光伏组件阵列行间余光利用增效研究 被引量：3

1

作者 曾庆国 胡琳 +2 位作者 张衡 周浪 石坚 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第6期156-161,共6页

提出一种低成本利用光伏组件阵列行间光照的反光增效设计。就南昌地区七月初晴天正午条件分别进行单组件反光增效计算模拟和实验。结果显示,行间反光板倾斜角为43°±1.5°时的反光增效效果最好,与计算模拟结果吻合良好。... 提出一种低成本利用光伏组件阵列行间光照的反光增效设计。就南昌地区七月初晴天正午条件分别进行单组件反光增效计算模拟和实验。结果显示,行间反光板倾斜角为43°±1.5°时的反光增效效果最好,与计算模拟结果吻合良好。进一步在该最佳反光板倾斜角条件下进行全天实验,结果显示其反光增效效果并不会随太阳高度角减小而明显下降。原因在于太阳辐照中漫散射光和反射板表面漫反射部分的贡献,它们对太阳高度并不敏感。采用白色铝塑板材质的反光板,本设计可使光伏组件表观标称功率提升6%。 展开更多

关键词 光伏组件 太阳辐照 光反射 阵列行间余光增效

在线阅读 下载PDF 职称材料

HWCVD工艺参数对a-Si∶H薄膜结构及其对单晶硅片钝化效果的影响研究 被引量：6

2

作者 何玉平 黄海宾 +3 位作者 周浪 宁武涛 袁吉仁 李丹 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第22期22067-22070,22073,共5页

采用HWCVD法双面沉积a-Si∶H膜钝化n-Cz-Si片表面,利用光谱型椭偏测试仪和傅里叶红外光谱仪研究沉积气压、电流和热丝衬底间距对a-Si∶H薄膜结构及钝化性能的影响。结果表明,(1)薄膜中SiH2键相对SiH键含量随气压升高逐渐减少,随电流增... 采用HWCVD法双面沉积a-Si∶H膜钝化n-Cz-Si片表面,利用光谱型椭偏测试仪和傅里叶红外光谱仪研究沉积气压、电流和热丝衬底间距对a-Si∶H薄膜结构及钝化性能的影响。结果表明,(1)薄膜中SiH2键相对SiH键含量随气压升高逐渐减少,随电流增大先减少后增大;(2)热丝衬底间距4.0cm相比7.5cm沉积的a-Si∶H薄膜微观结构中,SiH2键相比SiH键的比例更高,钝化效果也更好;(3)本文范围内,工艺参数分别为热丝衬底间距4.0cm时气压1.5Pa,沉积电流21.5A情况下钝化效果最优,钝化后硅片的表面复合速率为2.9cm/s。 展开更多

关键词 HWCVD a-Si∶H 钝化 ε_(2) FT-IR SiH_(n) 微观结构参数R^(*)

在线阅读 下载PDF 职称材料

利用硅片线锯屑合成氮氧化硅粉体研究 被引量：6

3

作者 尹传强 李兵 +1 位作者 魏秀琴 周浪 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第10期2739-2745,共7页

以回收提纯硅片线锯屑粉与气相白炭黑为原料,合成出晶须状氮氧化硅粉体。实验研究了原料摩尔配比、保温温度、保温时间等工艺参数对氮氧化合成产物的影响。结果表明,回收提纯硅片线锯屑粉与气相白炭黑摩尔比为2.0∶1~2.6∶1、保温温度为... 以回收提纯硅片线锯屑粉与气相白炭黑为原料,合成出晶须状氮氧化硅粉体。实验研究了原料摩尔配比、保温温度、保温时间等工艺参数对氮氧化合成产物的影响。结果表明,回收提纯硅片线锯屑粉与气相白炭黑摩尔比为2.0∶1~2.6∶1、保温温度为1380℃、保温时间为4 h条件下可获得较为纯净的氮氧化硅粉体。产物中同时伴生一种类似于O1-Si Al ON结构的氮氧化硅低温亚稳相（LM Si2N2O）,且该亚稳相含量随着原料摩尔配比的降低、温度的升高、时间的延长逐渐降低。所形成的氮氧化硅呈晶须状的原因与白炭黑的气化挥发及随后的氮氧化硅气相沉积生长机制有关。 展开更多

关键词 硅片线锯屑 白炭黑 氮氧化硅 低温亚稳相

在线阅读 下载PDF 职称材料

晶体硅金字塔绒面结构圆化对其光反射率和非晶硅薄膜钝化效果的影响 被引量：6

4

作者 龚洪勇 黄海宾 周浪 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第4期913-917,共5页

(001)晶体硅金字塔绒面结构圆化有提高光反射率与提高非晶硅薄膜钝化效果的相互矛盾的双重作用,定量了解它们对优化非晶硅/晶体硅异质结太阳电池的绒面结构圆化程度很有必要。本文以表面粗糙度Rz相对下降百分数定量表征晶体硅衬底表面... (001)晶体硅金字塔绒面结构圆化有提高光反射率与提高非晶硅薄膜钝化效果的相互矛盾的双重作用,定量了解它们对优化非晶硅/晶体硅异质结太阳电池的绒面结构圆化程度很有必要。本文以表面粗糙度Rz相对下降百分数定量表征晶体硅衬底表面金字塔绒面结构圆化程度DR,研究了DR值对等离子体化学气相沉积氢化本征非晶硅薄膜钝化效果的改善作用,发现除圆化初期效果异常高以外,二者之间基本呈线性正比关系;相对改善作用随钝化膜变薄而显著提高。同时测定了DR值对金字塔绒面光反射率的影响,发现反射率基本随DR值线性增大。典型结果为:6%绒面结构圆化程度下,金字塔绒面的光反射率绝对值提高3%;其表面7 nm厚的氢化本征非晶硅薄膜可达到使硅片少数载流子寿命相对未圆化绒面样品提高260%。 展开更多

关键词 晶体硅 绒面 非晶硅 钝化 圆化

在线阅读 下载PDF 职称材料

a-Si:H基薄膜中SiH及SiH_2键构成对n型直拉单晶硅片钝化效果的影响研究 被引量：2

5

作者 何玉平 黄海宾 +1 位作者 龚洪勇 周浪 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第8期970-974,共5页

n型单晶硅表面本征非晶硅基薄膜（a-Si∶H）的钝化作用是高效率非晶硅/晶体硅异质结太阳电池的关键。本文采用掺氧和热处理的方式改变本征非晶硅基薄膜（a-Si∶H）样品中SiH和SiH2键构成,利用Sinton WCT-120少子寿命测试仪及傅里叶红外... n型单晶硅表面本征非晶硅基薄膜（a-Si∶H）的钝化作用是高效率非晶硅/晶体硅异质结太阳电池的关键。本文采用掺氧和热处理的方式改变本征非晶硅基薄膜（a-Si∶H）样品中SiH和SiH2键构成,利用Sinton WCT-120少子寿命测试仪及傅里叶红外光谱测试仪分析样品性能,研究SiH和SiH2键构成对n型直拉单晶硅片（n-Cz-Si）表面钝化效果的影响。结果表明：1掺氧和热处理均会增加a-Si∶H中SiH2键相对于SiH键的比例;2在200-350℃范围内,随着热处理温度的升高,薄膜中SiH2键相对于SiH键的比例增加,薄膜对n-Cz-Si的钝化效果先变好,在275℃时达到极值后变差;3a-Si∶H薄膜中SiH2键和SiH键的相对含量对n-Cz-Si表面的钝化效果有直接的影响,根据实验结果,SiH2与SiH键相对含量在一定范围时钝化效果最好,过高或过低均不利于钝化。 展开更多

关键词 掺氧 热处理 本征非晶硅薄膜 钝化 SiH键 SiH2键

在线阅读 下载PDF 职称材料

硅铸锭中的晶粒生长和位错分布研究 被引量：3

6

作者 明亮 黄美玲 +3 位作者 段金刚 刘文峰 周浪 黄少文 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第6期109-114,共6页

在晶体硅定向凝固过程中,以单晶硅块籽晶和多晶颗粒籽晶为研究对象,研究籽晶晶面、籽晶尺寸及籽晶间铺设方式对晶粒生长及其位错分布的影响。研究结果表明,在单晶硅块籽晶相邻接拼时,其籽晶接拼处容易产生位错聚集,其中相同晶面籽晶间... 在晶体硅定向凝固过程中,以单晶硅块籽晶和多晶颗粒籽晶为研究对象,研究籽晶晶面、籽晶尺寸及籽晶间铺设方式对晶粒生长及其位错分布的影响。研究结果表明,在单晶硅块籽晶相邻接拼时,其籽晶接拼处容易产生位错聚集,其中相同晶面籽晶间接拼处位错产生的概率较不同晶面籽晶接拼处大。在只有单晶块籽晶竞争时,(110)晶面横向生长速度快,能侵占(100)晶面晶粒的生长空间。当单晶硅块籽晶和多晶颗粒籽晶相邻接拼时,单晶晶粒的生长空间逐渐被多晶晶粒吞并,其中单晶(110)晶面抗多晶侵占的能力和抗位错能力比(100)晶面强;同时,单晶硅块籽晶尺寸越小,铸锭晶粒相对更均匀,晶体中的位错水平越低。 展开更多

关键词 晶粒生长 位错 晶体结构 籽晶 晶面

在线阅读 下载PDF 职称材料

HWCVD法掺氧氢化非晶硅(a-SiO_x:H)钝化n-Cz-Si研究 被引量：1

7

作者 何玉平 袁贤 +2 位作者 刘宇 刘宁 黄海宾 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第6期519-523,共5页

HIT电池高效率核心技术之一为本征非晶硅薄膜钝化硅片。本文采用热丝化学气相沉积(HWCVD)法制备a-SiOx:H,采用SintonWCT-120少子寿命测试仪、光谱型椭偏仪及傅里叶红外光谱测试仪分析样品性能,以期获得高质量a-SiOx:H的工艺参数并分析... HIT电池高效率核心技术之一为本征非晶硅薄膜钝化硅片。本文采用热丝化学气相沉积(HWCVD)法制备a-SiOx:H,采用SintonWCT-120少子寿命测试仪、光谱型椭偏仪及傅里叶红外光谱测试仪分析样品性能,以期获得高质量a-SiOx:H的工艺参数并分析微观机理。结果表明:①随热丝电流增加,沉积a-SiO:H膜的样品少子寿命先增加后减小,22.5 A时钝化效果最好,少子寿命高达2530μs,表面复合速率降至3.6 cm/s;②本实验结果中,a-SiOx:H钝化效果明显优于a-Si:H,少子寿命最高分别为2530和547μs;③a-SiOx:H薄膜中SiH、SiH2相对含量与薄膜钝化性能无直接关联。 展开更多

关键词 a-SiOx:H 热丝化学气相沉积 少子寿命 SiH键 SiH2键

在线阅读 下载PDF 职称材料

锂离子电池硅/碳复合负极材料研究进展 被引量：1

8

作者 张伟 刘烈凯 汤昊 《电源技术》 CAS 北大核心 2019年第1期162-164,170,共4页

硅/碳复合负极材料在解决碳容量低的同时缓解了硅的体积效应,近年来已成为研究热点,而碳材料会影响复合材料的结构以及电化学性能。综述了近年来硅碳复合材料研究领域的一些最新进展以及研究热点,以及材料的制备方法和优缺点,并展望了... 硅/碳复合负极材料在解决碳容量低的同时缓解了硅的体积效应,近年来已成为研究热点,而碳材料会影响复合材料的结构以及电化学性能。综述了近年来硅碳复合材料研究领域的一些最新进展以及研究热点,以及材料的制备方法和优缺点,并展望了其未来的发展方向。 展开更多

关键词 锂离子电池 硅/碳复合材料 负极材料

在线阅读 下载PDF 职称材料

B_4C_P/PI聚酰亚胺复合薄膜耐高温及热中子辐照屏蔽性能研究 被引量：6

9

作者 李晓敏 吴菊英 +5 位作者 唐昶宇 袁萍 邢涛 张凯 梅军 黄渝鸿 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第3期48-54,共7页

以耐高温型聚酰亚胺为基体,微米碳化硼(B_4C)为热中子吸收剂,采用粉体表面改性及超声湿混-热亚胺化成膜工艺成功制备了一系列B_4CP/PI聚酰亚胺复合薄膜,重点探讨了不同B_4C含量条件下复合薄膜的耐热性能和力学性能以及不同B_4C含量、不... 以耐高温型聚酰亚胺为基体,微米碳化硼(B_4C)为热中子吸收剂,采用粉体表面改性及超声湿混-热亚胺化成膜工艺成功制备了一系列B_4CP/PI聚酰亚胺复合薄膜,重点探讨了不同B_4C含量条件下复合薄膜的耐热性能和力学性能以及不同B_4C含量、不同复合薄膜厚度条件下复合材料的热中子屏蔽性能。研究表明:采用上述工艺,B_4C功能粒子在聚酰亚胺基体中可均匀分散;B_4CP/PI复合薄膜的耐热性随B_4C含量的增加显著提高,力学性能则呈相反趋势;所制备的B_4CP/PI复合薄膜表现出优异的热中子屏蔽性能,中子透射率I/I0随复合薄膜厚度增加及B_4C含量增加呈指数变化规律。据此,可通过材料结构设计,满足不同领域对该类耐高温中子防护材料的应用需求。 展开更多

关键词 聚酰亚胺 碳化硼 热中子辐照屏蔽 热性能 力学性能

在线阅读 下载PDF 职称材料

以硅片线锯屑和石英为原料合成氮氧化硅粉体研究 被引量：7

10

作者 李兵 尹传强 +1 位作者 魏秀琴 周浪 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第4期892-895,900,共5页

研究了以回收提纯的太阳电池硅片线锯屑粉与粗粒石英粉为原料直接用N2气体氮化合成氮氧化硅(Si_2N_2O)的工艺条件,分析原料配比和反应温度对氮氧化合成产物的影响。结果表明,采用这种线锯硅屑粉为原料,可以在1450℃下4 h常压纯氮合成条... 研究了以回收提纯的太阳电池硅片线锯屑粉与粗粒石英粉为原料直接用N2气体氮化合成氮氧化硅(Si_2N_2O)的工艺条件,分析原料配比和反应温度对氮氧化合成产物的影响。结果表明,采用这种线锯硅屑粉为原料,可以在1450℃下4 h常压纯氮合成条件下得到氮氧化硅产物;当原料摩尔比n(Si)/n(SiO_2)=1.5时,所得产物在XRD检测能力范围显示为纯Si_2N_2O相,不含氮化硅副产物相。从反应相对增重量分析推测,反应体系中可能包含SiO_2在高温和低氧分压条件下的转变为Si_2N_2O的过程。 展开更多

关键词 氮氧化硅 硅锯屑 石英

在线阅读 下载PDF 职称材料

热丝CVD法沉积固态扩散源制备晶硅太阳电池p^+/n^+发射极研究 被引量：3

11

作者 宿世超 王涛 +6 位作者 韩宇哲 田罡煜 黄海宾 高超 岳之浩 袁吉仁 周浪 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第11期2591-2595,共5页

为进一步提高晶硅太阳能电池发射极的性能,本文提出了一种新的发射极制备技术-低温CVD法沉积固态薄膜扩散源并进行高温扩散。采用热丝化学气相沉积法(HWCVD)在单晶硅片上沉积重掺杂硅基薄膜作为固态扩散源,然后在空气氛围下的管式炉中... 为进一步提高晶硅太阳能电池发射极的性能,本文提出了一种新的发射极制备技术-低温CVD法沉积固态薄膜扩散源并进行高温扩散。采用热丝化学气相沉积法(HWCVD)在单晶硅片上沉积重掺杂硅基薄膜作为固态扩散源,然后在空气氛围下的管式炉中进行高温扩散,最后用稀HF溶液去除表面的BSG/PSG。通过掺磷薄膜扩散在P型单晶硅片上制备了方阻在50~250Ω/□范围内可控的n+型发射极;通过掺硼薄膜扩散在N型硅片上制备了方阻在150~600Ω/□范围内可控的p+型发射极。并且通过在源气体中加入CO2作为氧源,实现了扩散后硅片表面残留扩散源层的彻底去除。 展开更多

关键词 HWCVD 晶硅太阳电池 固态扩散源 发射极 方阻

在线阅读 下载PDF 职称材料

InGaN/GaN多量子阱LED载流子泄漏与温度关系研究 被引量：3

12

作者 刘诗涛 王立 +5 位作者 伍菲菲 杨祺 何沅丹 张建立 全知觉 黄海宾 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第1期63-69,共7页

通过测量光电流,直接观察了InGaN/GaN量子阱中载流子的泄漏程度随温度升高的变化关系。当LED温度从300K升高到360K时,在相同的光照强度下,LED的光电流增大,说明在温度上升之后,载流子从量子阱中逃逸的数目更多,即载流子泄漏比例增大。同... 通过测量光电流,直接观察了InGaN/GaN量子阱中载流子的泄漏程度随温度升高的变化关系。当LED温度从300K升高到360K时,在相同的光照强度下,LED的光电流增大,说明在温度上升之后,载流子从量子阱中逃逸的数目更多,即载流子泄漏比例增大。同时,光电流的增大在激发密度较低的时候更为明显,而且光电流随温度的增加幅度与激发光子的能量有关。用量子阱-量子点复合模型能很好地解释所观察到的实验现象。实验结果直接证明,随着温度的升高,InGaN/GaN量子阱中的载流子泄漏将显著增加,而且在低激发密度下这一效应更为明显。温度升高导致的载流子泄漏增多是InGaN多量子阱LED发光效率随温度升高而降低的重要原因。 展开更多

关键词 INGAN/GAN多量子阱 发光二极管 载流子泄漏 量子效率

在线阅读 下载PDF 职称材料

铅基卤化物钙钛矿太阳电池的模拟研究 被引量：2

13

作者 肖建敏 袁吉仁 +3 位作者 王鹏 邓新华 黄海宾 周浪 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第6期1051-1058,共8页

多元硫化物Cd_(0.5)Zn_(0.5)S和氧化亚铜Cu_(2)O载流子迁移率较大,且其制作工艺相对于传统的电子传输层和空穴传输层更为简单,因此这两种材料在钙钛矿太阳电池中具有很好的应用潜力。本文利用SCAPS-1D软件对以Cu_(2)O和Cd_(0.5)Zn_(0.5)... 多元硫化物Cd_(0.5)Zn_(0.5)S和氧化亚铜Cu_(2)O载流子迁移率较大,且其制作工艺相对于传统的电子传输层和空穴传输层更为简单,因此这两种材料在钙钛矿太阳电池中具有很好的应用潜力。本文利用SCAPS-1D软件对以Cu_(2)O和Cd_(0.5)Zn_(0.5)S为传输层、以铅基卤化物钙钛矿为吸收层的太阳电池进行模拟,主要研究了该器件的材料厚度、掺杂浓度、禁带宽度等因素对太阳电池性能的影响。结果表明:当光吸收层(CH_(3)NH_(3)PbI_(3))厚度开始增大时电池性能逐渐提高,但是增大到一定厚度时,电池性能下降,光吸收层的最佳厚度为400 nm;当光吸收层的缺陷态密度小于1.0×10^(14) cm^(-3)时,缺陷态密度对电池性能的影响比较小;此外,铅基卤化物钙钛矿的禁带宽度对电池性能有重要影响,最佳禁带宽度为1.5 eV左右。通过模拟,得到了优化后的性能参数为:开路电压为1.010 V,短路电流密度为31.30 mA/cm^(2),填充因子为80.01%,电池转换效率为25.20%。因此,Cu_(2)O/CH_(3) NH_(3)PbI_(3)/Cd_(0.5)Zn_(0.5)S钙钛矿太阳电池是一种很有发展潜力的光伏器件。 展开更多

关键词 掺镉硫化锌 氧化亚铜 铅基卤化物 钙钛矿太阳电池 转换效率 SCAPS-1D 缺陷态密度

在线阅读 下载PDF 职称材料

MoS_(2)/SnS异质结太阳能电池的模拟研究 被引量：2

14

作者 赵航航 袁吉仁 +1 位作者 邓新华 黄海宾 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2021年第3期477-483,共7页

硫化亚锡(SnS)是一种Ⅳ-Ⅵ族层状化合物半导体材料,其禁带宽度与太阳能电池最佳带隙1.5 eV非常接近,并且在可见光范围内光的吸收系数很大(α>104 cm-1),因此SnS是一种很有应用前景的材料。本文利用太阳能电池模拟软件wxAMPS模拟了MoS... 硫化亚锡(SnS)是一种Ⅳ-Ⅵ族层状化合物半导体材料,其禁带宽度与太阳能电池最佳带隙1.5 eV非常接近,并且在可见光范围内光的吸收系数很大(α>104 cm-1),因此SnS是一种很有应用前景的材料。本文利用太阳能电池模拟软件wxAMPS模拟了MoS_(2)/SnS异质结太阳能电池,主要研究SnS吸收层的厚度、掺杂浓度和缺陷态等因素对太阳能电池性能的影响。研究发现:SnS吸收层最佳厚度为2μm,最佳掺杂浓度为1.0×10^(15) cm^(-3);同时高斯缺陷态浓度超过1.0×10^(15) cm^(-3)时,电池各项性能参数随着浓度的增加而减小,而带尾缺陷态超过1.0×10^(19) cm^(-3)·eV-1时,电池性能才开始下降;其中界面缺陷态对太阳能电池影响比较严重,界面缺陷态浓度超过1.0×10^(12) cm^(-2)时,开路电压、短路电流、填充因子和转换效率迅速下降。另外,通过模拟获得的转换效率高达24.87%,开路电压为0.88 V,短路电流为33.4 mA/cm 2。由此可知,MoS_(2)/SnS异质结太阳能电池是一种很有发展潜力的光伏器件结构。 展开更多

关键词 硫化亚锡 MoS 2/SnS异质结太阳能电池 wxAMPS 太阳能电池模拟 缺陷态

在线阅读 下载PDF 职称材料

应变对硅晶体生长影响的分子动力学模拟研究 被引量：1

15

作者 吴小元 张弛 +1 位作者 周耐根 周浪 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第12期3185-3190,共6页

基于Tersoff势描述的硅原子间相互作用,通过分子动力学方法模拟考察了在垂直于生长方向上分别对晶体施加了不同应变时,硅沿[100]和[112]晶向的晶体生长。结果显示,在压应变条件下,随着应变的增大晶体生长速率减小;而在拉应变条件下,在... 基于Tersoff势描述的硅原子间相互作用,通过分子动力学方法模拟考察了在垂直于生长方向上分别对晶体施加了不同应变时,硅沿[100]和[112]晶向的晶体生长。结果显示,在压应变条件下,随着应变的增大晶体生长速率减小;而在拉应变条件下,在小应变范围内,晶体生长速率随应变增大并不减小,甚至还可能增大,只有当应变达到一定程度时,晶体生长速率才会随着应变的增大而减小;拉应变对[112]方向生长中液-固界面的形态也产生了显著影响。 展开更多

关键词 晶体生长 应变 硅 分子动力学

在线阅读 下载PDF 职称材料

多晶硅锭高氧浓度与少子寿命的研究 被引量：1

16

作者 钟德京 邱家梁 +2 位作者 邹军 周浪 胡动力 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第3期758-762,共5页

在多晶硅定向凝固高少子、低氧区域通入含氧气体，研究氧浓度对多晶硅锭少子寿命的影响程度。研究结果表明，当间隙氧浓度低于4．5×1017cm-3时，对于铸造多晶硅少子寿命的影响非常小；当间隙氧浓度为4．5×1017～7．0×101... 在多晶硅定向凝固高少子、低氧区域通入含氧气体，研究氧浓度对多晶硅锭少子寿命的影响程度。研究结果表明，当间隙氧浓度低于4．5×1017cm-3时，对于铸造多晶硅少子寿命的影响非常小；当间隙氧浓度为4．5×1017～7．0×1017cm-3时，降低平均少子寿命0．50μs；当间隙氧浓度高于7．0×1017cm-3时，硅锭少子寿命受到极大影响，平均少子寿命降低到1．50μs，形成红区。因此，只有当铸造多晶硅尾部间隙氧浓度达到7．0×1017cm-3时，才可能形成尾部红区。 展开更多

关键词 多晶硅锭 铸锭 红区 少子寿命 间隙氧

在线阅读 下载PDF 职称材料

p型掺杂晶体硅的低温液相(001)外延生长研究 被引量：1

17

作者 张范 肖志刚 周浪 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第8期2078-2083,共6页

为寻求以低成本制备n型太阳电池的pn结,进行了Al-17.6wt%Si合金熔体中(001)n型单晶硅衬底上液相外延生长p型掺杂硅实验。所用方法为垂直浸渍法,实验了过冷恒温生长与回熔处理后连续冷却生长两种模式,过程中体系以流动高纯氩保护。对所... 为寻求以低成本制备n型太阳电池的pn结,进行了Al-17.6wt%Si合金熔体中(001)n型单晶硅衬底上液相外延生长p型掺杂硅实验。所用方法为垂直浸渍法,实验了过冷恒温生长与回熔处理后连续冷却生长两种模式,过程中体系以流动高纯氩保护。对所得外延生长晶体结构、形貌及所得pn结开路电压进行了分析和测定。结果显示,合金熔体中硅晶体(001)液相外延生长能够实现,但一般呈离散分布的金字塔型岛状生长;只有衬底回熔处理后原位连续降温生长模式可获得连续外延薄膜,之后在其上出现岛状生长,呈现Stranski-Krastanov生长模式。所得连续外延薄膜形成的pn结开路电压比恒温生长所得的提升约100 m V;连续外延薄膜形成后期出现的岛状生长使开路电压明显下降;生长速度提高会使连续降温外延生长pn结开路电压略有降低。 展开更多

关键词 低温液相外延(LPE) 铝-硅熔体 硅 P-N结

在线阅读 下载PDF 职称材料

点缺陷对单晶硅力学性能影响的分子动力学研究 被引量：1

18

作者 万伟 唐昌新 +1 位作者 项永康 邱安 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2022年第1期163-172,共10页

本文采用分子动力学方法模拟了含有不同大小点缺陷的单晶硅在恒定应变率作用下的破坏过程,以及点缺陷对单晶硅屈服强度的影响,结果表明:点缺陷能显著减小单晶硅的屈服强度,且屈服强度的变化趋势和点缺陷的大小服从指数函数关系,经过分... 本文采用分子动力学方法模拟了含有不同大小点缺陷的单晶硅在恒定应变率作用下的破坏过程,以及点缺陷对单晶硅屈服强度的影响,结果表明:点缺陷能显著减小单晶硅的屈服强度,且屈服强度的变化趋势和点缺陷的大小服从指数函数关系,经过分析发现是点缺陷诱发的应力集中效应降低了屈服强度.通过利用已有的四类强度理论进行校核,发现米塞斯强度理论最适合描述单晶硅的屈服强度,且单晶硅晶体的破坏过程可以由米塞斯应力的演化和聚集效应来说明.最后,在可视化分析破坏后的结构时,发现破坏过程产生的微结构沿着解理面分布,其微观构造类似于二维网格.本文研究结果为评估点缺陷对单晶硅屈服强度的影响机理提供了参考. 展开更多

关键词 单晶硅 点缺陷 力学性能 分子动力学

在线阅读 下载PDF 职称材料

锂离子电池正极材料LiNi_(0.6)Co_(0.2)Mn_(0.2)O_2的研究进展 被引量：2

19

作者 牛萍健 谢天 +1 位作者 袁安 汤昊 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第12期12007-12016,共10页

高镍三元正极材料LiNi_(0.6)Co_(0.2)Mn_(0.2)O_2因具有高能量密度和相对较低成本等优点,有望被广泛应用于汽车动力电池,受到科研工作者的广泛关注。现阶段的研究主要集中在解决该材料的循环稳定性、倍率性能以及高温性能。通过文献调研... 高镍三元正极材料LiNi_(0.6)Co_(0.2)Mn_(0.2)O_2因具有高能量密度和相对较低成本等优点,有望被广泛应用于汽车动力电池,受到科研工作者的广泛关注。现阶段的研究主要集中在解决该材料的循环稳定性、倍率性能以及高温性能。通过文献调研,从合成方法、离子掺杂和表面包覆3个方面较全面的分析和总结了近期对LiNi0.6Co0.2Mn0.2O2材料的主要研究成果,重点讨论了不同合成条件和处理方式对该材料循环稳定性、倍率性能以及高温性能的作用和影响。 展开更多

关键词 锂离子电池 正极材料 合成 掺杂 包覆 LiNi0.6Co0.2Mn0.2O2

在线阅读 下载PDF 职称材料

Bi24O31Br10/BiOBr的控制合成及其光催化性能 被引量：2

20

作者 曾小星 万益群 +1 位作者 弓晓峰 徐招弟 《精细化工》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第9期1478-1485,共8页

以十六烷基三甲基溴化铵（CTAB）和Bi（N03）3·5H20为原料，三乙醇胺（TEOA）为pH调节剂，通过溶剂热法制得／BiOBr。运用Bi24O31Br10RD、SEM、BET、UV-vis等手段对其结构进行了表征。结果表明：改变TEOA的体积，调节Br和Bi物质的... 以十六烷基三甲基溴化铵（CTAB）和Bi（N03）3·5H20为原料，三乙醇胺（TEOA）为pH调节剂，通过溶剂热法制得／BiOBr。运用Bi24O31Br10RD、SEM、BET、UV-vis等手段对其结构进行了表征。结果表明：改变TEOA的体积，调节Br和Bi物质的量比可调控所得物质的组成、微结构和形貌。通过在可见光（λ≥420nnl）下降解环丙沙星（CIP）来评价所制得样品的光催化性能。结果表明，当TEOA的体积为8mL、Br和Bi物质的量比为1．0：1．0时，所得样品Bi24O31Br10／BiOBr（S-1．0-8）具有最佳的光催化性能，比表面积为28．20m。／g，CIP降解率为97．00％，反应速率常数为不加TEOA所得纯BiOBr的3．93倍。S-1．0-8最佳的光催化性能除了与光生电子和空穴的迁移有关外，还归因于其高的比表面积和表面丰富的氧空穴。 展开更多

关键词 溶剂热法 环丙沙星 三乙醇胺 反应速率常数 功能材料

在线阅读 下载PDF 职称材料