中 1 80 0℃烧成后 ,Al与 N2 以及BN反应生... 运用过渡塑性相工艺 ( TPPP)原理 ,以 BN为反应相和基体 ,Al粉为过渡塑性相制备 BN- Al N复合陶瓷 .研究结果表明 ,随着 Al粉含量的增加 ,经冷等静压后坯体的密度随之有明显的提高 ;在 N2 气氛中 1 80 0℃烧成后 ,Al与 N2 以及BN反应生成的增强相 Al N和 Al B12 提高了样品的密度和强度 ;当 Al∶ BN摩尔比从 0 .1 2 5∶ 1提高到 1∶ 1时 ,烧成制品的相对密度从 70 .0 % TD提高到 81 .2 %TD,抗弯强度从 39.5MPa提高到 90 .6MPa. 展开更多

关键词 复合陶瓷 BN ALN 过渡塑性相工艺

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RE(La、Dy)/Si多层膜的结构研究

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作者 程国安 游琼玉 +2 位作者 徐飞 肖志松 叶敦茹 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 2000年第z2期615-618,共4页

利用XRD、TEM、SEM等技术,对热处理前后的La/Si和Dy/Si多层膜样品的结构进行了研究.在未退火时,La/Si多层膜中形成了非晶态LaSi合金,Dy/Si多层膜存在非晶硅和纳米结构的Dy.两类多层膜中均未有稀土硅化物形成;经过400℃热处理后,多层膜... 利用XRD、TEM、SEM等技术,对热处理前后的La/Si和Dy/Si多层膜样品的结构进行了研究.在未退火时,La/Si多层膜中形成了非晶态LaSi合金,Dy/Si多层膜存在非晶硅和纳米结构的Dy.两类多层膜中均未有稀土硅化物形成;经过400℃热处理后,多层膜中的稀土原子和硅原子的扩散加强,两元素之间的相互作用也随之增强,La/Si多层膜开始析出LaSi2-x相,Dy/Si多层膜中开始析出DySi2-c相.随着热处理温度的升高,La/Si多层膜样品中LaSi2-x硅化物的量逐渐增加,结晶逐渐完整;Dy/Si多层膜中DySi2-x硅化物相量逐渐增加,结晶逐渐完整. 展开更多

关键词 多层膜 蒸发沉积

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EDTA凝胶法制备Y_2O_3-ZrO_2纳米粉

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作者 李样生 刘桂华 +1 位作者 李璠 易文玉 《化工新型材料》 CAS CSCD 2002年第2期28-30,23,共4页

用乙二胺四乙酸 (EDTA)强的螯合作用 ,制得钇、锆稳定的配位化合物 ,经干燥 ,煅烧研磨后得到Y2 O3-ZrO2 纳米粉。本文研究了母液浓度 (C) ,络合比 (r) ,所处介质溶液的 pH值及煅烧温度 (T)和煅烧时间 (t)对Y2 O3-ZrO2 纳米粉的粒度和结... 用乙二胺四乙酸 (EDTA)强的螯合作用 ,制得钇、锆稳定的配位化合物 ,经干燥 ,煅烧研磨后得到Y2 O3-ZrO2 纳米粉。本文研究了母液浓度 (C) ,络合比 (r) ,所处介质溶液的 pH值及煅烧温度 (T)和煅烧时间 (t)对Y2 O3-ZrO2 纳米粉的粒度和结构的影响。pH =5 ,r =2 ,T=60 0℃煅烧条件下制得的Y2 O3-ZrO2 纳米粉粉末粒径约为 10～ 2 展开更多

关键词 EDTA凝胶法 纳米粉 Y2O3-ZrO2 结构陶瓷 制备

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