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题名温度和气压对InSb薄膜中Sb/In摩尔比的影响
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作者
欧琳
王静
林兴
赵勇
惠一恒
胡鹏飞
王广才
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机构
南开大学南开大学光电子薄膜器件与技术研究所
南开大学天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室
南开大学薄膜光电子技术教育部工程研究中心
南开大学天津市中欧太阳能光伏发电技术联合研究中心
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出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2021年第7期546-552,共7页
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基金
中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(63191204,63181217)。
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文摘
锑化铟(InSb)作为Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料广泛应用于红外探测器、霍尔元件等领域。InSb薄膜中Sb/In摩尔比直接影响薄膜的电学、光学等性能。采用真空镀膜方法难以精确控制薄膜中Sb/In摩尔比。采用真空热阻共蒸发的方法制备InSb薄膜,获得不同薄膜温度下InSb薄膜中Sb/In摩尔比与蒸发舟内Sb与In颗粒摩尔比之间的经验公式,真空镀膜的薄膜温度不宜超过200℃。同时,采用高压氮气保护可以有效抑制高温退火后InSb薄膜中Sb的逃逸现象。这为InSb薄膜的真空制备提供了有益的借鉴。
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关键词
INSB
摩尔比
温度
气压
真空镀膜
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Keywords
InSb
mole ratio
temperature
pressure
vacuum coating
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分类号
TN213
[电子电信—物理电子学]
TN304.2
[电子电信—物理电子学]
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题名适用于暗场生化传感系统的微流控芯片的研制与验证
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作者
王辉
杜谦
刘国华
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机构
南开大学电子信息与光学工程学院
天津市光电传感器与传感网络技术重点实验室
南开大学
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出处
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2022年第8期1018-1025,共8页
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基金
国家自然基金项目(61271099,61771261)。
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文摘
为了提高暗场检测的效率、获取高质量的传感信息,基于实验设备的物理尺寸以及实验环境,通过COMSOL Multiphysics仿真,并采取键合工艺,研制了一种适用于暗场生化传感系统的微流控芯片。该芯片可在同一暗场视野下观察到四个反应区域,实现对多种样品的并行检测。同时由于该设计的连通性,四个反应区域可以两两进行精确对照,对样本检测结果进行定性定量对比。实验中,在暗场显微成像系统下捕获到微流控芯片通入各反应区域的传感单元纳米粒子,测出散射光谱,验证其可行性。暗场显微成像系统和微流控芯片的结合,实现了自动化、集成化的实时原位并行检测,极大地提高了实验效率。
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关键词
微流控芯片
暗场显微成像系统
并行检测
金纳米粒子
LSPR传感
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Keywords
microfluidic chip
dark field sensing system
parallel detection
gold nanoparticles
LSPR sensing
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分类号
TP212
[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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