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双模式控制的防失真D类音频功率放大器: 1; 作者樊卫东夏晓娟 +2 位作者方玉明吉新村郭宇锋《南京邮电大学学报（自然科学版）》北大核心 2014年第5期129-134,共6页; 设计了一款具有双模式控制、防失真功能、超低EMI、无需滤波器、5W高效率的单声道D类音频功率放大器.通过检测输出信号的失真来动态调整系统增益可实现独特的防失真功能,可以通过硬件或者软件设置使该放大器工作在防失真模式或者普通模... 展开更多; 关键词 D类音频功率放大器防失真硬件设置软件设置自动调节; 在线阅读下载PDF 职称材料

600V VDMOS器件的反向恢复热失效机理被引量：2: 2; 作者夏晓娟吴逸凡 +3 位作者祝靖成建兵郭宇锋孙伟锋《东南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第6期1243-1247,共5页; 为了研究VDMOS器件体二极管在反向恢复过程中的失效机理,详细分析了600 V VDMOS器件体二极管的工作过程,采用TCAD模拟软件研究了体二极管正向导通和反向恢复状态下的载流子密度分布及温度分布情况.模拟结果表明,VDMOS器件的体二极管在... 展开更多; 关键词 VDMOS 体二极管反向恢复热失效; 在线阅读下载PDF 职称材料

SOI横向功率器件横向耐压技术的研究进展: 3; 作者郭宇锋李曼 +3 位作者杨可萌夏晓娟吉新村张长春《南京邮电大学学报（自然科学版）》北大核心 2015年第5期11-19,共9页; SOI横向功率器件是SOI功率集成电路的核心元件。文中对近年来SOI横向功率器件的横向耐压技术进行了归类和综述,讨论了RESURF技术、场板技术、U形漂移区技术、横向超级结技术和漂移区电荷密度线性化技术等5种常见技术及其衍生技术的工作... 展开更多; 关键词绝缘体上硅横向功率器件击穿电压导通电阻; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种新颖的正交输出伪差分环形VCO的设计被引量：4: 4; 作者房军梁张长春 +3 位作者陈德媛郭宇锋刘蕾蕾方玉明《南京邮电大学学报（自然科学版）》北大核心 2014年第2期100-104,共5页; 设计了一种基于标准0.18μm CMOS工艺的4级延迟单元的全差分环形压控振荡器。提出了一种新颖的环形振荡器电路结构,通过结合控制耦合强度与改变负载电阻值的方法,改善了单一技术在有限的电压范围内的调谐线性度,实现整个电压范围内的高... 展开更多; 关键词环形压控振荡器双通路相位噪声线性度; 在线阅读下载PDF 职称材料

红外读出电路中低功耗列读出级电路的设计被引量：1: 5; 作者沈玲羽庞屹林 +3 位作者范阳夏晓娟吉新村郭宇锋《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2015年第4期377-382,共6页; 提出了一种用于红外读出电路的新型低功耗列读出级结构。该结构在传统主从列读出级电路的基础上,引进电压检测电路,通过检测相邻列中主运放的输出电压,动态地调节从运放工作电流,避免了传统结构中从运放需要始终工作在大电流下(>Imax... 展开更多; 关键词列读出级主从电压检测动态调节; 在线阅读下载PDF 职称材料

双栅无结晶体管阈值电压模型: 6; 作者杨可萌李悦 +3 位作者郭羽涵王超郭宇锋刘陈《太赫兹科学与电子信息学报》 2017年第2期313-316,322,共5页; 无结晶体管是近年来纳米SOI MOS器件领域的研究热点,相对于传统晶体管具有明显的优势。本文针对全耗尽型无结晶体管,基于二维泊松方程,建立了电势分布解析模型。根据该模型可以得到阈值电压模型。利用建立的解析模型和半导体器件仿真软... 展开更多; 关键词无结晶体管双栅电势分布阈值电压; 在线阅读下载PDF 职称材料

单端CTIA型读出电路线性度的研究及优化设计: 7; 作者沈玲羽夏晓娟郭宇锋《南京邮电大学学报（自然科学版）》北大核心 2015年第3期64-70,共7页; 对单端电容跨阻抗放大器读出电路的非线性进行了理论研究,详细分析了积分电路、采样保持电路、行选电路对非线性的影响。在此基础上,为提高读出电路的线性度,提出在积分电路中引入增益自举结构以及行选电路中采用转移电荷电路替代传统... 展开更多; 关键词读出电路非线性单端积分转移电荷; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名双模式控制的防失真D类音频功率放大器: 1; 作者樊卫东夏晓娟方玉明吉新村郭宇锋; 机构南京邮电大学电子科学与工程学院南京邮电大学江苏省射频集成与微组装工程实验室; 出处《南京邮电大学学报（自然科学版）》北大核心 2014年第5期129-134,共6页; 基金国家自然科学基金(61274080) 江苏省自然科学基金(BK2011753 BK20130880)资助项目; 文摘设计了一款具有双模式控制、防失真功能、超低EMI、无需滤波器、5W高效率的单声道D类音频功率放大器.通过检测输出信号的失真来动态调整系统增益可实现独特的防失真功能,可以通过硬件或者软件设置使该放大器工作在防失真模式或者普通模式.电路采用CSMC的0.35 um的CMOS工艺实现,在输入信号为O～1.2V的范围内,输出信号能够保持良好的波形形状.可应用于各种便携式电子设备,如手机、平板电脑和便携式电视机等.; 关键词 D类音频功率放大器防失真硬件设置软件设置自动调节; Keywords class D audio power amplifier anti-distortion hardware setting software setting automatic gain control; 分类号 TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名600V VDMOS器件的反向恢复热失效机理被引量：2: 2; 作者夏晓娟吴逸凡祝靖成建兵郭宇锋孙伟锋; 机构南京邮电大学电子科学与工程学院南京邮电大学江苏省射频集成与微组装工程实验室东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心; 出处《东南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第6期1243-1247,共5页; 基金国家自然科学基金资助项目(61274080) 江苏省自然科学基金资助项目(BK2011753); 文摘为了研究VDMOS器件体二极管在反向恢复过程中的失效机理,详细分析了600 V VDMOS器件体二极管的工作过程,采用TCAD模拟软件研究了体二极管正向导通和反向恢复状态下的载流子密度分布及温度分布情况.模拟结果表明,VDMOS器件的体二极管在正向导通时,器件终端区同样会贮存大量的少数载流子,当体二极管从正向导通变为反向恢复状态时,贮存的少数载流子会以单股电流的形式被抽取,使得VDMOS器件中最靠近终端位置的原胞中的pbody区域温度升高,从而导致该区域寄生三极管基区电阻增大、发射结内建电势降低,最终触发寄生三极管开启,造成VDMOS器件失效.分析结果与实验结果一致.; 关键词 VDMOS 体二极管反向恢复热失效; Keywords vertical double-diffused metal oxide semiconductor （VDMOS） body diode reverserecovery thermal failure; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名SOI横向功率器件横向耐压技术的研究进展: 3; 作者郭宇锋李曼杨可萌夏晓娟吉新村张长春; 机构南京邮电大学电子科学与工程学院南京邮电大学江苏省射频集成与微组装工程实验室; 出处《南京邮电大学学报（自然科学版）》北大核心 2015年第5期11-19,共9页; 基金国家重点实验室开放基金(KFJJ201403) 教育部博士点基金(20133223110003) +1 种基金江苏省自然科学基金(BK20141431) 工业支撑计划(BE2013130)资助项目; 文摘 SOI横向功率器件是SOI功率集成电路的核心元件。文中对近年来SOI横向功率器件的横向耐压技术进行了归类和综述,讨论了RESURF技术、场板技术、U形漂移区技术、横向超级结技术和漂移区电荷密度线性化技术等5种常见技术及其衍生技术的工作机理、性能指标和制造方法,从耐压能力、BFOM优值和工艺复杂度等3个方面对不同耐压技术的优点和缺点进行了比较。结果表明各种新技术的采用可以有效缓和击穿电压和导通电阻的矛盾关系,但同时也带来了工艺复杂度的增加。因此,如何在性能和成本之间取得折中仍然是SOI横向功率器件设计需要关注的焦点。; 关键词绝缘体上硅横向功率器件击穿电压导通电阻; Keywords silicon on insulator（SOI） lateral power devices breakdown voltage on-resistance; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种新颖的正交输出伪差分环形VCO的设计被引量：4: 4; 作者房军梁张长春陈德媛郭宇锋刘蕾蕾方玉明; 机构南京邮电大学电子科学与工程学院南京邮电大学江苏省射频集成与微组装工程实验室; 出处《南京邮电大学学报（自然科学版）》北大核心 2014年第2期100-104,共5页; 基金国家自然科学基金(61076073) 教育部博士点基金(20133223120005 +6 种基金 20133223110003) 江苏省自然科学基金(BK20130878 BK2012435) 南京邮电大学科研项目(NY211016 NY213145) 南京邮电大学科学技术创新培训计划(SJD2012006)资助项目; 文摘设计了一种基于标准0.18μm CMOS工艺的4级延迟单元的全差分环形压控振荡器。提出了一种新颖的环形振荡器电路结构,通过结合控制耦合强度与改变负载电阻值的方法,改善了单一技术在有限的电压范围内的调谐线性度,实现整个电压范围内的高调谐线性度;采用双通路技术提高了振荡频率,同时运用交叉耦合正反馈减少输出电平翻转时间,改善相位噪声特性,提高性能。后仿真结果表明,在电源电压为1.8 V时,VCO的中心频率为2.8 GHz,核心电路的功耗为18.36 mW,调谐范围为2.05 GHz^3.35 GHz,当频率为2.8 GHz时,相位噪声为-89.6 dBc/Hz@1 MHz。; 关键词环形压控振荡器双通路相位噪声线性度; Keywords ring-VCO CMOS dual-delay paths phase noise linearity; 分类号 TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名红外读出电路中低功耗列读出级电路的设计被引量：1: 5; 作者沈玲羽庞屹林范阳夏晓娟吉新村郭宇锋; 机构南京邮电大学电子科学与工程学院南京邮电大学; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2015年第4期377-382,共6页; 基金国家自然科学基金资助项目(61274080) 江苏省自然科学基金资助项目(BK20130880) 江苏省教育厅自然科学基金资助项目(14KJB510025); 文摘提出了一种用于红外读出电路的新型低功耗列读出级结构。该结构在传统主从列读出级电路的基础上,引进电压检测电路,通过检测相邻列中主运放的输出电压,动态地调节从运放工作电流,避免了传统结构中从运放需要始终工作在大电流下(>Imax)的限制,从而显著地降低了功耗。具体电路采用CSMC DPTM 0.5μm工艺实现,Hspice仿真结果表明,新型主从列读出级中从运放功耗与传统主从列读出级中从运放功耗相比,从运放的平均功耗最大可以节省75%。; 关键词列读出级主从电压检测动态调节; Keywords column stage of readout circuit master-slave voltage detection dynamic adjustment; 分类号 TN215 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名双栅无结晶体管阈值电压模型: 6; 作者杨可萌李悦郭羽涵王超郭宇锋刘陈; 机构南京邮电大学电子科学与工程学院南京邮电大学江苏省射频集成与微组装工程实验室; 出处《太赫兹科学与电子信息学报》 2017年第2期313-316,322,共5页; 基金教育部博士点基金资助项目(20133223110003) 江苏省自然科学基金资助项目(BK20130778) +1 种基金国家重点实验室基金资助项目(KFJJ201403); 文摘无结晶体管是近年来纳米SOI MOS器件领域的研究热点,相对于传统晶体管具有明显的优势。本文针对全耗尽型无结晶体管,基于二维泊松方程,建立了电势分布解析模型。根据该模型可以得到阈值电压模型。利用建立的解析模型和半导体器件仿真软件MEDICI,探讨了栅压和器件结构参数对电势分布和阈值电压的影响。该模型简单且与仿真结果吻合良好。; 关键词无结晶体管双栅电势分布阈值电压; Keywords junctionless transistors double-gate potential distribution threshold voltage; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名单端CTIA型读出电路线性度的研究及优化设计: 7; 作者沈玲羽夏晓娟郭宇锋; 机构南京邮电大学电子科学与工程学院南京邮电大学江苏省射频集成与微组装工程实验室; 出处《南京邮电大学学报（自然科学版）》北大核心 2015年第3期64-70,共7页; 基金国家自然科学基金(61274080) 江苏省自然科学基金(BK2011753 BK20130880)资助项目; 文摘对单端电容跨阻抗放大器读出电路的非线性进行了理论研究,详细分析了积分电路、采样保持电路、行选电路对非线性的影响。在此基础上,为提高读出电路的线性度,提出在积分电路中引入增益自举结构以及行选电路中采用转移电荷电路替代传统源跟随电路的方法。具体电路采用CSMC DPTM 0.5μm工艺实现,在输入积分光电流为2.0nA^26.5nA的范围内,读出电路的非线性度仅为0.05%。; 关键词读出电路非线性单端积分转移电荷; Keywords readout circuit non-linearity single-ended integration transfer charge; 分类号 TN215 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	双模式控制的防失真D类音频功率放大器	樊卫东夏晓娟方玉明吉新村郭宇锋	《南京邮电大学学报（自然科学版）》北大核心	2014	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	600V VDMOS器件的反向恢复热失效机理	夏晓娟吴逸凡祝靖成建兵郭宇锋孙伟锋	《东南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心	2013	2	在线阅读下载PDF 职称材料
3	SOI横向功率器件横向耐压技术的研究进展	郭宇锋李曼杨可萌夏晓娟吉新村张长春	《南京邮电大学学报（自然科学版）》北大核心	2015	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	一种新颖的正交输出伪差分环形VCO的设计	房军梁张长春陈德媛郭宇锋刘蕾蕾方玉明	《南京邮电大学学报（自然科学版）》北大核心	2014	4	在线阅读下载PDF 职称材料
5	红外读出电路中低功耗列读出级电路的设计	沈玲羽庞屹林范阳夏晓娟吉新村郭宇锋	《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心	2015	1	在线阅读下载PDF 职称材料
6	双栅无结晶体管阈值电压模型	杨可萌李悦郭羽涵王超郭宇锋刘陈	《太赫兹科学与电子信息学报》	2017	0	在线阅读下载PDF 职称材料
7	单端CTIA型读出电路线性度的研究及优化设计	沈玲羽夏晓娟郭宇锋	《南京邮电大学学报（自然科学版）》北大核心	2015	0	在线阅读下载PDF 职称材料