文摘在传统微带线结构基础上利用阶跃阻抗并联短截线SISS(Step-Impedance Shunt Stubs)的带阻及慢波抑制特性,提出了一种新的基于SISS缺陷微带线结构S-DMS(SISS Defected Microstrip Structure),利用该结构设计制作了具有谐波抑制功能的双通带滤波器。采用HFSS进行仿真优化,在此基础上进行了实物加工,获得了通带中心频率为3.5 GHz,8.5 GHz,插入损耗分别为0.45 d B,2.7 d B,3 d B带宽分别是550 MHz,260 MHz,带外最大抑制小于-40 d B的实测结果,与仿真结果相当吻合。结果表明该双通带滤波器具有良好的谐波抑制能力、小带内衰减和宽且深的阻带特性。
文摘利用矩形微带谐振腔与C型缺陷地共同形成高效耦合的原理,提出了一种基于C型缺陷地(defected ground structure,C-DGS)的紧凑型三通带滤波器。采用HFSS对三通带滤波器进行仿真优化。通过调节介质基板的厚度可以获得不同工作频率的通带,改变C型缺陷槽的尺寸可以调整滤波器的工作特性。在仿真的基础上进行实物加工,滤波器的尺寸为16 mm×12 mm×0.8 mm,测试结果与仿真结果良好吻合。滤波器三个通带中心频率分别为0.1 GHz、6.2 GHz、10.9 GHz;通带内插入损耗分别为-0.5 d B、-0.8 d B、-2.8 d B。
