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溅射气压对直流电源磁控溅射制备掺铝氧化锌薄膜性能的影响
被引量：
6
1
作者
李林娜
陈新亮
+2 位作者
孙建
耿新华
赵颖
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第B06期118-122,共5页
以ZnO∶Al2O3(2wt%)陶瓷为溅射靶材,采用直流磁控溅射的方法,在普通玻璃衬底上制备ZnO∶Al(AZO)薄膜,研究了溅射气压对AZO薄膜的结构特性、表面形貌及其光电性的影响。XRD和SEM测试表明所有样品均为多晶六角纤锌矿结构,薄膜呈(002)晶面...
以ZnO∶Al2O3(2wt%)陶瓷为溅射靶材,采用直流磁控溅射的方法,在普通玻璃衬底上制备ZnO∶Al(AZO)薄膜,研究了溅射气压对AZO薄膜的结构特性、表面形貌及其光电性的影响。XRD和SEM测试表明所有样品均为多晶六角纤锌矿结构,薄膜呈(002)晶面择优生长。用体积百分比为0.5%稀盐酸对制备的AZO薄膜进行腐蚀制绒,腐蚀后其表面形貌随溅射气压的不同而改变。在适当溅射气压下(～1.5m Torr)制备的薄膜,通过溅射后腐蚀工艺,可获得表面形貌具有特征陷光结构的AZO薄膜,其表面呈现"弹坑"状,薄膜的绒度随表面形貌的不同而变化。同时通过优化制备工艺,所有溅射气压下制备的AZO薄膜在可见光及近红外范围的平均透过率大于80%,电阻率低于8.5×10-4Ω·cm,可以满足硅基薄膜太阳电池对透明前电极光电性能的要求。
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关键词
磁控溅射
氧化锌薄膜
溅射气压
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职称材料
高速微晶硅薄膜沉积功率利用效率的测量与优化
2
作者
许盛之
张晓丹
+1 位作者
任慧志
赵颖
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第6期615-618,共4页
为了实现低成本微晶硅薄膜的高速沉积,需要尽可能的优化工艺参数,特别是提高功率利用效率对于降低生产成本,以及提高工艺稳定性都具有重要的意义。文中对射频等离子体增强化学气相沉积系统的各部分功率消耗进行了测量与分析,发现实际用...
为了实现低成本微晶硅薄膜的高速沉积,需要尽可能的优化工艺参数,特别是提高功率利用效率对于降低生产成本,以及提高工艺稳定性都具有重要的意义。文中对射频等离子体增强化学气相沉积系统的各部分功率消耗进行了测量与分析,发现实际用于辉光放电的功率利用率仅为10%以下;腔室的寄生电阻自身消耗功率占30%左右,且寄生电抗分布情况对匹配器的功率消耗影响较大。通过对系统硬件的改造,降低了寄生电抗的影响,显著地提高了功率耦合效率,在高反应气压条件下的功率利用率达到60%以上。
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关键词
微晶硅
低成本
高速沉积
功率利用率
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职称材料
题名
溅射气压对直流电源磁控溅射制备掺铝氧化锌薄膜性能的影响
被引量：
6
1
作者
李林娜
陈新亮
孙建
耿新华
赵颖
机构
南开大学
光电子
薄膜
器件与
技术
研究所
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第B06期118-122,共5页
基金
天津市科技攻关项目(No.06YFGZGX02100)
国家重点基础研究发展计划(973)项目(No.2006CB202602,2006CB202603)
天津市应用基础及前沿技术研究计划(No.09JCYBJC06900)
文摘
以ZnO∶Al2O3(2wt%)陶瓷为溅射靶材,采用直流磁控溅射的方法,在普通玻璃衬底上制备ZnO∶Al(AZO)薄膜,研究了溅射气压对AZO薄膜的结构特性、表面形貌及其光电性的影响。XRD和SEM测试表明所有样品均为多晶六角纤锌矿结构,薄膜呈(002)晶面择优生长。用体积百分比为0.5%稀盐酸对制备的AZO薄膜进行腐蚀制绒,腐蚀后其表面形貌随溅射气压的不同而改变。在适当溅射气压下(～1.5m Torr)制备的薄膜,通过溅射后腐蚀工艺,可获得表面形貌具有特征陷光结构的AZO薄膜,其表面呈现"弹坑"状,薄膜的绒度随表面形貌的不同而变化。同时通过优化制备工艺,所有溅射气压下制备的AZO薄膜在可见光及近红外范围的平均透过率大于80%,电阻率低于8.5×10-4Ω·cm,可以满足硅基薄膜太阳电池对透明前电极光电性能的要求。
关键词
磁控溅射
氧化锌薄膜
溅射气压
Keywords
zinc oxide films
sputtering pressure
magnetron sputtering
分类号
O484 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
高速微晶硅薄膜沉积功率利用效率的测量与优化
2
作者
许盛之
张晓丹
任慧志
赵颖
机构
南开大学光电子薄膜器件与技术研究所南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室
出处
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第6期615-618,共4页
文摘
为了实现低成本微晶硅薄膜的高速沉积,需要尽可能的优化工艺参数,特别是提高功率利用效率对于降低生产成本,以及提高工艺稳定性都具有重要的意义。文中对射频等离子体增强化学气相沉积系统的各部分功率消耗进行了测量与分析,发现实际用于辉光放电的功率利用率仅为10%以下;腔室的寄生电阻自身消耗功率占30%左右,且寄生电抗分布情况对匹配器的功率消耗影响较大。通过对系统硬件的改造,降低了寄生电抗的影响,显著地提高了功率耦合效率,在高反应气压条件下的功率利用率达到60%以上。
关键词
微晶硅
低成本
高速沉积
功率利用率
Keywords
Microcrystalline silicon, Low cost, High rate deposition, Power utilization
分类号
O461.21 [理学—电子物理学]
O539 [理学—等离子体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
溅射气压对直流电源磁控溅射制备掺铝氧化锌薄膜性能的影响
李林娜
陈新亮
孙建
耿新华
赵颖
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010
6
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职称材料
2
高速微晶硅薄膜沉积功率利用效率的测量与优化
许盛之
张晓丹
任慧志
赵颖
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013
0
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职称材料
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