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Poly-Si TFT理论模型的研究 被引量：1
1
作者 张建军 吴春亚 孙钟林 《液晶与显示》 CAS CSCD 1998年第2期92-97,共6页
建立了一个ｐｏｌｙ－ＳｉＴＦＴ的物理模型，并在此基础上分析了ｐｏｌｙ－Ｓｉ材料特性对ｐｏｌｙ－ＳｉＴＦＴ器件特性的影响。该模型考虑了晶粒和晶粒间界的不同特性，对泊松方程做了两维模型一维处理，用热电子发射模型重新定义了... 建立了一个ｐｏｌｙ－ＳｉＴＦＴ的物理模型，并在此基础上分析了ｐｏｌｙ－Ｓｉ材料特性对ｐｏｌｙ－ＳｉＴＦＴ器件特性的影响。该模型考虑了晶粒和晶粒间界的不同特性，对泊松方程做了两维模型一维处理，用热电子发射模型重新定义了有效迁移率，推导出了ｐｏｌｙ－ＳｉＴＦＴ电流电压关系的解析式。 展开更多
关键词 POLY-SI TFT 物理模型 晶界势垒 有效迁移率 poly-Si薄膜 CMOS电路 液晶电视
全文增补中
poly—Si TFT 制作工艺探索
2
作者 张建军 吴春亚 +4 位作者 李俊峰 周祯华 孟志国 赵颖 孙钟林 《液晶与显示》 CAS CSCD 1998年第1期40-45,共6页
对ｐｏｌｙ—ＳｉＴＦＴ的制作工艺进行了研究。采用准分子激光晶化法制备了多晶硅薄膜，并以Ｍｏ、Ａｌ两种金属直接与有源层接触形成源漏电极，对这两种不同金属源漏电极ｐｏｌｙ—ＳｉＴＦＴ的性能进行了比较。研究了退火对其性能的... 对ｐｏｌｙ—ＳｉＴＦＴ的制作工艺进行了研究。采用准分子激光晶化法制备了多晶硅薄膜，并以Ｍｏ、Ａｌ两种金属直接与有源层接触形成源漏电极，对这两种不同金属源漏电极ｐｏｌｙ—ＳｉＴＦＴ的性能进行了比较。研究了退火对其性能的影响，结果表明材料性能是符合要求的。 展开更多
关键词 poly-SiTFT 源漏接触 退火 制作工艺 准分子激光晶化 多晶硅薄膜 源漏电极
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