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基于机器学习的高效率集成电路DFT技术研究
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作者 蔡志匡 赵泽宇 +2 位作者 杨涵 王子轩 郭宇锋 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第12期3473-3482,共10页
本文提出了一种基于机器学习的高效率集成电路可测性设计技术.该技术以自动收集的数据作为训练集,以决定系数为评价指标,为每类目标参数选择出最佳预测模型,并预测出基于不同配置参数的可测性设计结构所对应的目标参数,最后使用最优配... 本文提出了一种基于机器学习的高效率集成电路可测性设计技术.该技术以自动收集的数据作为训练集,以决定系数为评价指标,为每类目标参数选择出最佳预测模型,并预测出基于不同配置参数的可测性设计结构所对应的目标参数,最后使用最优配置推断技术,以目标参数差值的加权和作为衡量指标,输出最优的可测性设计配置参数.实验数据表明,针对可测性设计技术中最重要的测试覆盖率参数,平均预测误差仅为0.0756%;根据目标参数差值的加权和的最小值情况,实现高效推断芯片可测性设计的最优配置参数.该技术的预测效果具有高可靠性,能够在保证高测试覆盖率的前提下,有效减少测试成本和面积开销等. 展开更多
关键词 可测性设计 测试压缩 测试覆盖率 测试时间 机器学习
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二氧化硅/氟化镁基超低能耗相变集成光子器件
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作者 连晓娟 蒋纪元 +2 位作者 万相 肖宛昂 王磊 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第11期3886-3898,共13页
相变集成光子器件具有带宽大、延迟低、多路复用和抗干扰性好等性能优势,因此被广泛视作传统电子器件的有力竞争者.然而,当前相变光子器件编程所需的能耗较高,从而对其商业应用前景造成了严重的损害.为了解决这一问题,本文创造性地提出... 相变集成光子器件具有带宽大、延迟低、多路复用和抗干扰性好等性能优势,因此被广泛视作传统电子器件的有力竞争者.然而,当前相变光子器件编程所需的能耗较高,从而对其商业应用前景造成了严重的损害.为了解决这一问题,本文创造性地提出了一种非常有前景的二氧化硅(SiO_(2))/氟化镁(MgF_(2))基光子架构以取代当前主流的硅基器件.该器件采用目前已得到广泛应用的相变材料Ge_(2)Sb_(2)Te_(5)(GST)和氧化铟锡(ITO)合金分别作为功能层和片上加热器材料,并通过自主开发的电热和相场耦合模型实现其数据编程和读取过程的模拟.仿真结果表明该器件在晶化和非晶化过程中所产生的能耗分别为78 aj/nm^(3)和90 aj/nm^(3),远低于其他大多数硅基器件.同时其在近红外波段(如1550 nm)也保持了良好的光学传输特性,并展现出超过5个中间态的多值存储特性和50 ns的短脉宽编程时间.除此之外,进一步研究表明使用该器件所搭建的光学神经网络可用于鸢尾花数据集识别,其准确率高达90%,接近于传统人工神经网络的识别准确率(约为94.7%).上述工作为具有低功耗、存内计算和神经形态计算功能的新兴相变光子器件开发提供了新的研究思路,对于实现一种兼具电子和全光信息器件性能优势的通用非冯诺依曼计算体系有着重大的意义. 展开更多
关键词 相变材料 电加热 光学 能耗
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组合槽长式人字槽径向气体轴承的静态特性分析
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作者 朱东南 高鹏 张珺 《机电工程》 北大核心 2025年第9期1669-1679,共11页
为了扩宽人字槽径向气体轴承的应用场景,并探索具有实用性和经济性的新型槽型,设计了一种组合槽长式人字槽径向气体轴承,并对其承载性能进行了分析。首先,提出了组合槽长式轴承的设计,分析了组合槽长式轴承结构及其理论模型;然后,采用... 为了扩宽人字槽径向气体轴承的应用场景,并探索具有实用性和经济性的新型槽型,设计了一种组合槽长式人字槽径向气体轴承,并对其承载性能进行了分析。首先,提出了组合槽长式轴承的设计,分析了组合槽长式轴承结构及其理论模型;然后,采用数值计算方法求解了雷诺方程,得到了组合式轴承的承载特性,对数值计算的准确性进行了分析,对比分析了槽宽比、槽深比、螺旋角及槽数等槽型参数对2种传统式轴承和3种组合式轴承承载能力的影响;最后,总结了组合式轴承的适用场景。研究结果表明:数值计算相较于文献实验数据的偏差在5%以内;相比于全槽式轴承,在轴承的转速、槽宽比、螺旋角、槽深比位于范围之内时,组合式轴承的承载力增幅至少在5%以上;相比于分布式轴承,组合槽长式设计通过通槽结构的引入,优化了气体流动,缓解了分层效应,保证了气膜压力的均匀性;组合式轴承综合了全槽式轴承的稳定性优势和分布式轴承的承载力优势,显著降低了槽型参数对轴承承载力的影响,为轴承的设计加工留下了余量空间,更加具有经济性和实用性。该研究可为组合槽长式人字槽径向气体轴承的工程应用提供理论支撑和设计参考。 展开更多
关键词 动压气体轴承 人字槽径向气体轴承 组合槽长式轴承结构 槽型设计 槽型参数(槽宽比、槽深比、螺旋角及槽数)
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利用循环预测执行机制实现新型瞬态执行攻击
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作者 郭佳益 邱朋飞 +4 位作者 苑洁 蓝泽如 王春露 张吉良 汪东升 《电子与信息学报》 北大核心 2025年第9期3363-3373,共11页
现代处理器广泛采用的分支预测技术虽然提升了指令流水线效率,但其推测执行机制产生的瞬态执行窗口已成为攻击的突破口。该文对现代处理器的分支预测技术进行了详细的分析,并对X86指令集中的指令进行了瞬态窗口的测量,发现X86架构中基于... 现代处理器广泛采用的分支预测技术虽然提升了指令流水线效率,但其推测执行机制产生的瞬态执行窗口已成为攻击的突破口。该文对现代处理器的分支预测技术进行了详细的分析,并对X86指令集中的指令进行了瞬态窗口的测量,发现X86架构中基于RCX寄存器值进行分支预测的循环指令(LOOP, LOOPZ和LOOPNZ)以及JRCXZ指令能够导致潜在的瞬态执行攻击。基于此,该文构建了一种新型瞬态攻击原语,成功实现了4类攻击场景:(1)跨用户态/内核态边界实现数据泄露;(2)突破同步多线程(SMT)隔离构建隐蔽信道;(3)穿透Intel SGX安全区进行私密数据窃取;(4)推测内核地址空间布局随机化(KASLR)防护机制的内核基址。该文提出的攻击方法在真实处理器环境中得到验证,其攻击成功率较传统JCC指令实现方案平均提升90%。 展开更多
关键词 瞬态执行攻击 循环预测机制 推测执行 分支预测 微架构安全
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一种恒流输出的原边反馈半桥LLC谐振变换器控制算法
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作者 王冲 赵晓静 +3 位作者 丛鹂慧 孙大鹰 郭静静 顾文华 《中国电机工程学报》 北大核心 2025年第18期7325-7335,I0025,共12页
半桥LLC谐振变换器多采用副边光耦反馈方法实现电气隔离和输出控制,然而光耦器件存在非线性、老化、温漂等问题,降低了变换器输出精度与可靠性。原边反馈方法可以移除光耦器件并简化电路拓扑,但谐振变换器电流的非线性增加了输出电流的... 半桥LLC谐振变换器多采用副边光耦反馈方法实现电气隔离和输出控制,然而光耦器件存在非线性、老化、温漂等问题,降低了变换器输出精度与可靠性。原边反馈方法可以移除光耦器件并简化电路拓扑,但谐振变换器电流的非线性增加了输出电流的预测难度和电路复杂度,文中提出一种易实现的原边反馈半桥LLC谐振变换器高精度恒流输出控制方案。通过原边辅助绕组上的RC支路实现了励磁电流还原功能,并采用电压运算抵消励磁电流,模拟得到输出二极管电流波形;其次,通过选择合适的直流偏置,所设计控制方法能自适应实现高的输出电流预测精度;最后,在一台输入为380~420 V、输出为48~78 V/1.30 A的实验样机中,输出电流精度达到±2.3%,峰值效率达到95.8%,达到了较好的输出电流精度。 展开更多
关键词 半桥LLC谐振变换器 原边反馈 励磁电流还原 参数偏差扰动分析 恒流控制 数字控制
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一种适用于Chiplet测试的通用测试访问端口控制器电路设计 被引量:2
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作者 蔡志匡 周国鹏 +2 位作者 宋健 王子轩 郭宇锋 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2023年第5期1593-1601,共9页
在后摩尔时代里,Chiplet是当前最火热的异构芯片集成技术,具有复杂的多芯粒堆叠结构等特点。为了解决Chiplet在不同堆叠结构中的芯粒绑定后测试问题,基于IEEE 1838标准协议,该文提出一种适用于Chiplet测试的通用测试访问端口控制器(UTA... 在后摩尔时代里,Chiplet是当前最火热的异构芯片集成技术,具有复杂的多芯粒堆叠结构等特点。为了解决Chiplet在不同堆叠结构中的芯粒绑定后测试问题,基于IEEE 1838标准协议,该文提出一种适用于Chiplet测试的通用测试访问端口控制器(UTAPC)电路。该电路在传统测试访问端口(TAP)控制器的基础上设计了Chiplet专用有限状态机(CDFSM),增加了Chiplet测试路径配置寄存器和Chiplet测试接口电路。在CDFSM产生的配置寄存器控制信号作用下,通过Chiplet测试路径配置寄存器输出的配置信号来控制Chiplet测试接口电路以设置Chiplet的有效测试路径,实现跨层访问芯粒。仿真结果表明,所提UTAPC电路适用于任意堆叠结构的Chiplet的可测试性设计,可以有效地选择芯粒的测试,还节省了测试端口和测试时间资源并提升了测试效率。 展开更多
关键词 3维集成电路 Chiplet 中介层 可测试性设计 IEEE 1838标准协议
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高功率密度的螺旋压电能量收集器
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作者 齐炫凯 王艺儒 王德波 《传感技术学报》 北大核心 2025年第3期394-401,共8页
为了提高压电能量收集器的输出功率密度,提出了一种螺旋共质量块式压电能量收集器。该螺旋共质量块压电能量收集器采用四根同心螺旋悬臂梁共用环绕式质量块的设计,可以产生更大的振动,从而降低谐振频率并增加输出功率。理论分析了该螺... 为了提高压电能量收集器的输出功率密度,提出了一种螺旋共质量块式压电能量收集器。该螺旋共质量块压电能量收集器采用四根同心螺旋悬臂梁共用环绕式质量块的设计,可以产生更大的振动,从而降低谐振频率并增加输出功率。理论分析了该螺旋压电能量收集器的输出特性,结果表明当压电片长度为18.75 mm时,理论输出功率最大。加工并测试了压电片长度为18.75 mm螺旋压电能量收集器,测试结果表明,当激励频率为107.2 Hz时,最大开路输出电压幅值为47.8 V;当负载电阻为200 kΩ时,最大输出功率可达2 635μW,与理论结果误差较小。该螺旋共质量块压电能量收集器具有较高的输出功率密度,可以满足微型无线传感器系统的自供电要求。 展开更多
关键词 螺旋悬臂梁 压电能量收集 集总参数建模 谐振频率 输出性能 功率密度
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Ge掺杂磷烯材料吸附气体分子的第一性原理研究
8
作者 俞冯 李卫 +3 位作者 任青颖 李金泽 许巍 许杰 《电子学报》 北大核心 2025年第3期800-810,共11页
通过第一性原理计算,利用优化几何结构和计算相应的电子性质,文章系统分析了NO_(2)、NO、CO、CO_(2)、CH_(4)和SO_(2)等分子在Ge掺杂磷烯材料表面的吸附性能,吸附分子在材料表面的吸附位置,确定最稳定的吸附构型.研究发现,Ge掺杂磷烯材... 通过第一性原理计算,利用优化几何结构和计算相应的电子性质,文章系统分析了NO_(2)、NO、CO、CO_(2)、CH_(4)和SO_(2)等分子在Ge掺杂磷烯材料表面的吸附性能,吸附分子在材料表面的吸附位置,确定最稳定的吸附构型.研究发现,Ge掺杂磷烯材料对NO_(2)、NO、CO、CO_(2)、CH_(4)和SO_(2)等分子表现出较高的吸附能力,表明其在气体分子吸附领域具有潜在的应用前景.此外,研究分析Ge掺杂对材料电子结构的影响,结果表明,Ge掺杂引入了新的能级,影响了材料的导电性质,从而影响了吸附分子与材料之间的相互作用,这为进一步理解Ge掺杂磷烯材料吸附气体分子的机制提供了理论基础.综合而言,本研究揭示了Ge掺杂磷烯材料在吸附NO_(2)、NO、CO、CO_(2)、CH_(4)和SO_(2)等气体分子方面的优越性能,并为其在气体吸附及其他相关应用中的潜在应用提供了理论支持,对于开发新型高效吸附材料以解决环境和能源领域的问题具有重要意义. 展开更多
关键词 磷烯 第一性原理 气体传感器 掺杂 气敏性能 二维材料
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基于滤波网络综合的宽带功率放大器设计
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作者 姚小江 周图镔 丛密芳 《微波学报》 北大核心 2025年第3期45-48,56,共5页
提出了一种滤波匹配网络的功率放大器设计方法。该方法将高阶匹配网络转换为具有晶体管寄生输出电容和寄生封装电感的低阶无源匹配网络,从而实现了更加紧凑的面积。为了验证所提出设计方法的可行性,设计了一款超宽带横向扩散金属氧化物... 提出了一种滤波匹配网络的功率放大器设计方法。该方法将高阶匹配网络转换为具有晶体管寄生输出电容和寄生封装电感的低阶无源匹配网络,从而实现了更加紧凑的面积。为了验证所提出设计方法的可行性,设计了一款超宽带横向扩散金属氧化物半导体功率放大器进行验证。测试结果:在300 MHz~900 MHz范围内,其输出功率在49.3 dBm~50.9 dBm之间,漏极效率为50%~68%。此外,利用W-CDMA信号对电路进行了线性度指标测试:在44 dBm的输出功率下,整个带宽的邻信道功率比值低于-43 dBc,在48 dBm的输出功率下,其仍然能够维持在-30 dBc左右。实验结果表明,所提出的网络综合方法在超宽带功率放大器的设计中能够很好地满足各项性能指标,因此用于宽带设计具有一定优势。 展开更多
关键词 功率放大器 超宽带 滤波网络 横向扩散金属氧化物半导体
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基于mist CVD的高纯相α-Ga_(2)O_(3)生长与光电响应特性研究
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作者 姚苏昊 张茂林 +4 位作者 季学强 杨莉莉 李山 郭宇锋 唐为华 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第2期233-243,共11页
超宽禁带半导体氧化镓(Ga_(2)O_(3))在功率电子和信息传感方面有重要应用,其高效、经济的制备方法是实现产业推广的重要环节。本文报道了一种Sn辅助雾相化学气相沉积(mist CVD)技术,基于这种非真空、低成本方法在c面蓝宝石衬底上成功外... 超宽禁带半导体氧化镓(Ga_(2)O_(3))在功率电子和信息传感方面有重要应用,其高效、经济的制备方法是实现产业推广的重要环节。本文报道了一种Sn辅助雾相化学气相沉积(mist CVD)技术,基于这种非真空、低成本方法在c面蓝宝石衬底上成功外延生长了高质量纯相α-Ga_(2)O_(3)薄膜。实验通过mist CVD生长温度的调控探索,获得了纯相α-Ga_(2)O_(3)薄膜外延生长的温度区间为500~600℃。利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见吸收光谱、X射线光电子能谱(XPS)等方法对纯相α-Ga_(2)O_(3)薄膜进行了物相、形貌、光学特征、元素含量和价态表征,结果表明600℃生长的α-Ga_(2)O_(3)薄膜具有更高的结晶度,更致密和平整的表面形貌。进一步地,通过构建金属-半导体-金属(MSM)结构的光电探测器,研究了α-Ga_(2)O_(3)薄膜的深紫外(DUV)光电响应性能。500和600℃制备α-Ga_(2)O_(3)薄膜,其光暗电流比(PDCR)分别为5.85×10^(5)和7.48×10^(3),外量子效率(EQE)分别为21.8%和520%,响应度分别为0.044和1.09 A/W。在6 V偏压和254 nm光照下,500℃生长的α-Ga_(2)O_(3)薄膜的响应时间为0.97/0.36 s,600℃的样品响应时间却增大为2.89/4.92 s,这主要是Sn辅助生长在α-Ga_(2)O_(3)薄膜内形成了施主杂质,影响了载流子的输运效率。 展开更多
关键词 α-Ga_(2)O_(3) 雾相化学气相沉积 Sn辅助生长 光电响应 沉积温度 掺杂激活
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WGM Lasing from Toroid-shaped ZnO Microdisk Pivoted on Si
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作者 ZHU Gangyi YAN Xinyue +6 位作者 YE Peng QIN Feifei WANG Zixuan LI Binghui LU Junfeng WANG Xiaoxuan XU Chunxiang 《发光学报》 北大核心 2025年第1期12-22,共11页
Although it has a significant advantage in gain properties,the lack of selective etching processes hinders ZnO lasing in on-chip applications.Herein,the circular ZnO microdisk pivoted on Si substrate is fabricated thr... Although it has a significant advantage in gain properties,the lack of selective etching processes hinders ZnO lasing in on-chip applications.Herein,the circular ZnO microdisk pivoted on Si substrate is fabricated through depositing ZnO on patterned silicon on an insulator(SOI)substrate.The cavity structure,morphology,and photoluminescence(PL)properties are studied systematically.The cavity shows a well-defined circular structure with oxygen vacancies.Under the synergistic action of surface tension and stress,the ZnO microdisk shows a unique toroid structure with a high sidewall surface finish.The ZnO microcavity(8μm in diameter)shows optically pumped whispering gallery modes(WGMs)lasing in the ultraviolet region with a Q factor exceeding 1300.More interestingly,the quality of the toroid ZnO microdisk cavity is high enough to support the bandgap renormalization(BGR)phenomenon.With the increasing pumping power,the lasing spectra will be modulated.The lasing spectrum undergoes a Burstein-Moss(BM)effect-induced blueshift and an electron-hole plasma(EHP)effect-induced redshift. 展开更多
关键词 ZNO MICRODISK tunable lasing molecular beam epitaxy
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一种低功耗CMOS晶体振荡器电路设计 被引量:1
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作者 李宜书 陈德媛 张瑛 《电子测量技术》 北大核心 2023年第3期1-5,共5页
晶体振荡器作为时钟电路的重要组成部分,是时钟电路中功耗最大的模块,针对传统晶体振荡器功耗过大的问题,根据晶体振荡器起振和停振情况下输出电压信号平均值的特性,提出了一种能够获得振荡器维持振荡状态所需的最小电流的方法,大大降... 晶体振荡器作为时钟电路的重要组成部分,是时钟电路中功耗最大的模块,针对传统晶体振荡器功耗过大的问题,根据晶体振荡器起振和停振情况下输出电压信号平均值的特性,提出了一种能够获得振荡器维持振荡状态所需的最小电流的方法,大大降低了晶体振荡器电路的功耗。基于28 nm CMOS工艺设计了一种皮尔斯振荡电路。仿真实验结果表明,在1.8 V电源电压下,电路能够在200 ms内快速起振,振荡频率为32.768 kHz,输出时钟信号稳定后振荡器的工作电流仅为270 nA。 展开更多
关键词 晶体振荡器 最小电流 快速起振 低功耗
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一种用于单光子探测器的高速门控淬灭电路 被引量:2
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作者 王帅康 吴仲 +1 位作者 董杰 徐跃 《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第7期544-548,共5页
提出了一种应用于单光子激光雷达探测器的高速门控淬灭电路,该电路结构简单,仅由3只晶体管及1个与门组成。采用门控的方式能够将雪崩电流快速淬灭,有效抑制暗计数和后脉冲,同时能规避强背底光噪声的干扰。在不增加电路功耗的前提下,通... 提出了一种应用于单光子激光雷达探测器的高速门控淬灭电路,该电路结构简单,仅由3只晶体管及1个与门组成。采用门控的方式能够将雪崩电流快速淬灭,有效抑制暗计数和后脉冲,同时能规避强背底光噪声的干扰。在不增加电路功耗的前提下,通过合理选择复位管和淬灭管的宽长比及电路版图布局,所设计的淬灭电路芯片面积仅有13μm×14μm。基于0.18μm标准CMOS工艺对所设计的电路进行了流片验证,测试结果表明:该电路的淬灭和复位时间分别为1.6 ns和1.4 ns,可应用于高速、高密度单光子探测器。 展开更多
关键词 单光子雪崩二极管(SPAD) 盖革模式 复位时间 淬灭时间 门控淬灭电路
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一种多级可调的改进型CTLE均衡电路 被引量:2
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作者 殷鹏 张瑛 张豪哲 《现代电子技术》 2023年第21期149-153,共5页
针对高速串行链路中信号频率补偿的过均衡及欠均衡问题,基于TSMC 0.11μm CMOS工艺设计了一种增益带宽可调的改进型均衡器电路。该均衡器采用以有源电感为负载的二级放大器结构,有效补偿高频损耗的同时,减小了面积和功耗,并与三级Boost... 针对高速串行链路中信号频率补偿的过均衡及欠均衡问题,基于TSMC 0.11μm CMOS工艺设计了一种增益带宽可调的改进型均衡器电路。该均衡器采用以有源电感为负载的二级放大器结构,有效补偿高频损耗的同时,减小了面积和功耗,并与三级Boost电路进行级联,实现对不同衰减信道的补偿,提高数据的完整性以及后级采样的准确性,进一步改善了均衡效果。仿真实验结果表明,所设计的线性均衡器低频增益在6.26~24.2 dB范围内8级可调,1.5~2 GHz内高频增益在28.9~40.2 dB范围内32级可调,电路整体版图面积仅为463μm×230μm。 展开更多
关键词 有源电感 连续时间线性均衡器 信道均衡 眼图 HDMI 高速串行信号 CMOS
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一种基于相位误差校正技术的快速启动晶体振荡器 被引量:2
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作者 王子轩 王山虎 +5 位作者 王鑫 姚佳飞 张珺 胡善文 蔡志匡 郭宇锋 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第4期1182-1188,共7页
随着超低功耗(Ultra-Low Power,ULP)物联网(Internet of Things,IoT)系统的发展,采用能量注入技术的快速启动晶体振荡器因对IoT系统功耗影响巨大而逐渐成为研究热点.能量注入技术可以显著降低晶体振荡器的启动时间和启动能量,但是对注... 随着超低功耗(Ultra-Low Power,ULP)物联网(Internet of Things,IoT)系统的发展,采用能量注入技术的快速启动晶体振荡器因对IoT系统功耗影响巨大而逐渐成为研究热点.能量注入技术可以显著降低晶体振荡器的启动时间和启动能量,但是对注入源的精度要求苛刻.为了扩大注入频偏容限以及实现高注入效率,本文提出了一种基于延迟锁定环的相位误差校正技术.该技术将注入频偏容限扩大到2%,启动过程的非注入持续时间仅为4个周期,实现了高效注入.本文所述晶体振荡器采用40 nm CMOS工艺设计并流片.在1.0 V电源电压下采用24 MHz晶体进行测试,当注入频偏高达2%时,实现了7.2μs的启动时间,启动能量为5.1 nJ.相比同频偏下的传统注入方案,启动时间缩短了99.66%. 展开更多
关键词 相位误差校正 晶体振荡器 快速启动 延迟锁定环 能量注入
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基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺的4GS/s、14 bit数模转换器
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作者 张翼 戚骞 +4 位作者 张有涛 韩春林 王洋 张长春 郭宇锋 《南京邮电大学学报(自然科学版)》 北大核心 2024年第3期42-47,共6页
基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺,设计了超高速高精度数模转换器(DAC),其时钟采样率为4 GS/s、精度为14 bit。为满足4 GHz处理速度,该DAC中所有电路均采用异质结晶体管(HBTs)搭建。为了降低功耗和节约面积,本设计采用10+4分段译码的方式,... 基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺,设计了超高速高精度数模转换器(DAC),其时钟采样率为4 GS/s、精度为14 bit。为满足4 GHz处理速度,该DAC中所有电路均采用异质结晶体管(HBTs)搭建。为了降低功耗和节约面积,本设计采用10+4分段译码的方式,其中低10位电流舵使用R-2R梯形电阻网络,而高4位使用温度计码结构。仿真结果表明,所设计DAC的DNL、INL分别为0.54 LSB和0.39 LSB,全奈奎斯特频域内的无杂散动态范围均大于82 dBc。在3.3 V和5 V混合电源供电下,整个DAC的平均功耗为2.39 W。芯片总面积为11.22 mm^(2)。 展开更多
关键词 数模转换器 SiGe HBT 电流模逻辑 电流舵
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物理不可克隆函数-多位并行异或运算一体化设计技术 被引量:1
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作者 李刚 周俊杰 +2 位作者 汪鹏君 张茂林 郭宇锋 《电子与信息学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第11期4101-4111,共11页
物理不可克隆函数(PUF)和异或(XOR)运算在信息安全领域均发挥着重要作用。为突破PUF与逻辑运算之间的功能壁垒,通过对PUF工作机理和差分串联电压开关逻辑(DCVSL)的研究,该文提出一种基于DCVSL异或门级联单元随机工艺偏差的PUF和多位并... 物理不可克隆函数(PUF)和异或(XOR)运算在信息安全领域均发挥着重要作用。为突破PUF与逻辑运算之间的功能壁垒,通过对PUF工作机理和差分串联电压开关逻辑(DCVSL)的研究,该文提出一种基于DCVSL异或门级联单元随机工艺偏差的PUF和多位并行异或运算电路一体化设计方案。通过在DCVSL异或门差分输出端增加预充电管并在对地端设置管控门,可实现PUF特征信息提取、异或/同或(XOR/XNOR)运算和功率控制3种工作模式自由切换。此外,针对PUF响应稳定性问题,提出极端工作点和黄金工作点共同参与标记的不稳定位混合筛选技术。基于TSMC 65 nm工艺,对输入位宽为10位的电路进行全定制版图设计,面积为38.76 μm^(2)。实验结果表明,PUF模式下,可产生1024位输出响应,混合筛选后可获得超过512位稳定的密钥,且具有良好的随机性和唯一性;运算模式下,可同时实现10位并行异或和同或运算,功耗和延时分别为2.67 μW和593.52 ps。功控模式下,待机功耗仅70.5 nW。所提方法为突破PUF“功能墙”提供了一种新的设计思路。 展开更多
关键词 物理不可克隆函数 逻辑运算 一体化设计 稳定性筛选 硬件安全
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锂离子电池二维T-BN/T-graphene异质结阳极材料性能的理论研究 被引量:1
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作者 高国翔 熊鑫 +1 位作者 刘春生 叶小娟 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第12期95-103,共9页
通过基于密度泛函理论的第一性原理计算,研究了由二维T-BN和T-graphene组成的异质结(T-BN/T-graphene)作为锂离子电池(LIBs)阳极材料的综合性能.计算结果表明,T-BN/T-graphene异质结阳极材料展示了较低的扩散势垒(0.30~0.61 eV)、较大... 通过基于密度泛函理论的第一性原理计算,研究了由二维T-BN和T-graphene组成的异质结(T-BN/T-graphene)作为锂离子电池(LIBs)阳极材料的综合性能.计算结果表明,T-BN/T-graphene异质结阳极材料展示了较低的扩散势垒(0.30~0.61 eV)、较大的理论容量(678.5 mA∙h/g)、适当的平均开路电压(1.06 V)和较小的晶格常数变化(0.86%/0.44%).与单层T-BN和单层T-graphene相比,T-BN/T-graphene异质结在扩散性能方面略有改善,最低扩散势垒降至0.30 eV,表明其具有较快的充放电能力. 展开更多
关键词 第一性原理计算 二维材料 异质结 锂离子电池
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基于超导的小型化磁粒子成像系统仿真构建 被引量:1
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作者 田育珅 马少华 +1 位作者 王程松 范霖 《沈阳工业大学学报》 CAS 北大核心 2024年第2期138-143,共6页
针对磁粒子成像技术尚停留在实验室鼠用设备阶段,传统线材线圈过大,无法在可接受的设备体量内达到临床人体检测所需磁场强度的问题,提出了一种基于超导技术构建高场强、小型化磁粒子成像设备的方法。采用高温超导MgB_(2)线圈替代传统铜... 针对磁粒子成像技术尚停留在实验室鼠用设备阶段,传统线材线圈过大,无法在可接受的设备体量内达到临床人体检测所需磁场强度的问题,提出了一种基于超导技术构建高场强、小型化磁粒子成像设备的方法。采用高温超导MgB_(2)线圈替代传统铜线圈,构建磁粒子成像选择场与驱动场。结果表明,在达到相同磁通量的情况下,超导磁粒子成像系统可将两组功能区总质量降低为0.01 kg,设备体积缩小至7 L。在此基础上,采用超导线圈构建梯度磁场还能够获得更高的变化斜率,使零磁扫描区边缘更为清晰规则,移动过程中形态更为稳定,平均直径缩小近二分之一。 展开更多
关键词 磁粒子成像 小型化设备 梯度磁场 零磁区 高温超导 MgB_(2)线圈 选择场 驱动场
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用于通用存储和神经形态计算的相变存储器的研究进展 被引量:1
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作者 连晓娟 李甫 +2 位作者 付金科 高志瑄 王磊 《半导体技术》 北大核心 2024年第1期1-29,共29页
存算一体技术目前被认为是一种可以消除冯·诺依曼计算架构瓶颈的可行性技术。在众多的存算一体器件中,相变存储器(PCM)因其具有非易失性、可微缩性、高开关速度、低操作电压、循环寿命长以及与现有半导体工艺相兼容等优点,被认为... 存算一体技术目前被认为是一种可以消除冯·诺依曼计算架构瓶颈的可行性技术。在众多的存算一体器件中,相变存储器(PCM)因其具有非易失性、可微缩性、高开关速度、低操作电压、循环寿命长以及与现有半导体工艺相兼容等优点,被认为是未来通用存储和神经形态计算器件中最具竞争力的候选者之一。首先介绍了PCM的工作原理和器件材料结构,并详细讨论了PCM在通用存储和神经形态计算领域的应用。PCM具有高集成度和低功耗的共性需求,但这两个应用领域对材料性能有不同的侧重点。详细分析了PCM目前存在的优缺点,如高编程电流导致的功耗问题,以及商业化应用面临的主要挑战。最后,针对PCM的研究现状提出了一系列改进措施,包括材料选择、器件结构设计、预操作、热损耗降低、3D架构,以及解决阻态漂移等问题,以推动其进一步发展和应用。 展开更多
关键词 非易失性存储器(NVM) 相变存储器(PCM) 通用存储 存算一体 神经形态计算
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