薄膜太阳电池用TCO薄膜制造技术及其特性研究 被引量：5

1

作者 陈新亮 王斐 +6 位作者 闫聪博 李林娜 林泉 倪牮 张晓丹 耿新华 赵颖 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第18期73-77,共5页

阐述了玻璃衬底、柔性衬底透明导电氧化物薄膜(Transparent conductive oxides-TCO)以及硅基薄膜太阳电池应用方面的最新研究成果。绒面结构可以提高薄膜太阳电池效率和稳定性并降低生产成本。磁控溅射技术和LP-MOCVD技术是制造绒面结构... 阐述了玻璃衬底、柔性衬底透明导电氧化物薄膜(Transparent conductive oxides-TCO)以及硅基薄膜太阳电池应用方面的最新研究成果。绒面结构可以提高薄膜太阳电池效率和稳定性并降低生产成本。磁控溅射技术和LP-MOCVD技术是制造绒面结构ZnO-TCO薄膜(例如"弹坑"状和"类金字塔"状表面)的主流生长技术;高迁移率TCO薄膜(IMO、IWO、ZnO∶Ga等)以及柔性衬底TCO薄膜是研究开发的重点。 展开更多

关键词 镀膜技术 TCO薄膜 绒面结构 高迁移率 缓冲层 梯度掺杂 薄膜太阳电池

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磁控溅射技术室温生长氢化ZnO：Ga薄膜及其特性研究 被引量：1

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作者 王斐 陈新亮 +6 位作者 张翅 张德坤 魏长春 黄茜 张晓丹 赵颖 耿新华 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期1404-1409,共6页

采用直流脉冲磁控溅射方法,在室温下生长氢化Ga掺杂ZnO薄膜(GZO/H),并通过湿法后腐蚀技术获得绒面结构。研究了室温下H2流量对薄膜结构、光电性能及表面形貌的影响。实验表明,氢化GZO(GZO/H)薄膜具有良好的(002)晶面择优取向生长,引入... 采用直流脉冲磁控溅射方法,在室温下生长氢化Ga掺杂ZnO薄膜(GZO/H),并通过湿法后腐蚀技术获得绒面结构。研究了室温下H2流量对薄膜结构、光电性能及表面形貌的影响。实验表明,氢化GZO(GZO/H)薄膜具有良好的(002)晶面择优取向生长,引入适当流量的H2可以有效提高薄膜的电学特性,GZO/H薄膜具有更低的电阻率以及较高的迁移率和载流子浓度。当通入H2流量为6 sccm时,薄膜电阻率为6.8×10-4Ω.cm,Hall迁移率达34.2 cm2/V.s,制备的GZO/H薄膜可见光区域平均透过率优于85%。此外,研究了H2流量对湿法腐蚀后绒面GZO/H薄膜表面形貌的影响,提出了一种薄膜绒面结构形成过程模型。 展开更多

关键词 脉冲磁控溅射 氧化锌 镓掺杂 H2流量 绒面结构

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SiO2阻挡层对电子束沉积法生长高迁移率IWO薄膜性能的影响 被引量：2

3

作者 任世荣 陈新亮 +4 位作者 张存善 孙建 张晓丹 耿新华 赵颖 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第4期843-847,共5页

利用电子束沉积技术在玻璃衬底上制备了IWO(In2O3∶WO3)薄膜和SiO2缓冲层,并将SiO2缓冲层对IWO薄膜性能的影响作了探究。SiO2缓冲层在室温生长。SIMS测试表明:SiO2缓冲层能有效阻挡浮法玻璃中的杂质进入到IWO薄膜。实验获得的具有SiO2... 利用电子束沉积技术在玻璃衬底上制备了IWO(In2O3∶WO3)薄膜和SiO2缓冲层,并将SiO2缓冲层对IWO薄膜性能的影响作了探究。SiO2缓冲层在室温生长。SIMS测试表明:SiO2缓冲层能有效阻挡浮法玻璃中的杂质进入到IWO薄膜。实验获得的具有SiO2阻挡层的IWO薄膜的电子迁移率μ～54.5 cm.2V-.1s-1,电阻率ρ～5.86×10-4Ω.cm,电子载流子浓度n～1.95×1020 cm-3,400～1600 nm光谱区域内的平均透过率～76%。 展开更多

关键词 电子束沉积技术 SiO2阻挡层 IWO薄膜 高迁移率

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纯化器对VHF-PECVD制备的不同结构硅薄膜特性的影响 被引量：5

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作者 张晓丹 赵颖 +9 位作者 朱锋 魏长春 高艳涛 孙建 侯国付 薛俊明 张德坤 任慧志 耿新华 熊绍珍 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期892-897,共6页

本文采用VHF PECVD技术制备了不同结构的硅薄膜 ,分析研究了有、无纯化器对制备薄膜特性的影响。电学特性和结构特性测试结果表明 :在 10W的功率条件下 ,使用纯化器时制备的薄膜是光敏性满足非晶硅电池要求的材料 ,而在不使用纯化器时... 本文采用VHF PECVD技术制备了不同结构的硅薄膜 ,分析研究了有、无纯化器对制备薄膜特性的影响。电学特性和结构特性测试结果表明 :在 10W的功率条件下 ,使用纯化器时制备的薄膜是光敏性满足非晶硅电池要求的材料 ,而在不使用纯化器时制备的材料是适用于太阳能电池有源层的纳米硅材料 ;在 30W时 ,不使用纯化器制备薄膜的晶化明显增大 ,光敏性也相应的降低 ,5 0W的条件表现出相类似的结果 ,初步分析是氧引起的差别 ;激活能的测试结果也表明 ,使用纯化器会降低材料中的氧含量 ,即表现激活能相对大 ;另外 ,沉积速率的测试结果也给出 展开更多

关键词 纯化器 制备 光敏性 降低 硅薄膜 晶化 氧含量 VHF-PECVD 有源层 纳米硅

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微晶硅薄膜纵向不均匀性的Raman光谱和AFM研究 被引量：5

5

作者 张晓丹 赵颖 +7 位作者 朱锋 魏长春 吴春亚 高艳涛 孙建 侯国付 耿新华 熊绍珍 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期960-964,共5页

本文研究了采用VHF PECVD技术制备的微晶硅薄膜的纵向均匀性。喇曼测试结果显示 :微晶硅薄膜存在着生长方向的结构不均匀 ,随厚度的增加 ,材料的晶化率逐渐变大 ;不同衬底其非晶孵化点是不一样的 ,对于同一种衬底 ,绒度大相应的晶化率就... 本文研究了采用VHF PECVD技术制备的微晶硅薄膜的纵向均匀性。喇曼测试结果显示 :微晶硅薄膜存在着生长方向的结构不均匀 ,随厚度的增加 ,材料的晶化率逐渐变大 ;不同衬底其非晶孵化点是不一样的 ,对于同一种衬底 ,绒度大相应的晶化率就大 ,对应着孵化层的厚度小 ;AFM测试结果明显的给出 展开更多

关键词 衬底 微晶硅薄膜 VHF-PECVD AFM 厚度 不均匀性 显示 RAMAN光谱 晶化 测试结果

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薄膜非晶/微晶叠层电池中NP隧穿结的影响 被引量：9

6

作者 朱锋 赵颖 +7 位作者 魏长春 任慧智 薛俊明 张晓丹 高艳涛 张德坤 孙建 耿新华 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期81-84,共4页

本文论述了薄膜非晶/微晶叠层电池中NP隧穿结对电池性能的影响。在薄膜叠层电池中非晶顶电池的N层采用微晶硅,减小了电池的内部串联电阻影响。通过调整非晶硅顶电池N层和微晶硅底电池P层的厚度,降低NP隧穿结的影响,获得薄膜叠层电池效率... 本文论述了薄膜非晶/微晶叠层电池中NP隧穿结对电池性能的影响。在薄膜叠层电池中非晶顶电池的N层采用微晶硅,减小了电池的内部串联电阻影响。通过调整非晶硅顶电池N层和微晶硅底电池P层的厚度,降低NP隧穿结的影响,获得薄膜叠层电池效率11.73%(Voc=1.34V,Jsc=14.53mA/cm2,FF=60.27%),电池面积为0.253 cm2。 展开更多

关键词 非晶/微晶叠层电池 微晶硅 N/P隧穿结

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P型ZnO薄膜的制备及其在太阳电池中的初步应用 被引量：6

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作者 焦宝臣 张晓丹 +3 位作者 赵颖 孙建 魏长春 杨瑞霞 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期602-605,共4页

利用超声雾化热分解技术(USP)、通过N-Al共掺的方法,在corning 7059衬底上生长出p型透明导电膜。该薄膜在可见光范围内的透过率可达到90%以上。X射线衍射的测试结果表明:p型透明导电膜具有c轴择优生长特性。通过霍耳测试得到p型ZnO薄膜... 利用超声雾化热分解技术(USP)、通过N-Al共掺的方法,在corning 7059衬底上生长出p型透明导电膜。该薄膜在可见光范围内的透过率可达到90%以上。X射线衍射的测试结果表明:p型透明导电膜具有c轴择优生长特性。通过霍耳测试得到p型ZnO薄膜的电学特性为:电阻率为4.21Ω.cm、迁移率是0.22cm2/(V.s)、载流子浓度为6.68×1018cm-3。此材料初步应用到微晶硅电池中,其开路电压为0.47V。 展开更多

关键词 ZNO薄膜 P型 透明导电薄膜 太阳电池

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ZnO-TCO薄膜及其在太阳电池中的应用 被引量：6

8

作者 陈新亮 薛俊明 +1 位作者 赵颖 耿新华 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期22-25,共4页

概括地阐述了ZnO透明导电薄膜(ZnO-TCO)的特性及其在薄膜太阳电池中的应用,介绍了ZnO薄膜在薄膜太阳电池中的应用背景,阐明了它在其中的作用及ZnO-TCO薄膜的主流生长方法,并给出了近年来ZnO-_ TCO薄膜的主要研究结果,最后展望了其应用... 概括地阐述了ZnO透明导电薄膜(ZnO-TCO)的特性及其在薄膜太阳电池中的应用,介绍了ZnO薄膜在薄膜太阳电池中的应用背景,阐明了它在其中的作用及ZnO-TCO薄膜的主流生长方法,并给出了近年来ZnO-_ TCO薄膜的主要研究结果,最后展望了其应用和发展趋势。 展开更多

关键词 ZNO薄膜 透明导电氧化物 陷光作用 太阳电池

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溅射气压对直流电源磁控溅射制备掺铝氧化锌薄膜性能的影响 被引量：6

9

作者 李林娜 陈新亮 +2 位作者 孙建 耿新华 赵颖 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第B06期118-122,共5页

以ZnO∶Al2O3(2wt%)陶瓷为溅射靶材,采用直流磁控溅射的方法,在普通玻璃衬底上制备ZnO∶Al(AZO)薄膜,研究了溅射气压对AZO薄膜的结构特性、表面形貌及其光电性的影响。XRD和SEM测试表明所有样品均为多晶六角纤锌矿结构,薄膜呈(002)晶面... 以ZnO∶Al2O3(2wt%)陶瓷为溅射靶材,采用直流磁控溅射的方法,在普通玻璃衬底上制备ZnO∶Al(AZO)薄膜,研究了溅射气压对AZO薄膜的结构特性、表面形貌及其光电性的影响。XRD和SEM测试表明所有样品均为多晶六角纤锌矿结构,薄膜呈(002)晶面择优生长。用体积百分比为0.5%稀盐酸对制备的AZO薄膜进行腐蚀制绒,腐蚀后其表面形貌随溅射气压的不同而改变。在适当溅射气压下(～1.5m Torr)制备的薄膜,通过溅射后腐蚀工艺,可获得表面形貌具有特征陷光结构的AZO薄膜,其表面呈现"弹坑"状,薄膜的绒度随表面形貌的不同而变化。同时通过优化制备工艺,所有溅射气压下制备的AZO薄膜在可见光及近红外范围的平均透过率大于80%,电阻率低于8.5×10-4Ω·cm,可以满足硅基薄膜太阳电池对透明前电极光电性能的要求。 展开更多

关键词 磁控溅射 氧化锌薄膜 溅射气压

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直流磁控溅射法制备单一相高质量β-FeSi_2薄膜 被引量：4

10

作者 侯国付 郁操 +1 位作者 赵颖 耿新华 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第7期861-865,共5页

报道了在单晶Si(100)衬底上,采用室温直流磁控溅射Fe-Si组合靶的方法,并经过后续气氛退火来制备β-FeSi_2薄膜的结果。主要研究了退火时间、退火温度等实验条件对样品结构特性、光学特性和电学特性的影响,制备出了单一相高质量的β-FeS... 报道了在单晶Si(100)衬底上,采用室温直流磁控溅射Fe-Si组合靶的方法,并经过后续气氛退火来制备β-FeSi_2薄膜的结果。主要研究了退火时间、退火温度等实验条件对样品结构特性、光学特性和电学特性的影响,制备出了单一相高质量的β-FeSi_2薄膜。霍尔测试表明未掺杂薄膜是P型导电的,载流子浓度5.747×10^(16)cm^(-3),空穴迁移率168cm^2/Vs。由反射-透射法得到薄膜的禁带宽度为0.879eV,吸收系数在光子能量为1.0eV时达到了1.42×10~5cm^(-1)。基于以上优异的光电性能,β-FeSi_2薄膜可望用作太阳电池的有源层。 展开更多

关键词 β-FeSi2薄膜 直流磁控溅射 Fe—Si组合靶 太阳电池

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B掺杂对平面结构MOCVD-ZnO薄膜性能的影响(英文) 被引量：3

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作者 陈新亮 薛俊明 +3 位作者 张德坤 孙建 赵颖 耿新华 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期997-1002,共6页

本文研究了B2H6掺杂流量（B掺杂）对平面结构MOCVD—ZnO薄膜的微观结构和光电性能影响。XRD、SEM和AFM测试的研究结果表明，玻璃衬底上制备的ZnO薄膜具有（002）峰择优取向的平面结构，B掺杂使薄膜的球状晶粒尺寸变小，10sccm流量时晶... 本文研究了B2H6掺杂流量（B掺杂）对平面结构MOCVD—ZnO薄膜的微观结构和光电性能影响。XRD、SEM和AFM测试的研究结果表明，玻璃衬底上制备的ZnO薄膜具有（002）峰择优取向的平面结构，B掺杂使薄膜的球状晶粒尺寸变小，10sccm流量时晶粒尺寸为-15nm。ZnO：B薄膜的最小电阻率为5．7× 10^-3 Ω · cm。生长的ZnO薄膜（厚度d=1150nm）在400-900nm范围的透过率为82％-97％，且随着BzH6掺杂流量增大，光学吸收边呈现蓝移（即光学带隙t展宽）现象。 展开更多

关键词 MOCVD ZNO薄膜 B掺杂 太阳电池

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绒面结构ZnO薄膜及其表面处理 被引量：2

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作者 陈新亮 薛俊明 +4 位作者 张德坤 蔡宁 张晓丹 赵颖 耿新华 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期631-633,共3页

本文制备出(110)峰取向的绒面结构MOCVD-ZnO:B薄膜并提出CH3COOH湿法刻蚀的表面处理技术。研究表明,绒面结构ZnO:B薄膜具有"类金字塔"晶粒形状;处理前后ZnO:B薄膜的微观结构,方块电阻和光学性能变化不大。适当的表面处理有助... 本文制备出(110)峰取向的绒面结构MOCVD-ZnO:B薄膜并提出CH3COOH湿法刻蚀的表面处理技术。研究表明,绒面结构ZnO:B薄膜具有"类金字塔"晶粒形状;处理前后ZnO:B薄膜的微观结构,方块电阻和光学性能变化不大。适当的表面处理有助于使薄膜表面趋于柔和,有望改善ZnO/Si界面特性,从而应用于μc-Si薄膜太阳电池。 展开更多

关键词 MOCVD 绒面ZnO薄膜 湿法刻蚀 太阳电池

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VHF-PECVD制备不同衬底温度微晶硅薄膜结构研究 被引量：2

13

作者 张晓丹 赵颖 +5 位作者 高艳涛 朱锋 魏长春 孙建 耿新 熊绍珍 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期920-922,共3页

　采用微区拉曼散射、傅立叶变换红外吸收和光热偏转谱对VHF PECVD制备的不同衬底温度硅薄膜进行了微结构分析.结果表明:随衬底温度的升高,薄膜逐渐由非晶向微晶过渡,晶化率(Xc)逐渐增大,样品中的氢含量逐渐降低.在200～250℃条件下制... 　采用微区拉曼散射、傅立叶变换红外吸收和光热偏转谱对VHF PECVD制备的不同衬底温度硅薄膜进行了微结构分析.结果表明:随衬底温度的升高,薄膜逐渐由非晶向微晶过渡,晶化率(Xc)逐渐增大,样品中的氢含量逐渐降低.在200～250℃条件下制备的微晶硅薄膜具有低的缺陷密度.通过优化工艺条件制备出了效率达7.1%的单结微晶硅太阳电池,电池厚度仅为1.2μm,且没有ZnO背反射电极. 展开更多

关键词 甚高频等离子体增强化学气相沉积 微晶硅 衬底温度

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太阳电池用绒面结构ZnO-TCO薄膜及光管理研究进展 被引量：1

14

作者 陈新亮 田淙升 +6 位作者 赵慧旭 杜建 张德坤 魏长春 耿新华 赵颖 张晓丹 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第7期1-6,共6页

主要阐述了近年来薄膜太阳电池用绒面结构氧化锌(ZnO)透明导电氧化物(Transparent conductive oxides,TCO)薄膜以及光管理设计方面的研究进展。主要包括溅射&湿法刻蚀技术、等离子体刻蚀玻璃衬底技术、等离子体处理修饰ZnO薄膜表面... 主要阐述了近年来薄膜太阳电池用绒面结构氧化锌(ZnO)透明导电氧化物(Transparent conductive oxides,TCO)薄膜以及光管理设计方面的研究进展。主要包括溅射&湿法刻蚀技术、等离子体刻蚀玻璃衬底技术、等离子体处理修饰ZnO薄膜表面技术、修饰层改善ZnO薄膜表面技术、梯度杂质掺杂技术、复合特征尺寸生长设计以及直接生长绒面结构ZnO薄膜技术和宽光谱ZnO薄膜生长设计等。此外,对薄膜太阳电池中的先进光管理(Light management)结构设计及新材料应用进行了探讨和展望。 展开更多

关键词 太阳电池 绒面结构 ZnO-TCO薄膜 光管理 薄膜技术

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优化沉积参数对微晶硅薄膜太阳电池性能的影响 被引量：1

15

作者 张晓丹 赵颖 +5 位作者 高艳涛 朱锋 魏长春 孙建 耿新华 熊绍珍 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期170-172,169,共4页

本文主要采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备了不同硅烷浓度、辉光功率和反应气体流量的单结微晶硅薄膜太阳电池。电池的I-V测试结果表明:电池的开路电压随功率的降低、硅烷浓度和气体流量的增加而增加,而对应的短路电流密度... 本文主要采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备了不同硅烷浓度、辉光功率和反应气体流量的单结微晶硅薄膜太阳电池。电池的I-V测试结果表明:电池的开路电压随功率的降低、硅烷浓度和气体流量的增加而增加,而对应的短路电流密度在一定的硅烷浓度条件下达到最大,填充因子也在逐渐的增加。文中对具体内容进行了详细的分析。 展开更多

关键词 微晶硅薄膜太阳电池 气体流量 硅烷浓度

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微球组装技术在三维电池衬底中的应用研究

16

作者 高海波 张晓丹 +6 位作者 梁雪娇 赵慧旭 刘伯飞 白立沙 陈泽 梁俊辉 赵颖 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第12期2213-2217,共5页

以非晶硅薄膜和聚苯乙烯微球为原材料,采用自组装方法和反应离子刻蚀技术制作非晶硅微米结构,以期应用于三维电池银背电极的制备当中。实验表明,对微球的刻蚀时间进行控制、对非晶硅的刻蚀气压、刻蚀时间进行控制,可获得不同的三维微米... 以非晶硅薄膜和聚苯乙烯微球为原材料,采用自组装方法和反应离子刻蚀技术制作非晶硅微米结构,以期应用于三维电池银背电极的制备当中。实验表明,对微球的刻蚀时间进行控制、对非晶硅的刻蚀气压、刻蚀时间进行控制,可获得不同的三维微米结构。采用合适的工艺条件可获得梯形结构、三角形结构,蒸镀银薄膜后能获得约95%的可见光、近红外光散射比率,为三维电池制备提供一种新的实现方法。 展开更多

关键词 微球自组装 微米结构 非晶硅薄膜 三维电池

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高速微晶硅薄膜沉积功率利用效率的测量与优化

17

作者 许盛之 张晓丹 +1 位作者 任慧志 赵颖 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第6期615-618,共4页

为了实现低成本微晶硅薄膜的高速沉积,需要尽可能的优化工艺参数,特别是提高功率利用效率对于降低生产成本,以及提高工艺稳定性都具有重要的意义。文中对射频等离子体增强化学气相沉积系统的各部分功率消耗进行了测量与分析,发现实际用... 为了实现低成本微晶硅薄膜的高速沉积,需要尽可能的优化工艺参数,特别是提高功率利用效率对于降低生产成本,以及提高工艺稳定性都具有重要的意义。文中对射频等离子体增强化学气相沉积系统的各部分功率消耗进行了测量与分析,发现实际用于辉光放电的功率利用率仅为10%以下;腔室的寄生电阻自身消耗功率占30%左右,且寄生电抗分布情况对匹配器的功率消耗影响较大。通过对系统硬件的改造,降低了寄生电抗的影响,显著地提高了功率耦合效率,在高反应气压条件下的功率利用率达到60%以上。 展开更多

关键词 微晶硅 低成本 高速沉积 功率利用率

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p型ZnO的制备以及衬底温度对薄膜特性的影响 被引量：3

18

作者 范红兵 张晓丹 +4 位作者 赵颖 孙建 魏长春 谷士彬 张存善 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期739-742,共4页

本文主要讨论了采用改进的超声雾化设备制备了不同衬底温度条件下的ZnO薄膜。研究了该系统下不同衬底温度对ZnO薄膜电学、结构特性的影响。霍耳测试结果表明:获得了p型ZnO薄膜,其载流子浓度高达1.30×1019cm-3。样品的X射线衍射和... 本文主要讨论了采用改进的超声雾化设备制备了不同衬底温度条件下的ZnO薄膜。研究了该系统下不同衬底温度对ZnO薄膜电学、结构特性的影响。霍耳测试结果表明:获得了p型ZnO薄膜,其载流子浓度高达1.30×1019cm-3。样品的X射线衍射和场发射扫描电子显微镜的测试结果显示,在该系统下450℃时薄膜结晶性能最佳。 展开更多

关键词 ZNO p型传导 超声喷雾热分解 衬底温度

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宽带隙化合物半导体Zn_(1-x)Mg_xO薄膜的制备 被引量：2

19

作者 边楠 张晓丹 +2 位作者 张霞 赵颖 杨瑞霞 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期1361-1364,共4页

利用超声雾化热分解技术,在玻璃衬底上生长出宽带隙的Zn1-xMgxO薄膜。所有样品在可见光范围内的透过率可达到85%以上。X射线衍射的测试结果表明所有样品都具有c轴择优生长特性,并且随薄膜中Mg含量的不同出现规律性变化。光致发光谱表明M... 利用超声雾化热分解技术,在玻璃衬底上生长出宽带隙的Zn1-xMgxO薄膜。所有样品在可见光范围内的透过率可达到85%以上。X射线衍射的测试结果表明所有样品都具有c轴择优生长特性,并且随薄膜中Mg含量的不同出现规律性变化。光致发光谱表明Mg掺入后ZnO薄膜的紫外发射峰出现了蓝移,实现了对禁带宽度的调节。 展开更多

关键词 超声喷雾热分解 Zn1-xMgxO薄膜 宽带隙半导体 禁带宽度

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铁镍氧化物膜电极的制备及其在碱性溶液中析氧的研究 被引量：7

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作者 宋红 耿新华 +2 位作者 周作祥 王军红 张德坤 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期661-665,共5页

采用对靶直流磁控溅射制备的铁镍氧化物薄膜,其电特性、电化学特性和结构与反应溅射过程中氧氩比之间有很大的关系。实验结果表明氧气流量较高时,材料的导电性较好,但过电位较大;反之氧流量较低时,电阻率较大,过电位较小,表面较粗糙。

关键词 铁镍氧化物 对靶磁控溅射 氧含量 过电位

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