若干弱光非线性光学效应及其应用 被引量：1

1

作者 唐柏权 许京军 +4 位作者 陈志刚 张国权 乔海军 孙骞 孔勇发 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第6期581-584,588,共5页

简要介绍了弱光非线性光学领域中一些研究方向的进展,如弱光非线性光子学材料中的缺陷结构、介观量子相干系统中光传播动力学和慢光非线性光学等,着重描述了近期在新型激子与紫外弱光非线性光学效应、位相耦合与光速调控以及非相干空间... 简要介绍了弱光非线性光学领域中一些研究方向的进展,如弱光非线性光子学材料中的缺陷结构、介观量子相干系统中光传播动力学和慢光非线性光学等,着重描述了近期在新型激子与紫外弱光非线性光学效应、位相耦合与光速调控以及非相干空间孤子阵列诱导光学晶格与光非线性传输行为等研究中得到的研究结果。弱光非线性光学将成为非线性光学应用领域中的一个重要分支。 展开更多

关键词 非线性光学 弱光 缺陷 光孤子 非相干

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宽吸收带MEH-PPV/PbS量子点复合材料的制备

2

作者 徐章程 宁海波 +1 位作者 张雅婷 何本桥 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期260-262,255,共4页

制备出粒径在3～8nm之间的宽吸收带聚合物MEH-PPV／PbS量子点复合材料。该材料在400～1100nm波长区域内表现出强吸收，能覆盖太阳光谱的大部分。准原位吸收光谱分析表明，MEH-PPV的加入不是获得宽吸收带纳米颗粒的主要因素。

关键词 MHE-PPV PBS 量子点 复合材料

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近红外波段InAs量子点结构与光学特性 被引量：3

3

作者 贾国治 姚江宏 +1 位作者 舒永春 王占国 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期104-108,共5页

采用分子束外延技术,分别在480,520℃的生长温度下,制备了淀积厚度2.7ML的InAs/GaAs量子点。用原子力显微镜对样品进行形貌测试和统计分布。结果表明,在相应的生长温度下,量子点密度分别为8.0×1010,5.0×109cm-2,提高生长温度... 采用分子束外延技术,分别在480,520℃的生长温度下,制备了淀积厚度2.7ML的InAs/GaAs量子点。用原子力显微镜对样品进行形貌测试和统计分布。结果表明,在相应的生长温度下,量子点密度分别为8.0×1010,5.0×109cm-2,提高生长温度有利于获得大尺寸的量子点,并且量子点按高度呈双模分布。结合光致发光谱的分析,在480℃的生长条件下,最近邻量子点之间的合并导致了量子点尺寸的双模分布;而在525℃的生长温度下,In偏析和InAs解析是形成双模分布的主要原因。 展开更多

关键词 量子点 分子束外延 光致发光 原子力显微镜

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固态源MBE系统生长高质量的调制掺杂GaAs结构材料和InP/InP外延材料的兼容性研究(英文) 被引量：1

4

作者 张冠杰 舒永春 +5 位作者 皮彪 邢小东 林耀望 姚江宏 王占国 许京军 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期395-398,共4页

通过固态源的分子束外延系统生长了调制掺杂AlGaAs/GaAs结构材料和InP/InP外延材料。在生长含磷材料之后,生长条件(真空状态)变差;我们通过采取合理的工艺方法和生长工艺条件的优化,获得了电子迁移率为1.86×105cm2/Vs(77K)调制掺杂... 通过固态源的分子束外延系统生长了调制掺杂AlGaAs/GaAs结构材料和InP/InP外延材料。在生长含磷材料之后,生长条件(真空状态)变差;我们通过采取合理的工艺方法和生长工艺条件的优化,获得了电子迁移率为1.86×105cm2/Vs(77K)调制掺杂AlGaAs/GaAs结构材料和电子迁移率为2.09×105cm2/Vs(77K)δSi掺杂AlGaAs/GaAs结构材料。InP/InP材料的电子迁移率为4.57×104cm2/Vs(77K),该数值是目前国际报道最高迁移率值和最低的电子浓度的InP外延材料。成功地实现了在一个固态源分子束外延设备交替生长高质量的调制掺杂AlGaAs/GaAs结构材料和含磷材料。 展开更多

关键词 兼容性 调制掺杂G&As InP/InP外延材料 高电子迁移率 分子束外延 固体磷源

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固态源分子束外延法生长InGaP/GaAs异质结构的热力学分析(英文)

5

作者 曹雪 舒永春 +4 位作者 叶志成 皮彪 姚江宏 邢晓东 许京军 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期1406-1411,共6页

本文建立了采用分子束外延法制备InGaP/GaAs异质结构的热力学模型,其中考虑了两个重要的因素,由晶格失配引起的内在应力和InP的脱附。所得到的模型与现有实验结果匹配较好。该模型的实验结果表明在InGaP的生长过程中,生长温度,In/Ga束... 本文建立了采用分子束外延法制备InGaP/GaAs异质结构的热力学模型,其中考虑了两个重要的因素,由晶格失配引起的内在应力和InP的脱附。所得到的模型与现有实验结果匹配较好。该模型的实验结果表明在InGaP的生长过程中,生长温度,In/Ga束流比及合金组分之间的相互关系,同时也与实验数据相吻合。该模型对于其他气相沉积生长方式也具有一定的适用性。 展开更多

关键词 热力学 固态源分子束外延 INGAP GAAS 异质结构

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半导体可饱和吸收镜实现超短高功率脉冲激光研究进展 被引量：8

6

作者 舒强 舒永春 +4 位作者 刘如彬 陈琳 姚江宏 许京军 王占国 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2007年第3期197-199,210,共4页

介绍了半导体可饱和吸收镜(SESAM)的基本结构及使用半导体可饱和吸收镜被动锁模固态激光器的基本原理。综述了利用半导体可饱和吸收镜被动锁模薄片式固态激光器及光泵浦垂直外腔面发射半导体激光器,获得高平均输出功率超短脉冲的最新进... 介绍了半导体可饱和吸收镜(SESAM)的基本结构及使用半导体可饱和吸收镜被动锁模固态激光器的基本原理。综述了利用半导体可饱和吸收镜被动锁模薄片式固态激光器及光泵浦垂直外腔面发射半导体激光器,获得高平均输出功率超短脉冲的最新进展,并指出量子点半导体可饱和吸收镜的使用将加速超短高功率脉冲的发展。 展开更多

关键词 激光技术 半导体可饱和吸收镜 被动锁模 薄片式固态激光器 光泵浦垂直外腔面发射半导体激光器

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光抽运垂直外腔面发射激光器特性与研究进展 被引量：4

7

作者 张冠杰 舒永春 +5 位作者 刘如彬 舒强 林耀望 姚江宏 王占国 许京军 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期351-354,共4页

介绍了光抽运半导体垂直外腔面发射激光器的结构特点、设计原理及其性能优势,综合评述该领域的最新研究进展,并探讨该类型激光器的发展前景和技术发展方向。

关键词 光电子学 垂直外腔面发射激光器 光抽运 分布布喇格反射镜 超短脉冲

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基于正交信号校正和iPLS的烃源岩红外漫反射光谱定量分析 被引量：3

8

作者 宋宁 徐晓轩 +1 位作者 王斌 张存洲 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期378-381,共4页

红外漫反射光谱技术越来越普遍地被应用到粉末样品的快速测量分析中,在应用红外漫反射光谱技术对粉末状的烃源岩样品的生烃潜量进行定量分析时,由于样品的颗粒度、密度、表面粗糙程度等几何参数的变化对散射光的影响非常大,使得漫反射... 红外漫反射光谱技术越来越普遍地被应用到粉末样品的快速测量分析中,在应用红外漫反射光谱技术对粉末状的烃源岩样品的生烃潜量进行定量分析时,由于样品的颗粒度、密度、表面粗糙程度等几何参数的变化对散射光的影响非常大,使得漫反射光谱数据的信噪比很低、背景干扰很大,这样很难对样品进行定量分析。因此需要一种有效的方法对漫反射数据进行预处理来消除散射的影响,提高信噪比。文章利用正交信号校正算法(OSC)作为一种光谱过滤手段,并与间隔偏最小二乘(iPLS)相结合,有效地消除了粉末状样品散射光的影响,可以显著提高烃源岩红外光谱预测模型的准确性,使得红外漫反射光谱技术在石油录井中有了广阔的应用前景。 展开更多

关键词 烃源岩 生烃潜量 漫反射 正交信号校正 间隔偏最小二乘

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低阈值温度调谐PPMgLN红外光参量振荡 被引量：2

9

作者 姚江宏 刘志伟 +4 位作者 薛亮平 颜博霞 贾国治 许京军 张光寅 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期18-22,共5页

研究了温度调谐下周期极化镁掺杂铌酸锂晶体的红外光参量振荡特性。采用外电场短脉冲极化技术，在大小为7．0mm×50．0mm×1．0mm的Z切高镁掺杂（摩尔分数0．05）铌酸锂上制备出了准相位匹配光学微结构器件，极化周期为30．0μ... 研究了温度调谐下周期极化镁掺杂铌酸锂晶体的红外光参量振荡特性。采用外电场短脉冲极化技术，在大小为7．0mm×50．0mm×1．0mm的Z切高镁掺杂（摩尔分数0．05）铌酸锂上制备出了准相位匹配光学微结构器件，极化周期为30．0μm。以输出波长为1064nm的声光调QNd：YAG固体激光器作为基频泵浦光开展了光参量振荡研究。实验表明：泵浦该PPMgLN晶体，实现了室温下低阈值红外光参量振荡产生，阈值功率仅为45mW（重复频率1kHz）。在泵浦输入功率为225mw时，有36mW信号光输出，转换效率达到16．0％，通过调谐晶体温度（20—180℃），获得了调谐范围为1503—1550nm波段的OPO信号光，实现了低阈值可调谐红外光的稳定输出。 展开更多

关键词 非线性光学 光参量振荡 周期极化镁掺杂铌酸锂晶体 温度调谐 准相位匹配

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AlAs/GaAs分布布拉格反射镜(DBR)的反射谱拟合与优化生长 被引量：2

10

作者 张冠杰 舒永春 +6 位作者 皮彪 姚江宏 林耀望 舒强 刘如彬 王占国 许京军 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期977-981,共5页

对分布布拉格反射镜(DBR)的原理和特征进行了分析,使用传输矩阵方法计算了不同对数GaAs/A lAs反射镜的反射率曲线。利用分子束外延(MBE)设备生长了波长为920nm和980nm的半导体多层膜DBR反射镜,分析了实验测得的反射谱与理论拟合曲线之... 对分布布拉格反射镜(DBR)的原理和特征进行了分析,使用传输矩阵方法计算了不同对数GaAs/A lAs反射镜的反射率曲线。利用分子束外延(MBE)设备生长了波长为920nm和980nm的半导体多层膜DBR反射镜,分析了实验测得的反射谱与理论拟合曲线之间的差异及其产生原因,实现了材料的优化生长,获得了反射率大于99%、中心波长和带宽接近理论计算值的DBR材料。该DBR的反射谱拟合与优化生长研究可应用于VCSEL和VECSEL激光器。 展开更多

关键词 分布布拉格反射镜 理论计算 优化生长 高反射率

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产生超短脉冲的光泵浦垂直外腔面发射激光器的研究进展 被引量：2

11

作者 刘如彬 舒永春 +4 位作者 张冠杰 舒强 林耀望 姚江宏 王占国 《激光杂志》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期9-10,共2页

光泵浦半导体垂直外腔面发射激光器(OPS-VECSEL)在产生超短脉冲方面显示了优越的特性,在脉冲宽度、平均输出功率和脉冲重复频率等方面都得到了与传统超短脉冲激光器可比的结果,显示出巨大的发展潜力。本文综合分析了用于产生超短脉冲的O... 光泵浦半导体垂直外腔面发射激光器(OPS-VECSEL)在产生超短脉冲方面显示了优越的特性,在脉冲宽度、平均输出功率和脉冲重复频率等方面都得到了与传统超短脉冲激光器可比的结果,显示出巨大的发展潜力。本文综合分析了用于产生超短脉冲的OPS-VECSEL的基本原理和最新研究进展,并探讨了该领域的发展方向和应用前景。 展开更多

关键词 光泵浦 垂直外腔面发射邀光器 超短脉冲

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俄歇复合对应变量子阱激光器阂值电流的影响 被引量：1

12

作者 贾国治 姚江宏 +3 位作者 刘国梁 柏天国 刘如彬 邢晓东 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期105-109,共5页

通过考虑不同因素对压应变和张应变量子阱激光器阈值电流和特征温度的影响,得到了俄歇复合和非俄歇复合对阈值电流起主要作用的转变温度Tc,小于Tc时,主要是非俄歇复合;大于Tc时,主要是俄歇复合,而且张应变量子阱激光器转变温度要比压应... 通过考虑不同因素对压应变和张应变量子阱激光器阈值电流和特征温度的影响,得到了俄歇复合和非俄歇复合对阈值电流起主要作用的转变温度Tc,小于Tc时,主要是非俄歇复合;大于Tc时,主要是俄歇复合,而且张应变量子阱激光器转变温度要比压应变量子阱激光器的转变温度要高;张应变量子阱激光器与压应变量子阱激光器相比,阈值电流更低,特征温度更高． 展开更多

关键词 光电子学 俄歇复合 应变量子阱 阈值电流密度 特征温度

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光谱相似性制图(SSM)用于成像光谱图像处理的研究 被引量：1

13

作者 梁骏 徐晓轩 +2 位作者 周新勇 宋宁 张存洲 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期609-612,I0002,共5页

将光谱相似性制图(SSM)用于成像光谱图像的处理,通过对真假叶片以及混合在一起的藻类的成像光谱图像的SSM处理,证明了SSM方法在甄别光学伪装和藻类鉴别及计数两方面具有很高的有效性,从而证明了SSM方法用于处理成像光谱图像上的优越性... 将光谱相似性制图(SSM)用于成像光谱图像的处理,通过对真假叶片以及混合在一起的藻类的成像光谱图像的SSM处理,证明了SSM方法在甄别光学伪装和藻类鉴别及计数两方面具有很高的有效性,从而证明了SSM方法用于处理成像光谱图像上的优越性。同时,该方法还可用于其他方面成像光谱数据的处理,对扩展成像光谱的应用范围具有重要的意义。 展开更多

关键词 光谱相似性制图(SSM) 成像光谱 图像处理

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光致发光谱研究自组织InAs双模量子点态填充

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作者 贾国治 姚江宏 +4 位作者 张春玲 舒强 刘如彬 叶小玲 王占国 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第11期2178-2181,共4页

采用固态源分子束外延技术在GaAs(100)衬底上,制备了InAs量子点,对样品进行原子力显微镜测试,统计结果表明量子点尺寸呈双模分布。光致发光谱研究表明,在室温和77K下,小量子点的发光峰均占主导地位,原因可能是:(1)大量子点的态密度小于... 采用固态源分子束外延技术在GaAs(100)衬底上,制备了InAs量子点,对样品进行原子力显微镜测试,统计结果表明量子点尺寸呈双模分布。光致发光谱研究表明,在室温和77K下,小量子点的发光峰均占主导地位,原因可能是:(1)大量子点的态密度小于小量子点;(2)捕获载流子速率,大量子点小于小量子点;(3)大量子点与盖层存在较大的应变势垒和可能出现的位错和缺陷,导致温度变化引起载流子从小尺寸量子点转移到大尺寸的量子点中概率很小。 展开更多

关键词 光致发光谱 量子点 双模分布 态填充

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InP同质外延的不稳定生长:小丘的形成(英文)

15

作者 皮彪 孙甲明 +8 位作者 林耀望 姚江宏 邢晓东 蔡莹 舒强 贾国治 刘如彬 李丹 王占国 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期263-266,259,共5页

用原子力显微镜研究了在不同的条件下采用固态磷源分子束外延技术生长的InP同质外延薄膜的表面形貌。在样品的表面观察到不稳定三维岛状生长。其主要原因有两种,第一种是生长温度较低时,由于吸附原子受到附加的ES台阶边垒的阻碍作用,使... 用原子力显微镜研究了在不同的条件下采用固态磷源分子束外延技术生长的InP同质外延薄膜的表面形貌。在样品的表面观察到不稳定三维岛状生长。其主要原因有两种,第一种是生长温度较低时,由于吸附原子受到附加的ES台阶边垒的阻碍作用,使扩散运动不能向台阶下面运动,而在台阶上面形成小丘,第二种是生长温度较高或V/III较低时,因生长中缺磷造成In的堆积而产生。在合适的生长条件下,可获得了光滑的2D层状生长。 展开更多

关键词 固态源分子束外延 原子力显微镜 INP 表面形貌

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非对称双量子阱中载流子耦合的温度依赖性

16

作者 邓浩亮 贾国治 +1 位作者 姚江宏 徐章程 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期753-756,共4页

非对称双量子阱中载流子动力学过程的温度依赖性研究,对于实现室温下高效的量子阱光电器件有着非常重要的意义。随着温度的升高,量子阱中的载流子被热激发到势垒层中后,部分载流子会被量子阱再俘获,即在不同的量子阱之间发生了载流子的... 非对称双量子阱中载流子动力学过程的温度依赖性研究,对于实现室温下高效的量子阱光电器件有着非常重要的意义。随着温度的升高,量子阱中的载流子被热激发到势垒层中后,部分载流子会被量子阱再俘获,即在不同的量子阱之间发生了载流子的耦合。利用耦合多量子阱载流子动力学模型,模拟了非对称双量子阱中载流子耦合的温度依赖性。研究表明,在不同温度下,各量子阱的光致荧光强度比强烈地依赖于量子阱的激活能差。光致荧光强度比的最大值与激活能差成指数关系,而其所对应的温度与激活能差成线性关系。 展开更多

关键词 非对称双量子阱 光致荧光强度比 热逃逸 再俘获

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In_(0.2)Ga_(0.8)As/GaAs单量子阱PL谱温度特性及其机制 被引量：4

17

作者 魏国华 王斌 +3 位作者 李俊梅 曹学伟 张存洲 徐晓轩 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期619-623,共5页

测量了不同阱宽In0.2Ga0.8As/GaAs单量子阱的PL谱的峰值波长和荧光谱线半峰全宽随温度的变化。利用Varshni公式对实验峰值波长进行拟合,得到了新的参数。结果表明,无位错应变量子阱带隙仍具有其体材料的特性:荧光谱线半峰全宽随温度升... 测量了不同阱宽In0.2Ga0.8As/GaAs单量子阱的PL谱的峰值波长和荧光谱线半峰全宽随温度的变化。利用Varshni公式对实验峰值波长进行拟合,得到了新的参数。结果表明,无位错应变量子阱带隙仍具有其体材料的特性:荧光谱线半峰全宽随温度升高迅速展宽,这主要归因于声子关联作用增强和激子热离化为自由载流子所致;阱宽越窄荧光峰值能量越高,将其与量子尺寸效应的理论计算结果进行了比较。文中还考察了谱线半峰全宽和阱宽的关系,利用合金无序对这一现象进行了解释。 展开更多

关键词 In0.2Ga0.8As/GaAs 单量子阱 PL谱 温度 荧光峰半峰全宽

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基于近红外漫反射光谱的烃源岩生烃潜量的确定 被引量：5

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作者 张宇佳 徐晓轩 +5 位作者 宋宁 武中臣 周翔 陈锦 曹学伟 王斌 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第4期955-959,共5页

对比了近红外光谱和中红外光谱对烃源岩样品生烃潜量的定量分析能力。由于近红外光谱受样品的颗粒度、密度、表面粗糙度等造成的光散射的影响更大,使得其漫反射光谱数据的信噪比很低,背景干扰很大,很难直接应用于定量分析。因此需要一... 对比了近红外光谱和中红外光谱对烃源岩样品生烃潜量的定量分析能力。由于近红外光谱受样品的颗粒度、密度、表面粗糙度等造成的光散射的影响更大,使得其漫反射光谱数据的信噪比很低,背景干扰很大,很难直接应用于定量分析。因此需要一种有效的方法对近红外漫反射数据进行预处理来消除散射的影响。本文对比了正交信号校正算法(OSC)及其两种改进算法(DOSC和WMDOSC)对原始光谱进行预处理,并结合间隔偏最小二乘(iPLS)建模的结果,发现用WMDOSC作为预处理方法时,近红外光谱所建模型能够达到与中红外一致的准确性,使得近红外漫反射光谱技术在石油录井中有了广阔的应用前景。 展开更多

关键词 烃源岩 生烃潜力 漫反射 近红外

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四价掺杂铌酸锂晶体抗光折变性能研究 被引量：4

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作者 李树奇 刘士国 +7 位作者 孔勇发 阎文博 刘宏德 邓东灵 高光宇 李彦波 高宏臣 许京军 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期474-477,共4页

我们在同成份铌酸锂晶体中掺入四价离子铪,生长了掺杂浓度分别为2、4、6mol%的掺铪铌酸锂系列晶体。掺铪浓度达到4mol%时,晶体的抗光损伤能力为5×105W/cm2,比同成份纯铌酸锂晶体提高了4个数量级。应用全息法测得掺4、6mol%铪的铌... 我们在同成份铌酸锂晶体中掺入四价离子铪,生长了掺杂浓度分别为2、4、6mol%的掺铪铌酸锂系列晶体。掺铪浓度达到4mol%时,晶体的抗光损伤能力为5×105W/cm2,比同成份纯铌酸锂晶体提高了4个数量级。应用全息法测得掺4、6mol%铪的铌酸锂晶体最大折射率变化为8.7×10-6,与高掺镁(6.5mol%)铌酸锂晶体的类似。晶体的红外吸收谱和紫外-可见光吸收谱也显示,掺杂浓度为4mol%时具有明显的阈值特征。由此可以确定铪离子在铌酸锂晶体中的阈值浓度约为4mol%。 展开更多

关键词 掺铪铌酸锂晶体 抗光折变 阈值 吸收光谱

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量子点阵列光致荧光谱温度依赖性研究 被引量：1

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作者 刘国梁 姚江宏 +1 位作者 许京军 王占国 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期100-104,共5页

多模量子点阵列的光致荧光(PL)光谱的温度依赖性研究对于实现高效的量子点光电器件有着非常重要的意义．利用速率方程模型模拟不同密度量子点阵列中的载流子动力学过程。研究表明,高密度量子点阵列中不同尺寸量子点族的PL强度表现不同... 多模量子点阵列的光致荧光(PL)光谱的温度依赖性研究对于实现高效的量子点光电器件有着非常重要的意义．利用速率方程模型模拟不同密度量子点阵列中的载流子动力学过程。研究表明,高密度量子点阵列中不同尺寸量子点族的PL强度表现不同的温度依赖关系;而低密度量子点阵列不同点族PL强度均随温度衰减．高密度量子点阵列中,载流子被热激发到浸润层后,部分地被大量子点再俘获,即在量子点族间转移;低密度量子点阵列中不同量子点族间的载流子转移受到限制．不同量子点族光致荧光强度比的最大值强烈地依赖于量子点的激活能差． 展开更多

关键词 光电子学 光致荧光 速率方程 多模量子点阵列 热激发

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