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光子晶格中超短脉冲光的时域特性 被引量:1
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作者 王喆 唐柏权 +3 位作者 杨程亮 金妮娜 陈楠 吴强 《天津大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第8期747-752,共6页
为定量分析光子晶格对超短脉冲的时域、频域和非线性动力学过程的操控作用,利用搭建的二次谐波型频率分辨光学开关探测系统对超短脉冲离散衍射的出射光进行了时频域的定量探测和分析.运用广义主元素投影算法从采集的频率分辨光学开关(FR... 为定量分析光子晶格对超短脉冲的时域、频域和非线性动力学过程的操控作用,利用搭建的二次谐波型频率分辨光学开关探测系统对超短脉冲离散衍射的出射光进行了时频域的定量探测和分析.运用广义主元素投影算法从采集的频率分辨光学开关(FROG)迹线中定量恢复了时域电场、频域光谱以及它们的相位信息.通过对上述结果的数值拟合,获得了脉宽、谱宽、中心波长和各阶啁啾量,并结合上述结果分析了非线性相移与色散啁啾对光谱的影响和色散与自相位调制(SPM)对脉宽的影响.结果表明,光子晶格不但对入射光存在空间调控,同时也对脉冲光的时域、频域以及非线性过程有着全面、灵活的调控能力;传输中,脉冲光的脉宽和频谱之间的关系受传播系统的色散、非线性系数以及结构等诸多因素的共同制约. 展开更多
关键词 飞秒脉冲 光子晶格 离散衍射 频率分辨光学开关
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不同浓度Sn^4+离子掺杂TiO_2的结构、性质和光催化活性 被引量:6
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作者 张鹏 赵路松 +1 位作者 姚江宏 曹亚安 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2013年第6期1305-1312,共8页
采用溶胶-凝胶法制备出纯TiO2和不同浓度Sn4+离子掺杂的TiO2光催化剂(TiO2-Snx%, x%代表 Sn4+离子掺杂的TiO2样品中Sn4+离子摩尔分数). 利用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)和表面光电压谱(SPS)确定了 TiO2-Snx%催化剂的晶相结构... 采用溶胶-凝胶法制备出纯TiO2和不同浓度Sn4+离子掺杂的TiO2光催化剂(TiO2-Snx%, x%代表 Sn4+离子掺杂的TiO2样品中Sn4+离子摩尔分数). 利用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)和表面光电压谱(SPS)确定了 TiO2-Snx%催化剂的晶相结构和能带结构, 结果表明: 当 Sn4+离子浓度较低时, Sn4+离子进入TiO2晶格, 取代并占据Ti4+离子的位置, 形成取代式掺杂结构(Ti1-xSnxO2), 其掺杂能级在导带下 0.38 eV 处; 当 Sn4+离子浓度较高时, 掺入的Sn4+离子在TiO2表面生成金红石SnO2, 形成 TiO2和SnO2复合结构(TiO2/SnO2), SnO2的导带位于TiO2导带下0.33 eV处. 利用瞬态光电压谱和荧光光谱研究了TiO2-Snx%催化剂光生载流子的分离和复合的动力学过程, 结果表明, Sn4+离子掺杂能级和表面SnO2能带存在促进光生载流子的分离, 有效地抑制了光生电子与空穴的复合; 然而, Sn4+离子掺杂能级能更有效地增加光生电子的分离寿命, 提高了光生载流子的分离效率, 从而揭示了TiO2-Snx%催化剂的光催化机理. 展开更多
关键词 Sn4+离子掺杂TiO2 Sn4+离子浓度 瞬态光电压 表面光电压谱 光生电子的寿命
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表面In掺杂TiO2的N719/TiO2-Inx%/FTO薄膜电极的光电转换效率 被引量:6
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作者 程辉 姚江宏 曹亚安 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2012年第11期2632-2640,共9页
采用溶胶-凝胶法制备出In表面修饰的TiO2(TiO2-Inx%)纳米粒子,x%代表在In掺杂的TiO2样品中In3+与In3+和Ti4+离子摩尔百分含量.利用二(四丁基铵)顺式-双(异硫氰基)双(2,2-联吡啶-4,4-二羧酸)钌(II)(N719)作为敏化剂,制备出N719/TiO2/FTO... 采用溶胶-凝胶法制备出In表面修饰的TiO2(TiO2-Inx%)纳米粒子,x%代表在In掺杂的TiO2样品中In3+与In3+和Ti4+离子摩尔百分含量.利用二(四丁基铵)顺式-双(异硫氰基)双(2,2-联吡啶-4,4-二羧酸)钌(II)(N719)作为敏化剂,制备出N719/TiO2/FTO(氟掺杂锡氧化物)和N719/TiO2-Inx%/FTO染料敏化薄膜电极.光电转换效率实验表明,在薄膜电极+0.5mol.L-1LiI+0.05mol.L-1I2的三甲氧基丙腈(MPN)溶液+Pt光电池体系中,N719/TiO2-Inx%/FTO薄膜电极的光电转换效率均高于N719/TiO2/FTO,其中N719/TiO2-In0.1%/FTO的光电转换效率比N719/TiO2/FTO提高了20%.利用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、漫反射吸收光谱(DRS)、荧光(PL)光谱和表面光电流作用谱确定了TiO2-Inx%样品中In3+离子的存在方式和能带结构;利用表面光电流作用谱研究了N719/TiO2-Inx%/FTO薄膜电极的光致界面电荷转移过程.结果表明,In3+离子在TiO2表面形成O-In-Cln(n=1,2)物种,该物种的表面态能级位于导带下0.3eV处;在光电流产生过程中,O-In-Cln(n=1,2)表面态能级有效地抑制了光生载流子在TiO2-Inx%层的复合,促进了阳极光电流的增加,从而导致N719/TiO2-Inx%/FTO薄膜电极的光电转化效率高于N719/TiO2/FTO,并进一步讨论了光致界面电荷转移的机理. 展开更多
关键词 TiO2-Inx% O-In-Cln (n=1 2)物种 表面敏化 N719 TiO2-Inx% FTO 光电转换效率
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Yb_(0.005)Y_(0.708)Lu_(0.287)VO_4混晶的生长和材料性质(英文)
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作者 张炳涛 滕冰 +3 位作者 钟德高 曹丽凤 李建宏 R.A.Rupp 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第3期408-412,共5页
采用提拉法生长出Yb0.005Y0.708Lu0.287VO4晶体。在室温下,对Yb0.005Y0.708Lu0.287VO4晶体进行了XRPD测试,计算了晶格常数(a=b=0.7091 nm,c=0.6273 nm)和密度(4.826 g/cm3)。对混晶的(100)面进行了腐蚀,腐蚀坑呈四棱锥形状。平均线膨胀... 采用提拉法生长出Yb0.005Y0.708Lu0.287VO4晶体。在室温下,对Yb0.005Y0.708Lu0.287VO4晶体进行了XRPD测试,计算了晶格常数(a=b=0.7091 nm,c=0.6273 nm)和密度(4.826 g/cm3)。对混晶的(100)面进行了腐蚀,腐蚀坑呈四棱锥形状。平均线膨胀系数α1=1.285×10-6K-1,α3=7.030×10-6K-1,温度在330.15 K和570.15 K之间变化时,比热为0.494~0.617J/g·K。 展开更多
关键词 钒酸盐晶体 腐蚀坑 膨胀系数 比热 热导率
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