新型无机材料及国内外科技政策的趋向与特点

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作者 刘光华 吴华彬 刘捷 《材料导报》 EI CAS CSCD 1996年第3期46-50,共5页

综述了新型无机材料的现状和发展及国内外科技政策的趋向与特点。

关键词 无机材料 科学技术政策

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用混合氯化稀土催化合成柠檬酸三丁酯 被引量：33

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作者 刘桂华 李永绣 +1 位作者 刘辉彪 陈菁 《现代化工》 EI CAS CSCD 1999年第1期21-23,共3页

研究了氯化稀土对柠檬酸与正丁醇酯化反应的催化性能。结果表明，单一氯化稀土和混合氯化稀土均具有很好的催化活性。为此，系统地研究了混合氯化稀土催化合成柠檬酸三丁酯的工艺条件。

关键词 氯化稀土 催化剂 酯化 柠檬酸三丁酯 混合 催化

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提高掺Er硅发光效率的途径与前景 被引量：4

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作者 肖志松 徐飞 +4 位作者 张通和 程国安 杨锡震 顾岚岚 王迅 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第10期26-28,共3页

阐述了掺Er硅发光的研究意义和现状,总结了掺Er硅的材料性能、发光机理、提高发光效率的途径、制备方法,以及掺Er硅LEDs器件的行为和未来展望。

关键词 掺Er硅 发光 发光效率 LEDs器件 发光机理

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铒掺杂富硅热氧化SiO_2/Si发光薄膜的显微结构 被引量：2

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作者 徐飞 肖志松 +4 位作者 程国安 易仲珍 曾宇昕 张通和 顾岚岚 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期758-762,共5页

利用金属蒸气真空弧 (MEVVA)离子源将稀土元素Er离子掺杂到富硅热氧化SiO2 /Si薄膜中。卢瑟福背散射 (RBS)和X 射线电子能谱仪 (XPS)分析表明 ,Er浓度可达原子百分数 (x)～ 10 ,即Er的原子体浓度为～ 10 2 1·cm-3 。XPS研究发现 ,... 利用金属蒸气真空弧 (MEVVA)离子源将稀土元素Er离子掺杂到富硅热氧化SiO2 /Si薄膜中。卢瑟福背散射 (RBS)和X 射线电子能谱仪 (XPS)分析表明 ,Er浓度可达原子百分数 (x)～ 10 ,即Er的原子体浓度为～ 10 2 1·cm-3 。XPS研究发现 ,随着Si注量增大 ,退火态样品表面硅含量增多 ,热氧化硅含量减少。反射式高能电子衍射 (RHEED)和原子灵敏度因子法 (AFM)研究表明 ,样品表面没有大量Er析出或铒硅化物形成 ,退火后表层中Si外延再生长、有针状微晶硅颗粒形成。在 77K及室温下 ,研究了Er掺杂富硅热氧化SiO2 /Si薄膜的近红外区 1 5 展开更多

关键词 MEVVA离子源 半导体薄膜 铒 光致发光 显微结构 掺杂 SiO2/Si发光薄膜 富硅氧化硅 光谱

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酸法浸取粉煤灰制取氧化锗和氧化铝的研究 被引量：6

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作者 刘蓓 李样生 刘光华 《无机盐工业》 CAS 1998年第5期3-4,7,共3页

报导了用硫酸浸取粉煤灰后，进一步用萃取法提取ＧｅＯ２和复盐热解法制取Ａｌ２Ｏ３的最佳实验条件和工艺参数。方法工艺流程简单，锗和铝的回收率高，可消除“灰害”，变废为宝，使粉煤灰得到高技术应用。

关键词 粉煤灰 氧化锗 氧化铝 酸法浸取 工艺

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钕离子注入单晶硅合成硅化物的研究 被引量：3

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作者 肖志松 程国安 张通和 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1999年第2期200-203,共4页

用MEVVA离子源将Nd离子注入到单晶硅中形成了钕硅掺杂层，用XRD分析了掺杂居的物相，用AES分析了掺杂层中离子的浓度分布．分析表明，在强流钛离子注入后，掺杂层中有硅化物形成，且形成相的种类随注量、束流密度及后续热处理条件的改... 用MEVVA离子源将Nd离子注入到单晶硅中形成了钕硅掺杂层，用XRD分析了掺杂居的物相，用AES分析了掺杂层中离子的浓度分布．分析表明，在强流钛离子注入后，掺杂层中有硅化物形成，且形成相的种类随注量、束流密度及后续热处理条件的改变而变化．还对钕硅化物的形成过程进行了初步讨论． 展开更多

关键词 离子注入 单晶硅 硅化物 钕 半导体

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EVVA源离子束合成镧硅化物 被引量：1

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作者 肖志松 徐飞 +2 位作者 程国安 易仲珍 张通和 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2000年第2期200-204,共5页

用MEVVA离子源将La离子注入到单晶硅中形成掺杂层 ,用XRD ,SEM分析了掺杂层的物相和表面形貌 .分析结果表明 ,在强流离子注入后 ,掺杂层中有硅化物形成 ,且形成相的种类与注量、束流密度及后续热处理条件密切相关 .对La硅化物的形成过... 用MEVVA离子源将La离子注入到单晶硅中形成掺杂层 ,用XRD ,SEM分析了掺杂层的物相和表面形貌 .分析结果表明 ,在强流离子注入后 ,掺杂层中有硅化物形成 ,且形成相的种类与注量、束流密度及后续热处理条件密切相关 .对La硅化物的形成过程进行了讨论 . 展开更多

关键词 离子注入 硅 MEVVA源离子束 镧硅化物 合成

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(Si,Er)双注入热氧化硅的光致发光 被引量：1

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作者 肖志松 徐飞 +2 位作者 张通和 程国安 顾岚岚 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期538-541,共4页

采用强流金属蒸汽真空弧 (MEVVA)离子源注入机 ,先将Si大束流注入热氧化SiO2 /单晶硅 ,直接形成镶嵌在SiO2 中的纳米晶Si,再小束流注入Er。Er离子在掺杂层中的浓度可达 10 2 1 cm-3 量级 ,大大地提高了作为孤立发光中心的Er3 +浓度。在 ... 采用强流金属蒸汽真空弧 (MEVVA)离子源注入机 ,先将Si大束流注入热氧化SiO2 /单晶硅 ,直接形成镶嵌在SiO2 中的纳米晶Si,再小束流注入Er。Er离子在掺杂层中的浓度可达 10 2 1 cm-3 量级 ,大大地提高了作为孤立发光中心的Er3 +浓度。在 77K和室温下 ,观察到了Er3 +的 1 54 展开更多

关键词 氧化硅 离子注入 纳米硅 铒 光致发光 半导体材料 掺杂 稀土

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(Si,Er)双注入单晶硅近红外光发射　 被引量：1

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作者 徐飞 肖志松 +4 位作者 张通和 程国安 易仲珍 曾宇昕 顾岚岚 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2001年第4期476-481,共6页

利用金属蒸气真空弧离子源，将硅和铒离子先后注入到单晶硅中，经快速退火制备出（Ｓｉ，Ｅｒ）双注入单晶硅发光薄膜，ＲＢＳ分析表明铒原子分数接近１０％，即原子浓度约１０２１ ｃｍ－３．ＸＲＤ分析发现，随着Ｅｒ注量增加，退火... 利用金属蒸气真空弧离子源，将硅和铒离子先后注入到单晶硅中，经快速退火制备出（Ｓｉ，Ｅｒ）双注入单晶硅发光薄膜，ＲＢＳ分析表明铒原子分数接近１０％，即原子浓度约１０２１ ｃｍ－３．ＸＲＤ分析发现，随着Ｅｒ注量增加，退火态样品中ＥｒＳｉ２相增多．显微结构分析表明，注量条件影响辐照损伤程度、物相变化和表面显微形貌．而这些结构变化将直接决定了（Ｓｉ，Ｅｒ）双注入单晶硅发光薄膜近红外区光致发光． 展开更多

关键词 离子注入 双注入 铒掺杂 光发射 单晶硅

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稀土掺杂硅基薄膜的高效发光特性 被引量：1

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作者 元美玲 汪庆年 +2 位作者 张晓峰 王水凤 姜乐 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期651-654,共4页

测量了在不同离子注入剂量,不同退火条件下的Nd注入S i基晶片室温光致发光谱,结果表明它们均具有蓝、紫发光峰,且发光稳定。在一定范围内发光效率随掺杂浓度的增加而增大,随退火条件的不同而改变。在实验室条件下,对掺杂硅片和单晶硅片... 测量了在不同离子注入剂量,不同退火条件下的Nd注入S i基晶片室温光致发光谱,结果表明它们均具有蓝、紫发光峰,且发光稳定。在一定范围内发光效率随掺杂浓度的增加而增大,随退火条件的不同而改变。在实验室条件下,对掺杂硅片和单晶硅片进行电化学腐蚀制成多孔硅样片,同时用适当配比的HNO3对以单晶硅为基底的多孔硅进行处理,测试了腐蚀后各类样品的光致发光(PL)谱。发现掺稀土Nd的多孔硅和用HNO3处理的多孔硅的发光效率有显著提高。 展开更多

关键词 ND掺杂 多孔硅 酸处理 光致发光

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高温氨气氛下镍纳米催化剂的结构研究 被引量：1

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作者 赵勇 程国安 +3 位作者 郑瑞廷 刘华平 梁昌林 张萌 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期586-590,共5页

研究了高温氨处理过程对SiO2/Si基底表面镍纳米薄膜显微结构变化的影响,探讨了镍纳米薄膜显微结构随氨气介入时间、薄膜厚度以及氨气刻蚀温度等参数变化的规律,并对氨在其变化过程中的作用机制进行了初步分析.结果表明:SiO2/Si基底表面... 研究了高温氨处理过程对SiO2/Si基底表面镍纳米薄膜显微结构变化的影响,探讨了镍纳米薄膜显微结构随氨气介入时间、薄膜厚度以及氨气刻蚀温度等参数变化的规律,并对氨在其变化过程中的作用机制进行了初步分析.结果表明:SiO2/Si基底表面镍纳米薄膜转变成高密度、小直径、均匀镍纳米颗粒的关键是恰当的氨气介入时间和刻蚀温度;硅表面的二氧化硅层有效地隔离了镍原子和硅原子的扩散,这种隔离层对镍纳米薄膜的显微结构有很大的影响,起到了阻碍硅和镍发生化合反应的作用,维持了镍在基底表面物质的量的恒定. 展开更多

关键词 纳米薄膜 氨刻蚀 显微结构

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金属间化合物Ho_2Co_(17-x)Si_x的磁性能机制研究 被引量：1

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作者 罗广圣 郭舜 《航空材料学报》 EI CAS CSCD 2001年第4期14-17,共4页

研究了非磁性原子Si替代Co对Ho2 Co17金属间化合物结构和磁性的影响。X射线衍射表明 ,所有Ho2 Co17 xSix(x =0 .5 ,1.0 ,1.5 ,2 .0 ,2 .5 ,3.0 )化合物都为Th2 Ni17型六角结构 ;化合物的晶格常数和单胞体积都随Si含量的增加而呈线性下... 研究了非磁性原子Si替代Co对Ho2 Co17金属间化合物结构和磁性的影响。X射线衍射表明 ,所有Ho2 Co17 xSix(x =0 .5 ,1.0 ,1.5 ,2 .0 ,2 .5 ,3.0 )化合物都为Th2 Ni17型六角结构 ;化合物的晶格常数和单胞体积都随Si含量的增加而呈线性下降。磁性测量表明 ,Ho2 Co17 xSix 化合物的居里温度和饱和磁化强度均随Si含量的增加而呈线性下降。从热磁曲线测量观察到 ,当 0 .5≤x≤ 3.0时Ho2 Co17 xSix 化合物出现由易面到易轴的自旋重取向 ,自旋重取向温度Tsr随Si原子含量的增加先下降 ,而后又上升 ,在x =2 .5处出现最低点。 展开更多

关键词 稀土 居里温度 自旋重取向 饱和磁化强度 磁晶各向异性 金属间化合物 磁性能 硅 Ho2Co17-xSix

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(Ni,Cr)/Al_2O_3复合涂层制备工艺的研究 被引量：1

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作者 程国安 刘洪刚 毛琼 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第8期28-30,共3页

利用粉末热喷涂法制备（Ｎｉ，Ｃｒ）／Ａｌ２Ｏ３复合涂层，采用ＸＲＤ和金相对复合涂层的相结构和相组成进行分析，并分析了喷涂工艺对金属／陶瓷系复合涂层制备的影响。实验结果表明，Ａｌ２Ｏ３粉末的沉积率和喷涂参数是影响（Ｎｉ... 利用粉末热喷涂法制备（Ｎｉ，Ｃｒ）／Ａｌ２Ｏ３复合涂层，采用ＸＲＤ和金相对复合涂层的相结构和相组成进行分析，并分析了喷涂工艺对金属／陶瓷系复合涂层制备的影响。实验结果表明，Ａｌ２Ｏ３粉末的沉积率和喷涂参数是影响（Ｎｉ，Ｃｒ）／Ａｌ２Ｏ３复合涂层相结构和相组成的关键。 展开更多

关键词 热喷涂 金属/陶瓷 复合涂层 相结构 镍 铬

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MEVVA离子源金属掺杂蓝宝石着色的研究 被引量：1

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作者 徐飞 肖志松 +4 位作者 程国安 张通和 易仲珍 王水凤 谢大韬 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2000年第3期335-339,共5页

利用金属蒸气真空弧 (MEVVA)离子源将金属离子 (Co+ ,Fe+ 和Nd+ )掺杂到无色人工合成蓝宝石中 .研究在不同元素的注入条件下和退火过程中蓝宝石的着色情况 .利用RBS研究掺杂元素在蓝宝石表面的分布状况 ,XRD分析蓝宝石金属掺杂层的物相... 利用金属蒸气真空弧 (MEVVA)离子源将金属离子 (Co+ ,Fe+ 和Nd+ )掺杂到无色人工合成蓝宝石中 .研究在不同元素的注入条件下和退火过程中蓝宝石的着色情况 .利用RBS研究掺杂元素在蓝宝石表面的分布状况 ,XRD分析蓝宝石金属掺杂层的物相变化 .通过对金属掺杂蓝宝石的可见光吸收的测试 ,获得掺杂元素与蓝宝石着色的关系 . 展开更多

关键词 蓝宝石 着色 MEVVA原子源 金属离子 掺杂

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过渡塑性相工艺制备BN-AlN复合陶瓷 被引量：2

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作者 胡友根 《西北轻工业学院学报》 2000年第1期40-44,共5页

运用过渡塑性相工艺 ( TPPP)原理 ,以 BN为反应相和基体 ,Al粉为过渡塑性相制备 BN- Al N复合陶瓷 .研究结果表明 ,随着 Al粉含量的增加 ,经冷等静压后坯体的密度随之有明显的提高 ;在 N2 气氛中 1 80 0℃烧成后 ,Al与 N2 以及BN反应生... 运用过渡塑性相工艺 ( TPPP)原理 ,以 BN为反应相和基体 ,Al粉为过渡塑性相制备 BN- Al N复合陶瓷 .研究结果表明 ,随着 Al粉含量的增加 ,经冷等静压后坯体的密度随之有明显的提高 ;在 N2 气氛中 1 80 0℃烧成后 ,Al与 N2 以及BN反应生成的增强相 Al N和 Al B12 提高了样品的密度和强度 ;当 Al∶ BN摩尔比从 0 .1 2 5∶ 1提高到 1∶ 1时 ,烧成制品的相对密度从 70 .0 % TD提高到 81 .2 %TD,抗弯强度从 39.5MPa提高到 90 .6MPa. 展开更多

关键词 复合陶瓷 BN ALN 过渡塑性相工艺

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EDTA凝胶法制备Y_2O_3-ZrO_2纳米粉

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作者 李样生 刘桂华 +1 位作者 李璠 易文玉 《化工新型材料》 CAS CSCD 2002年第2期28-30,23,共4页

用乙二胺四乙酸 (EDTA)强的螯合作用 ,制得钇、锆稳定的配位化合物 ,经干燥 ,煅烧研磨后得到Y2 O3-ZrO2 纳米粉。本文研究了母液浓度 (C) ,络合比 (r) ,所处介质溶液的 pH值及煅烧温度 (T)和煅烧时间 (t)对Y2 O3-ZrO2 纳米粉的粒度和结... 用乙二胺四乙酸 (EDTA)强的螯合作用 ,制得钇、锆稳定的配位化合物 ,经干燥 ,煅烧研磨后得到Y2 O3-ZrO2 纳米粉。本文研究了母液浓度 (C) ,络合比 (r) ,所处介质溶液的 pH值及煅烧温度 (T)和煅烧时间 (t)对Y2 O3-ZrO2 纳米粉的粒度和结构的影响。pH =5 ,r =2 ,T=60 0℃煅烧条件下制得的Y2 O3-ZrO2 纳米粉粉末粒径约为 10～ 2 展开更多

关键词 EDTA凝胶法 纳米粉 Y2O3-ZrO2 结构陶瓷 制备

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掺铒硅基纳米发光薄膜的形成过程与性能研究　

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作者 肖志松 徐飞 +2 位作者 张通和 程国安 顾岚岚 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2001年第4期482-487,共6页

采用ＭＥＶＶＡ离子源强束流离子注入机，将稀土Ｅｒ离子注入单晶硅、Ｓｉ和Ｅｒ离子双注入单晶硅及热氧化硅，Ｅｒ在硅基薄膜中的掺杂原子分数可达１０％，即数密度约１０２１ｃｍ－３；注入态样品快速退火后有纳米晶Ｓｉ形成；７７ ... 采用ＭＥＶＶＡ离子源强束流离子注入机，将稀土Ｅｒ离子注入单晶硅、Ｓｉ和Ｅｒ离子双注入单晶硅及热氧化硅，Ｅｒ在硅基薄膜中的掺杂原子分数可达１０％，即数密度约１０２１ｃｍ－３；注入态样品快速退火后有纳米晶Ｓｉ形成；７７ Ｋ和室温时用４４１．６ｎｍ光激发有Ｅｒ３＋较强的１．５４μｍ特征光发射．探讨了在硅基材料中高浓度Ｅｒ掺杂薄膜中纳米结构的形成与Ｅｒ３＋的光致发光性能， 展开更多

关键词 纳米硅 离子注入 光致发光 铒掺杂

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