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稀土掺杂硅基薄膜的高效发光特性
被引量：
1
1
作者
元美玲
汪庆年
+2 位作者
张晓峰
王水凤
姜乐
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第5期651-654,共4页
测量了在不同离子注入剂量,不同退火条件下的Nd注入S i基晶片室温光致发光谱,结果表明它们均具有蓝、紫发光峰,且发光稳定。在一定范围内发光效率随掺杂浓度的增加而增大,随退火条件的不同而改变。在实验室条件下,对掺杂硅片和单晶硅片...
测量了在不同离子注入剂量,不同退火条件下的Nd注入S i基晶片室温光致发光谱,结果表明它们均具有蓝、紫发光峰,且发光稳定。在一定范围内发光效率随掺杂浓度的增加而增大,随退火条件的不同而改变。在实验室条件下,对掺杂硅片和单晶硅片进行电化学腐蚀制成多孔硅样片,同时用适当配比的HNO3对以单晶硅为基底的多孔硅进行处理,测试了腐蚀后各类样品的光致发光(PL)谱。发现掺稀土Nd的多孔硅和用HNO3处理的多孔硅的发光效率有显著提高。
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关键词
ND掺杂
多孔硅
酸处理
光致发光
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职称材料
题名
稀土掺杂硅基薄膜的高效发光特性
被引量：
1
1
作者
元美玲
汪庆年
张晓峰
王水凤
姜乐
机构
南昌大学
物理系
南昌大学
信息
工程学院
南昌大学信息中心
南昌大学
材料科学与工程系
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第5期651-654,共4页
基金
江西省自然科学基金资助项目(0312006)
文摘
测量了在不同离子注入剂量,不同退火条件下的Nd注入S i基晶片室温光致发光谱,结果表明它们均具有蓝、紫发光峰,且发光稳定。在一定范围内发光效率随掺杂浓度的增加而增大,随退火条件的不同而改变。在实验室条件下,对掺杂硅片和单晶硅片进行电化学腐蚀制成多孔硅样片,同时用适当配比的HNO3对以单晶硅为基底的多孔硅进行处理,测试了腐蚀后各类样品的光致发光(PL)谱。发现掺稀土Nd的多孔硅和用HNO3处理的多孔硅的发光效率有显著提高。
关键词
ND掺杂
多孔硅
酸处理
光致发光
Keywords
Nd doped
porous
treaded by acid
photoluminescence
分类号
O472.3 [理学—半导体物理]
O482.31 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
稀土掺杂硅基薄膜的高效发光特性
元美玲
汪庆年
张晓峰
王水凤
姜乐
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
1
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