光伏组件阵列行间余光利用增效研究 被引量：3

1

作者 曾庆国 胡琳 +2 位作者 张衡 周浪 石坚 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第6期156-161,共6页

提出一种低成本利用光伏组件阵列行间光照的反光增效设计。就南昌地区七月初晴天正午条件分别进行单组件反光增效计算模拟和实验。结果显示,行间反光板倾斜角为43°±1.5°时的反光增效效果最好,与计算模拟结果吻合良好。... 提出一种低成本利用光伏组件阵列行间光照的反光增效设计。就南昌地区七月初晴天正午条件分别进行单组件反光增效计算模拟和实验。结果显示,行间反光板倾斜角为43°±1.5°时的反光增效效果最好,与计算模拟结果吻合良好。进一步在该最佳反光板倾斜角条件下进行全天实验,结果显示其反光增效效果并不会随太阳高度角减小而明显下降。原因在于太阳辐照中漫散射光和反射板表面漫反射部分的贡献,它们对太阳高度并不敏感。采用白色铝塑板材质的反光板,本设计可使光伏组件表观标称功率提升6%。 展开更多

关键词 光伏组件 太阳辐照 光反射 阵列行间余光增效

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硅铸锭中的晶粒生长和位错分布研究 被引量：3

2

作者 明亮 黄美玲 +3 位作者 段金刚 刘文峰 周浪 黄少文 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第6期109-114,共6页

在晶体硅定向凝固过程中,以单晶硅块籽晶和多晶颗粒籽晶为研究对象,研究籽晶晶面、籽晶尺寸及籽晶间铺设方式对晶粒生长及其位错分布的影响。研究结果表明,在单晶硅块籽晶相邻接拼时,其籽晶接拼处容易产生位错聚集,其中相同晶面籽晶间... 在晶体硅定向凝固过程中,以单晶硅块籽晶和多晶颗粒籽晶为研究对象,研究籽晶晶面、籽晶尺寸及籽晶间铺设方式对晶粒生长及其位错分布的影响。研究结果表明,在单晶硅块籽晶相邻接拼时,其籽晶接拼处容易产生位错聚集,其中相同晶面籽晶间接拼处位错产生的概率较不同晶面籽晶接拼处大。在只有单晶块籽晶竞争时,(110)晶面横向生长速度快,能侵占(100)晶面晶粒的生长空间。当单晶硅块籽晶和多晶颗粒籽晶相邻接拼时,单晶晶粒的生长空间逐渐被多晶晶粒吞并,其中单晶(110)晶面抗多晶侵占的能力和抗位错能力比(100)晶面强;同时,单晶硅块籽晶尺寸越小,铸锭晶粒相对更均匀,晶体中的位错水平越低。 展开更多

关键词 晶粒生长 位错 晶体结构 籽晶 晶面

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非晶硅/晶体硅异质结太阳能电池结构设计研究

3

作者 何玉平 袁贤 +2 位作者 胡军平 李未 黄海宾 《南昌工程学院学报》 CAS 2022年第6期97-101,共5页

理论研究表明,高—低掺杂双层本征非晶硅膜作为发射极可提升非晶硅/晶体硅异质结太阳能电池短波段光子QE,改善器件性能。本文优化了透明导电膜ITO(铟锡氧化物)工艺参数的Ar与Ar/O_(2)气体流量比,实验探索了两种结构的双层发射极非晶硅/... 理论研究表明,高—低掺杂双层本征非晶硅膜作为发射极可提升非晶硅/晶体硅异质结太阳能电池短波段光子QE,改善器件性能。本文优化了透明导电膜ITO(铟锡氧化物)工艺参数的Ar与Ar/O_(2)气体流量比,实验探索了两种结构的双层发射极非晶硅/晶体硅异质结太阳能电池。结果表明:ITO最优Ar与Ar/O_(2)气体流量比为50∶40 sccm,载玻片电阻最低为60.2Ω;HWCVD法双层发射极非晶硅/晶体硅异质结太阳能电池转换效率为本实验室同条件下电池最高,达到了11.2%。 展开更多

关键词 发射极 非晶硅/晶体硅异质结太阳能电池 转换效率 IV曲线 量子效率

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n/p型掺杂非晶硅薄膜工艺优化研究

4

作者 何玉平 黄海宾 《南昌工程学院学报》 CAS 2017年第4期28-30,共3页

掺杂层与硅片衬底形成发射极和后背场,掺杂层薄膜质量是影响高效率太阳电池的重要因素之一。以载玻片为衬底沉积掺杂薄膜层后样品电阻为依据对太阳能电池n/p型掺杂非晶硅薄膜主要工艺进行优化。结果表明,n型掺杂非晶硅薄膜最优工艺为电... 掺杂层与硅片衬底形成发射极和后背场,掺杂层薄膜质量是影响高效率太阳电池的重要因素之一。以载玻片为衬底沉积掺杂薄膜层后样品电阻为依据对太阳能电池n/p型掺杂非晶硅薄膜主要工艺进行优化。结果表明,n型掺杂非晶硅薄膜最优工艺为电流20.5 A,气压4.0 Pa,气体流量比H2:Si H4:PH3=50∶2∶4(sccm);p型掺杂层非晶硅薄膜最优工艺为电流23.5 A,气压5.5 Pa,气体流量比Si H4∶H2∶B2H6=2∶50∶4(sccm),沉积时间为30min,温度为200℃。 展开更多

关键词 掺杂非晶硅 电阻 气压 电流 流量比

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B_4C_P/PI聚酰亚胺复合薄膜耐高温及热中子辐照屏蔽性能研究 被引量：6

5

作者 李晓敏 吴菊英 +5 位作者 唐昶宇 袁萍 邢涛 张凯 梅军 黄渝鸿 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第3期48-54,共7页

以耐高温型聚酰亚胺为基体,微米碳化硼(B_4C)为热中子吸收剂,采用粉体表面改性及超声湿混-热亚胺化成膜工艺成功制备了一系列B_4CP/PI聚酰亚胺复合薄膜,重点探讨了不同B_4C含量条件下复合薄膜的耐热性能和力学性能以及不同B_4C含量、不... 以耐高温型聚酰亚胺为基体,微米碳化硼(B_4C)为热中子吸收剂,采用粉体表面改性及超声湿混-热亚胺化成膜工艺成功制备了一系列B_4CP/PI聚酰亚胺复合薄膜,重点探讨了不同B_4C含量条件下复合薄膜的耐热性能和力学性能以及不同B_4C含量、不同复合薄膜厚度条件下复合材料的热中子屏蔽性能。研究表明:采用上述工艺,B_4C功能粒子在聚酰亚胺基体中可均匀分散;B_4CP/PI复合薄膜的耐热性随B_4C含量的增加显著提高,力学性能则呈相反趋势;所制备的B_4CP/PI复合薄膜表现出优异的热中子屏蔽性能,中子透射率I/I0随复合薄膜厚度增加及B_4C含量增加呈指数变化规律。据此,可通过材料结构设计,满足不同领域对该类耐高温中子防护材料的应用需求。 展开更多

关键词 聚酰亚胺 碳化硼 热中子辐照屏蔽 热性能 力学性能

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InGaN/GaN多量子阱LED载流子泄漏与温度关系研究 被引量：3

6

作者 刘诗涛 王立 +5 位作者 伍菲菲 杨祺 何沅丹 张建立 全知觉 黄海宾 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第1期63-69,共7页

通过测量光电流,直接观察了InGaN/GaN量子阱中载流子的泄漏程度随温度升高的变化关系。当LED温度从300K升高到360K时,在相同的光照强度下,LED的光电流增大,说明在温度上升之后,载流子从量子阱中逃逸的数目更多,即载流子泄漏比例增大。同... 通过测量光电流,直接观察了InGaN/GaN量子阱中载流子的泄漏程度随温度升高的变化关系。当LED温度从300K升高到360K时,在相同的光照强度下,LED的光电流增大,说明在温度上升之后,载流子从量子阱中逃逸的数目更多,即载流子泄漏比例增大。同时,光电流的增大在激发密度较低的时候更为明显,而且光电流随温度的增加幅度与激发光子的能量有关。用量子阱-量子点复合模型能很好地解释所观察到的实验现象。实验结果直接证明,随着温度的升高,InGaN/GaN量子阱中的载流子泄漏将显著增加,而且在低激发密度下这一效应更为明显。温度升高导致的载流子泄漏增多是InGaN多量子阱LED发光效率随温度升高而降低的重要原因。 展开更多

关键词 INGAN/GAN多量子阱 发光二极管 载流子泄漏 量子效率

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多晶硅锭高氧浓度与少子寿命的研究 被引量：1

7

作者 钟德京 邱家梁 +2 位作者 邹军 周浪 胡动力 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第3期758-762,共5页

在多晶硅定向凝固高少子、低氧区域通入含氧气体，研究氧浓度对多晶硅锭少子寿命的影响程度。研究结果表明，当间隙氧浓度低于4．5×1017cm-3时，对于铸造多晶硅少子寿命的影响非常小；当间隙氧浓度为4．5×1017～7．0×101... 在多晶硅定向凝固高少子、低氧区域通入含氧气体，研究氧浓度对多晶硅锭少子寿命的影响程度。研究结果表明，当间隙氧浓度低于4．5×1017cm-3时，对于铸造多晶硅少子寿命的影响非常小；当间隙氧浓度为4．5×1017～7．0×1017cm-3时，降低平均少子寿命0．50μs；当间隙氧浓度高于7．0×1017cm-3时，硅锭少子寿命受到极大影响，平均少子寿命降低到1．50μs，形成红区。因此，只有当铸造多晶硅尾部间隙氧浓度达到7．0×1017cm-3时，才可能形成尾部红区。 展开更多

关键词 多晶硅锭 铸锭 红区 少子寿命 间隙氧

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点缺陷对单晶硅力学性能影响的分子动力学研究 被引量：1

8

作者 万伟 唐昌新 +1 位作者 项永康 邱安 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2022年第1期163-172,共10页

本文采用分子动力学方法模拟了含有不同大小点缺陷的单晶硅在恒定应变率作用下的破坏过程,以及点缺陷对单晶硅屈服强度的影响,结果表明:点缺陷能显著减小单晶硅的屈服强度,且屈服强度的变化趋势和点缺陷的大小服从指数函数关系,经过分... 本文采用分子动力学方法模拟了含有不同大小点缺陷的单晶硅在恒定应变率作用下的破坏过程,以及点缺陷对单晶硅屈服强度的影响,结果表明:点缺陷能显著减小单晶硅的屈服强度,且屈服强度的变化趋势和点缺陷的大小服从指数函数关系,经过分析发现是点缺陷诱发的应力集中效应降低了屈服强度.通过利用已有的四类强度理论进行校核,发现米塞斯强度理论最适合描述单晶硅的屈服强度,且单晶硅晶体的破坏过程可以由米塞斯应力的演化和聚集效应来说明.最后,在可视化分析破坏后的结构时,发现破坏过程产生的微结构沿着解理面分布,其微观构造类似于二维网格.本文研究结果为评估点缺陷对单晶硅屈服强度的影响机理提供了参考. 展开更多

关键词 单晶硅 点缺陷 力学性能 分子动力学

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绒面类型对斜入射光下太阳电池发电能力影响的分析

9

作者 韩宇哲 黄海宾 周浪 《新能源进展》 2015年第4期256-260,共5页

太阳电池在发电运行时大部分时间处于不同斜入射辐照条件,然而太阳电池及其组件的输出功率参数都是在垂直入射辐照下测量并成为衡量其发电能力的标准。对不同类型绒面的太阳电池,用这样的标准来衡量比较其实际发电运行输出可能会产生出... 太阳电池在发电运行时大部分时间处于不同斜入射辐照条件,然而太阳电池及其组件的输出功率参数都是在垂直入射辐照下测量并成为衡量其发电能力的标准。对不同类型绒面的太阳电池,用这样的标准来衡量比较其实际发电运行输出可能会产生出入。通过对金字塔型绒面的单晶硅太阳电池与球窝型绒面的多晶硅太阳电池在斜入射光照时的光反射情况和两种类型组件的实际发电情况进行理论分析和实验测量,得到以下结论:按照现行标准测量结果标称输出性能,多晶硅太阳电池的实际运行发电能力相对于单晶硅太阳电池而言被略为低估了,但低估程度小于3%。一般而言,各种减反射手段所优化的实际是垂直入射辐照条件下的发电输出结果,其实际运行发电效果增益并不如标准测量结果所显示的那么大。 展开更多

关键词 斜入射辐照 绒面 发电能力

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拟建鄱阳湖水利枢纽工程对水龄的影响模拟分析 被引量：8

10

作者 唐昌新 张晓航 +2 位作者 邬年华 黄志文 邹文楠 《中国水利水电科学研究院学报》 北大核心 2018年第3期195-206,共12页

鄱阳湖水利枢纽工程的建设运行必然会改变鄱阳湖的水情。本文利用EFDC水龄模块模拟了鄱阳湖的水龄分布,并分析研究拟建的水利枢纽工程在丰、平、枯等典型年份对水龄的影响,结果表明:受"五河"来流流量以及长江顶托倒灌作用的影... 鄱阳湖水利枢纽工程的建设运行必然会改变鄱阳湖的水情。本文利用EFDC水龄模块模拟了鄱阳湖的水龄分布,并分析研究拟建的水利枢纽工程在丰、平、枯等典型年份对水龄的影响,结果表明:受"五河"来流流量以及长江顶托倒灌作用的影响,鄱阳湖水龄在赣江入湖三角洲和入江水道较小,平均水龄分别是16.6 d和23.2 d,而在东北湖湾较大,平均水龄为119.4 d;水利枢纽工程的建设会减小鄱阳湖枯水期的流速,从而增大水龄,主要影响区域是北部过江水道区域以及中心湖区西侧的赣江入湖三角洲区域,尤其是过江水道的东侧,水体有明显滞留;水利枢纽工程增加了整个湖体的水力更换时间,在枢纽调控方案的补偿调节期和低枯水期水力更换时间增加了20%左右。研究结果可为鄱阳湖水利枢纽工程的建设提供参考。 展开更多

关键词 鄱阳湖 水利枢纽工程 水龄 EFDC

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氢退火的BZO前电极对非晶硅薄膜太阳能电池性能的影响 被引量：1

11

作者 唐鹿 薛飞 +4 位作者 郭鹏 罗哲 李旺 李晓敏 刘石勇 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第6期838-843,共6页

采用低压化学气相沉积方法在玻璃衬底上制备了B掺杂的ZnO(BZO)薄膜,通过氢退火对BZO进行处理,然后作为前电极进行了非晶硅薄膜太阳能电池的制备及性能研究。结果表明:在氢气气氛下退火后,BZO薄膜的载流子浓度基本无变化,但Hall迁移率显... 采用低压化学气相沉积方法在玻璃衬底上制备了B掺杂的ZnO(BZO)薄膜,通过氢退火对BZO进行处理,然后作为前电极进行了非晶硅薄膜太阳能电池的制备及性能研究。结果表明:在氢气气氛下退火后,BZO薄膜的载流子浓度基本无变化,但Hall迁移率显著提高,这使得BZO薄膜的导电能力提高;当采用厚度较小、透光率较高的BZO薄膜进行氢退火后作为前电极结构时,非晶硅薄膜太阳能电池的短路电流密度提高0.3~0.4mA/cm^2,电池的转化效率提高0.2%。实验结果可为通过优化前电极结构来提高非晶硅薄膜太阳能电池转化效率提供一种简易的方法。 展开更多

关键词 BZO薄膜 前电极 透光率 非晶硅薄膜太阳能电池 转化效率

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铸造单晶硅性能和应用分析 被引量：1

12

作者 明亮 黄美玲 +3 位作者 段金刚 王锋 黄少文 周浪 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第1期335-340,共6页

以G6型多晶硅定向凝固铸锭炉生长的铸造单晶硅为研究对象,对其性能特点及应用进行分析。铸造单晶硅中含有位错、亚晶粒、多晶晶粒、间隙态元素和硬质点等缺陷。在铸造单晶硅制备过程中,因长晶界面不平及杂质存在的原因,硅锭生长时存在... 以G6型多晶硅定向凝固铸锭炉生长的铸造单晶硅为研究对象,对其性能特点及应用进行分析。铸造单晶硅中含有位错、亚晶粒、多晶晶粒、间隙态元素和硬质点等缺陷。在铸造单晶硅制备过程中,因长晶界面不平及杂质存在的原因,硅锭生长时存在较大的应力,致使硅原子排列出现错排,从而导致位错、亚晶粒和多晶晶粒的产生,其中多晶晶粒的晶向主要有(331)等;在硅锭的中上部易产生位错,并随着晶体生长大量增殖。铸造单晶硅中的间隙态元素Fe和O的分布规律和铸造多晶硅相似;硬质点的主要成分是氮化硅和碳化硅。缺陷密度较低的铸造单晶片制作成钝化发射极背面接触(PERC)太阳电池,其光电转换效率达21.7%,较直拉单晶硅PERC太阳电池低0.4%。 展开更多

关键词 晶体生长 位错 电池效率 铸造单晶硅 性能

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气体流量对氢化非晶氧化硅(a-SiO_x∶H)钝化性能影响 被引量：1

13

作者 何玉平 袁贤 +1 位作者 刘宁 黄海宾 《南昌工程学院学报》 CAS 2018年第4期53-56,90,共5页

本征钝化层是非晶硅/晶体硅异质结太阳电池的核心技术之一,以n型直拉单晶硅片(n-Cz-Si)为衬底采用热丝化学气相沉积法(HWCVD)沉积氢化非晶氧化硅(a-SiO_x∶H),研究气体流量对其钝化性能的影响。结果表明,CO_2,H_2,SiH_4流量均能显著的影... 本征钝化层是非晶硅/晶体硅异质结太阳电池的核心技术之一,以n型直拉单晶硅片(n-Cz-Si)为衬底采用热丝化学气相沉积法(HWCVD)沉积氢化非晶氧化硅(a-SiO_x∶H),研究气体流量对其钝化性能的影响。结果表明,CO_2,H_2,SiH_4流量均能显著的影响a-SiO_x∶H钝化性能,最优钝化效果CO_2,H_2,SiH_4流量分别为0.3 sccm,16sccm,10 sccm,双面沉积a-SiO_x∶H后硅片的少子寿命达到了466 s(注入浓度取1×10 cm^(-3))。 展开更多

关键词 气体流量 氢化非晶氧化硅(a-SiOx∶H) HWCVD 少子寿命 椭偏

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利用蜂窝状涂层材料制备高效多晶硅锭 被引量：1

14

作者 明亮 黄美玲 +3 位作者 段金刚 邱昊 刘福刚 喻鹏辉 《太阳能》 2019年第5期58-63,共6页

在石英坩埚制备氮化硅涂层过程中,通过对坩埚底部使用特殊的喷涂工艺,制备具有蜂窝状形貌的涂层作为多晶硅生长的形核点,生长出晶粒均匀的高效多晶硅锭。相比依靠同质籽晶形核的半熔有籽晶高效多晶硅铸锭技术,蜂窝状涂层材料制备高效多... 在石英坩埚制备氮化硅涂层过程中,通过对坩埚底部使用特殊的喷涂工艺,制备具有蜂窝状形貌的涂层作为多晶硅生长的形核点,生长出晶粒均匀的高效多晶硅锭。相比依靠同质籽晶形核的半熔有籽晶高效多晶硅铸锭技术,蜂窝状涂层材料制备高效多晶硅锭的方法具有无需保留籽晶、硅锭底部红区较短等优势;但其晶粒均匀度略差,位错密度相对较高,制作的太阳电池的平均转换效率比半熔有籽晶高效多晶硅锭制作的太阳电池的平均转换效率低约0.03%。 展开更多

关键词 涂层材料 蜂窝状 坩埚 形核 高效多晶硅

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硅/石墨负极中硅的体电阻率和掺杂类型对锂离子电池电化学性能的影响 被引量：4

15

作者 金晨鑫 徐国军 +4 位作者 刘烈凯 岳之浩 李晓敏 汤昊 周浪 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第22期10-14,共5页

将电阻率为1Ω·cm、0.1Ω·cm、0.01Ω·cm、0.001Ω·cm的n型掺杂硅片以及电阻率为1Ω·cm、0.001Ω·cm的p型掺杂硅片球磨制成6种硅粉,并分别将其与石墨按照5∶95的质量比进行混合,用作锂离子电池负极材料... 将电阻率为1Ω·cm、0.1Ω·cm、0.01Ω·cm、0.001Ω·cm的n型掺杂硅片以及电阻率为1Ω·cm、0.001Ω·cm的p型掺杂硅片球磨制成6种硅粉,并分别将其与石墨按照5∶95的质量比进行混合,用作锂离子电池负极材料并制成扣式电池,通过电化学阻抗谱和倍率性能测试来研究硅材料体电阻率和掺杂类型对锂离子电池电化学性能的影响规律。结果表明,硅材料体电阻率越低,其储锂容量越高,倍率性能越好。电阻率相同时,n型掺杂硅始终比p型掺杂硅具有更大的储锂容量和更好的倍率性能。但是,当p型掺杂硅的电阻率远低于n型掺杂硅时,p型掺杂硅电化学性能更佳。另外,0.001Ω·cm的n型掺杂硅样品具有最佳的充放电比容量和倍率性能,其首次充放电比容量分别为457.7mAh·g^(-1)和543.4mAh·g^(-1)。 展开更多

关键词 硅/石墨负极 体电阻率 N型掺杂 P型掺杂 锂离子电池 电化学性能

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热丝电流对HWCVD制备α-Si∶H膜结构及钝化效果的影响 被引量：4

16

作者 宁武涛 何玉平 +1 位作者 黄海宾 周浪 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第8期606-610,共5页

采用热丝化学气相沉积（HWCVD）方法沉积本征非晶硅薄膜,研究了热丝电流对薄膜结构及其钝化单晶硅片效果的影响。采用光谱型椭偏仪分析了非晶硅薄膜的介电常数虚部ε2和薄膜空位浓度的变化,采用傅里叶红外光谱测试仪分析了膜中Si—HX键... 采用热丝化学气相沉积（HWCVD）方法沉积本征非晶硅薄膜,研究了热丝电流对薄膜结构及其钝化单晶硅片效果的影响。采用光谱型椭偏仪分析了非晶硅薄膜的介电常数虚部ε2和薄膜空位浓度的变化,采用傅里叶红外光谱测试仪分析了膜中Si—HX键,使用硅片的少子寿命表征钝化效果。结果表明：在热丝电流（两根直径为0.5 mm的钽丝的总电流）为20.5~23.5 A时,随着热丝电流增大薄膜中空位浓度逐渐增大,薄膜中氢总含量在热丝电流约22.0 A时出现峰值,而此时薄膜微观结构参数R＊最小,钝化效果在约21.5 A处出现峰值,对应的表面复合速率低至2.9 cm/s。 展开更多

关键词 热丝化学气相沉积(HWCVD) 本征非晶硅 钝化 硅氢键 空位浓度

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热丝CVD法沉积超薄α-Si∶H钝化膜 被引量：3

17

作者 田罡煜 王涛 +6 位作者 黄海宾 孙喜莲 高超 岳之浩 袁吉仁 周耐根 周浪 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第5期376-381,386,共7页

采用热丝化学气相沉积法在n型直拉单晶硅圆片表面双面沉积厚度为10 nm的本征非晶硅(α-Si∶H)薄膜。利用光谱型椭偏测试仪和准稳态光电导法研究热丝电流、H_2体积流量和热丝与衬底之间的距离对α-Si∶H薄膜结构和钝化效果的影响。结果表... 采用热丝化学气相沉积法在n型直拉单晶硅圆片表面双面沉积厚度为10 nm的本征非晶硅(α-Si∶H)薄膜。利用光谱型椭偏测试仪和准稳态光电导法研究热丝电流、H_2体积流量和热丝与衬底之间的距离对α-Si∶H薄膜结构和钝化效果的影响。结果表明,热丝电流为21.5~23.5 A时,钝化后硅片的少子寿命随着热丝电流的增加呈现先增加后降低的趋势,热丝电流为23.0 A时,钝化效果最好;H_2体积流量为5~20 cm^3/min时,少子寿命随着H_2体积流量的增加呈现先增加后降低的规律,体积流量为15 cm^3/min时,钝化效果最好;热丝与衬底间距为4~5 cm时,随着间距的增加,薄膜的结构由晶化向非晶化转变,在间距为4.5 cm时硅片的钝化效果达到最优。 展开更多

关键词 热丝化学气相沉积(HWCVD) 介电常数 非晶硅(α-Si:H)薄膜 钝化 带有 本征薄层的异质结(HIT)

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表面氧含量对高纯硅粉高温氮化行为的影响 被引量：1

18

作者 兰宇 李兵 +4 位作者 周子皓 张以纯 尹传强 魏秀琴 周浪 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第16期2719-2722,共4页

研究了表面氧含量对高纯硅原料在氮氢气氛下直接氮化行为的影响,并合成高α相氮化硅。研究结果表明,硅粉在氮氢气氛下1 350℃保温3h,氮化产物中α-Si_3N_4含量随原料氧含量的增加呈先增加后减少的趋势,当硅原料表面氧含量为3.91%时,氮... 研究了表面氧含量对高纯硅原料在氮氢气氛下直接氮化行为的影响,并合成高α相氮化硅。研究结果表明,硅粉在氮氢气氛下1 350℃保温3h,氮化产物中α-Si_3N_4含量随原料氧含量的增加呈先增加后减少的趋势,当硅原料表面氧含量为3.91%时,氮化产物中α-Si_3N_4含量可达97%以上,残留硅含量低于1%,产物中部氧含量为1.71%,在此环境下硅粉氮化主要以化学气相沉积的方式进行,产物形貌以杆状α-Si_3N_4晶须为主。硅原料表面氧含量低于4.38%时,氮化产物α-Si_3N_4含量均在95%以上,另有少量的β-Si_3N_4和残留硅,XRD测试精度范围内无氮氧化硅相存在。当硅原料氧含量高于5.61%时,产物中则出现氮氧化硅,随着原料氧含量增加,氮氧化硅含量明显上升。当硅原料氧含量低于5.61%时,残留硅含量随氧含量增加明显减少,说明原料中氧的增加可以显著加快氮化速率,降低氮化产物中残留硅的含量。 展开更多

关键词 α-氮化硅 氧含量 直接氮化法 高纯硅粉 氮氧化硅

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氧化硅形态对合成氮氧化硅粉体的影响

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作者 李兵 周子皓 +2 位作者 尹传强 魏秀琴 周浪 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第18期114-118,共5页

研究了使用SiO_2为氧源合成氮氧化硅时,SiO_2的结晶状态对氮氧化硅形貌的影响。实验使用的SiO_2分别为气相白炭黑和晶体石英粉末,硅固体为平均粒径1.15μm左右的粉末。使用X射线衍射仪对合成物进行物相分析,并用扫描电子显微镜观察其形... 研究了使用SiO_2为氧源合成氮氧化硅时,SiO_2的结晶状态对氮氧化硅形貌的影响。实验使用的SiO_2分别为气相白炭黑和晶体石英粉末,硅固体为平均粒径1.15μm左右的粉末。使用X射线衍射仪对合成物进行物相分析,并用扫描电子显微镜观察其形貌。结果表明:使用气相白炭黑为氧源时,在1 380℃保温4h的条件下,硅粉与气相白炭黑的物质的量比为2.0∶1~2.6∶1可得到纤维状氮氧化硅;以晶态石英为氧源时,在1 450℃保温4h的条件下,固定硅粉与晶态石英的物质的量比为1.5∶1可得到颗粒状氮氧化硅。本工作通过对Si-N-O体系的热力学分析,讨论了不同形貌的氮氧化硅粉体的形成机制。 展开更多

关键词 氮氧化硅 晶态石英 气相白炭黑 氮氧化机制

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单轴混合机流场模拟与试验分析

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作者 何仁财 邱璐 +2 位作者 胡文亭 李永忠 唐昌新 《包装与食品机械》 CAS 北大核心 2023年第6期92-98,共7页

针对生物发酵饲料混合过程中易粘结及存在残留而影响混合均匀性问题,对单轴混合机进行三维建模,采用CFD分析单轴混合机不同工况下物料混合均匀性与物料填充率、混合机转速和混合时间存在的关联性及混合机理,寻求最佳工况参数。结果表明... 针对生物发酵饲料混合过程中易粘结及存在残留而影响混合均匀性问题,对单轴混合机进行三维建模,采用CFD分析单轴混合机不同工况下物料混合均匀性与物料填充率、混合机转速和混合时间存在的关联性及混合机理,寻求最佳工况参数。结果表明,单轴混合机设定不同工况(填充率、转速、时间)参数下模拟得到不同的模拟数值云图,通过设定工况参数、相对偏差及数值拟合求导得极值,得到转速58 r/min、物料填充率70%为混合均匀性最佳工况设定参数。研究为混合机的机理设计及最佳工况参数设定提供借鉴。 展开更多

关键词 单轴混合机 混合机流场模拟分析 生物发酵饲料生产装备 均匀性

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