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衬底温度对中频磁控溅射ZnO∶Al透明导电薄膜性能的影响 被引量：1
1
作者 黄宇 熊强 +4 位作者 薛俊明 马铁华 孙建 赵颖 耿新华 《兵工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期891-894,共4页
ZnO：Al（ZAO）薄膜的光学、电学以及结构特性与衬底温度有关，以掺杂质量2％Al的Zn（纯度99．99％）金属材料做靶，采用中频磁控溅射技术研究衬底温度对ZnO透明导电薄膜性能的影响，获得适合太阳电池的高效能薄膜，薄膜厚度700nm左右... ZnO：Al（ZAO）薄膜的光学、电学以及结构特性与衬底温度有关，以掺杂质量2％Al的Zn（纯度99．99％）金属材料做靶，采用中频磁控溅射技术研究衬底温度对ZnO透明导电薄膜性能的影响，获得适合太阳电池的高效能薄膜，薄膜厚度700nm左右，其电阻率为4．6×10^-4Ω·cm，载流子浓度1．98×10^20cm^-3，霍尔迁移率61．9cm^2／（V·s），可见光范围内（波长400～800nm）的平均透过率大于85％． 展开更多
关键词 凝聚态物理学 中频磁控溅射 ZnO:Al(ZAO)薄膜 衬底温度 载流子浓度 霍尔迁移率
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氢气、氢气/硅烷等离子体时间分辨光发射谱的研究 被引量：1
2
作者 张发荣 张晓丹 +1 位作者 AMANATIDES E 赵颖 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第4期528-534,共7页
为了加深对等离子体增强化学气相沉积的认识,采用增强型电荷耦合器件(ICCD)研究了氢气及氢气/硅烷混合气体在不同气压条件下的时间分辨光发射谱,获得了辉光放电等离子体瞬态微观动力学过程的清晰图像。纯氢气辉光条件下,在一个射频周期... 为了加深对等离子体增强化学气相沉积的认识,采用增强型电荷耦合器件(ICCD)研究了氢气及氢气/硅烷混合气体在不同气压条件下的时间分辨光发射谱,获得了辉光放电等离子体瞬态微观动力学过程的清晰图像。纯氢气辉光条件下,在一个射频周期内,Hβ时间分辨光发射谱出现了4个峰。分析表明其中两个峰是由电子冲浪效应引起,额外两个峰的出现是由瞬时阳极时刻存在额外电场所致。另外,可观察到随着气压的增大,体欧姆加热效应增强。同氢气相比,当硅烷引入后,Hβ时间分辨光发射谱由原来4个明显发射峰变成了两个明显发射峰。 展开更多
关键词 等离子体 光发射谱 微观动力学
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非晶孵化层对高速生长微晶硅电池性能的影响 被引量：1
3
作者 韩晓艳 张晓丹 +8 位作者 侯国付 郭群超 袁育杰 董培 魏长春 孙建 薛俊明 赵颖 耿新华 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第8期915-919,共5页
采用高压高功率的甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,以不同的反应气体总流量制备出沉积速率大于1nm/s、次带吸收系数(α_(0.8eV))小于2.5cm^(-1)且具有相同晶化率的本征微晶硅薄膜,然而将其应用在微晶硅电池中时,电池性... 采用高压高功率的甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,以不同的反应气体总流量制备出沉积速率大于1nm/s、次带吸收系数(α_(0.8eV))小于2.5cm^(-1)且具有相同晶化率的本征微晶硅薄膜,然而将其应用在微晶硅电池中时,电池性能却有明显差异。通过对微晶硅电池的光、暗态J-V,量子效率(QE)和微区拉曼(Raman)测试发现,微晶硅薄膜中非晶孵化层厚度的不同是引起电池性能差异的主要原因。反应气体总流量较低时沉积的微晶硅薄膜具有较厚的非晶孵化层,阻碍了载流子的输运,使电池的长波光谱响应下降,从而降低了电池的短路电流密度与填充因子;而增加总气体流量,有效减小了微晶硅薄膜中的非晶孵化层的厚度。从而使电池性能得到改善。最后在总气体流量为500sccm时,制备得到沉积速率为1nm/s,效率为7.3%的单结微晶硅太阳电池。 展开更多
关键词 高速沉积 非晶孵化层 微晶硅太阳电池
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