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二氧化硅/氟化镁基超低能耗相变集成光子器件
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作者 连晓娟 蒋纪元 +2 位作者 万相 肖宛昂 王磊 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第11期3886-3898,共13页
相变集成光子器件具有带宽大、延迟低、多路复用和抗干扰性好等性能优势,因此被广泛视作传统电子器件的有力竞争者.然而,当前相变光子器件编程所需的能耗较高,从而对其商业应用前景造成了严重的损害.为了解决这一问题,本文创造性地提出... 相变集成光子器件具有带宽大、延迟低、多路复用和抗干扰性好等性能优势,因此被广泛视作传统电子器件的有力竞争者.然而,当前相变光子器件编程所需的能耗较高,从而对其商业应用前景造成了严重的损害.为了解决这一问题,本文创造性地提出了一种非常有前景的二氧化硅(SiO_(2))/氟化镁(MgF_(2))基光子架构以取代当前主流的硅基器件.该器件采用目前已得到广泛应用的相变材料Ge_(2)Sb_(2)Te_(5)(GST)和氧化铟锡(ITO)合金分别作为功能层和片上加热器材料,并通过自主开发的电热和相场耦合模型实现其数据编程和读取过程的模拟.仿真结果表明该器件在晶化和非晶化过程中所产生的能耗分别为78 aj/nm^(3)和90 aj/nm^(3),远低于其他大多数硅基器件.同时其在近红外波段(如1550 nm)也保持了良好的光学传输特性,并展现出超过5个中间态的多值存储特性和50 ns的短脉宽编程时间.除此之外,进一步研究表明使用该器件所搭建的光学神经网络可用于鸢尾花数据集识别,其准确率高达90%,接近于传统人工神经网络的识别准确率(约为94.7%).上述工作为具有低功耗、存内计算和神经形态计算功能的新兴相变光子器件开发提供了新的研究思路,对于实现一种兼具电子和全光信息器件性能优势的通用非冯诺依曼计算体系有着重大的意义. 展开更多
关键词 相变材料 电加热 光学 能耗
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WGM Lasing from Toroid-shaped ZnO Microdisk Pivoted on Si
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作者 ZHU Gangyi YAN Xinyue +6 位作者 YE Peng QIN Feifei WANG Zixuan LI Binghui LU Junfeng WANG Xiaoxuan XU Chunxiang 《发光学报》 北大核心 2025年第1期12-22,共11页
Although it has a significant advantage in gain properties,the lack of selective etching processes hinders ZnO lasing in on-chip applications.Herein,the circular ZnO microdisk pivoted on Si substrate is fabricated thr... Although it has a significant advantage in gain properties,the lack of selective etching processes hinders ZnO lasing in on-chip applications.Herein,the circular ZnO microdisk pivoted on Si substrate is fabricated through depositing ZnO on patterned silicon on an insulator(SOI)substrate.The cavity structure,morphology,and photoluminescence(PL)properties are studied systematically.The cavity shows a well-defined circular structure with oxygen vacancies.Under the synergistic action of surface tension and stress,the ZnO microdisk shows a unique toroid structure with a high sidewall surface finish.The ZnO microcavity(8μm in diameter)shows optically pumped whispering gallery modes(WGMs)lasing in the ultraviolet region with a Q factor exceeding 1300.More interestingly,the quality of the toroid ZnO microdisk cavity is high enough to support the bandgap renormalization(BGR)phenomenon.With the increasing pumping power,the lasing spectra will be modulated.The lasing spectrum undergoes a Burstein-Moss(BM)effect-induced blueshift and an electron-hole plasma(EHP)effect-induced redshift. 展开更多
关键词 ZNO MICRODISK tunable lasing molecular beam epitaxy
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一种低温漂高电源抑制能力的振荡器设计 被引量:2
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作者 温力畅 张瑛 +1 位作者 沈俊杰 熊天宇 《现代电子技术》 北大核心 2024年第12期108-114,共7页
为了提升开关电源芯片中振荡器的温度特性和电源抑制能力,提出一种改进型拓扑结构的RC振荡器。该振荡器由电容充放电模块、偏置电流源模块、比较器模块以及寄存器模块组成。通过将电容的上下极板都接入电流源,并对电容下极板流过的电流... 为了提升开关电源芯片中振荡器的温度特性和电源抑制能力,提出一种改进型拓扑结构的RC振荡器。该振荡器由电容充放电模块、偏置电流源模块、比较器模块以及寄存器模块组成。通过将电容的上下极板都接入电流源,并对电容下极板流过的电流进行采样,引入负反馈对充放电电流源进行动态调节,从而减小电容上极板电压通过沟道调制效应对充放电电流源的影响,增强充放电电流源的电源抑制能力。再配合偏置电流源模块中经过温度补偿的偏置电流,得到具有低温漂特性及高电源抑制能力的振荡频率。基于CSMC 0.18μm BCD工艺完成了电路设计,仿真实验结果表明,所设计的振荡器工作频率为411 kHz,电源电压为2.6~3.8 V时频率变化为0.119%,温度为-40~125℃时频率变化为3%。该振荡器具有较强的电源抑制能力,能很好地满足开关电源芯片中振荡器的设计要求。 展开更多
关键词 RC振荡器 高电源抑制能力 低温漂 电容充放电模块 振荡频率 负反馈
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自供电β-Ga_(2)O_(3)/(PEA)_(2)PbI_(4)异质结深紫外光电二极管的制备与特性
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作者 李惜雨 刘艳 +4 位作者 苏妍 张琼 李磊 边昂 刘增 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第8期645-651,共7页
成功制备了β-Ga_(2)O_(3)/(PEA)_(2)PbI_(4)异质结深紫外光电二极管,其具有极低的暗电流(fA级),并且可以在0 V偏压下以自供电模式正常运行,在0 V偏压下的光暗电流比(PDCR)约为103,深紫外光响应度(R)为0.08 mA/W。在负偏压和正偏压下均... 成功制备了β-Ga_(2)O_(3)/(PEA)_(2)PbI_(4)异质结深紫外光电二极管,其具有极低的暗电流(fA级),并且可以在0 V偏压下以自供电模式正常运行,在0 V偏压下的光暗电流比(PDCR)约为103,深紫外光响应度(R)为0.08 mA/W。在负偏压和正偏压下均展现了极高线性度(1.08、1.04)。进一步系统地研究了深紫外光电二极管的高温探测性能。随着温度的升高,由于载流子迁移率降低,导致其深紫外光响应特性有所降低,R从300 K下的2.5 mA/W降低至500 K下的0.4 mA/W。基于β-Ga_(2)O_(3)/(PEA)_(2)PbI_(4)异质结的深紫外探测器展现了优异的探测水平,但是由于温度升高导致散射更强,其整体探测性能有所下降。 展开更多
关键词 异质结 紫外探测 高温 自供电 光电二极管 β-Ga_(2)O_(3) 钙钛矿
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基于动态电容的复合电流源阶段延时计算方法
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作者 郭静静 查佩文 +1 位作者 张树钢 蔡志匡 《电子学报》 2025年第7期2428-2440,共13页
深亚微米工艺下传统时序模型的延时计算不再准确,针对米勒效应愈发不可忽视、互连线电阻性增大和互连线延时比重越来越大等问题,本文提出一种基于动态电容的复合电流源阶段延时计算方法.首先,本文引入基于电压的插值方法支持复合电流源... 深亚微米工艺下传统时序模型的延时计算不再准确,针对米勒效应愈发不可忽视、互连线电阻性增大和互连线延时比重越来越大等问题,本文提出一种基于动态电容的复合电流源阶段延时计算方法.首先,本文引入基于电压的插值方法支持复合电流源的延时计算;其次,构建Π模型为负载的单元延时计算方法,采用多阈值分析改进有效电容并推导动态电容,实现迭代计算流程;随后,扩展动态电容概念到阶段延时计算中,实现以分布式RC网络作为负载的阶段延时计算方法,并使用机器学习优化互连线延时.基于ASAP 7 nm Predictive PDK(ASAP 7)工艺,本文提出的阶段延时计算方法与SPICE(Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis)对比分别实现了1.49%、3.16%、1.70%、0.88%的单元延时、单元转换时间、互连线延时与互连线转换时间的平均相对误差,平均在4~5次迭代后达到收敛. 展开更多
关键词 时序模型 阶段延时计算 复合电流源模型 米勒效应 动态电容
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