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自供电β-Ga_(2)O_(3)/(PEA)_(2)PbI_(4)异质结深紫外光电二极管的制备与特性
1
作者
李惜雨
刘艳
+4 位作者
苏妍
张琼
李磊
边昂
刘增
《半导体技术》
CAS
北大核心
2023年第8期645-651,共7页
成功制备了β-Ga_(2)O_(3)/(PEA)_(2)PbI_(4)异质结深紫外光电二极管,其具有极低的暗电流(fA级),并且可以在0 V偏压下以自供电模式正常运行,在0 V偏压下的光暗电流比(PDCR)约为103,深紫外光响应度(R)为0.08 mA/W。在负偏压和正偏压下均...
成功制备了β-Ga_(2)O_(3)/(PEA)_(2)PbI_(4)异质结深紫外光电二极管,其具有极低的暗电流(fA级),并且可以在0 V偏压下以自供电模式正常运行,在0 V偏压下的光暗电流比(PDCR)约为103,深紫外光响应度(R)为0.08 mA/W。在负偏压和正偏压下均展现了极高线性度(1.08、1.04)。进一步系统地研究了深紫外光电二极管的高温探测性能。随着温度的升高,由于载流子迁移率降低,导致其深紫外光响应特性有所降低,R从300 K下的2.5 mA/W降低至500 K下的0.4 mA/W。基于β-Ga_(2)O_(3)/(PEA)_(2)PbI_(4)异质结的深紫外探测器展现了优异的探测水平,但是由于温度升高导致散射更强,其整体探测性能有所下降。
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关键词
异质结
紫外探测
高温
自供电
光电二极管
β-Ga_(2)O_(3)
钙钛矿
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职称材料
题名
自供电β-Ga_(2)O_(3)/(PEA)_(2)PbI_(4)异质结深紫外光电二极管的制备与特性
1
作者
李惜雨
刘艳
苏妍
张琼
李磊
边昂
刘增
机构
南京
邮电
大学
电子与光学
工
程学院、柔性电子(未来技术)学院
南京
邮电
大学
集成电路科学与
工
程学院(产教融合学院)氧化镓半导体创新中心
南京
邮电
大学
射频集成与微组装技术国家地方联合
工
程
实验室
江苏科技
大学
理学院
南京航空航天大学空天信息材料与物理工信部重点实验室
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2023年第8期645-651,共7页
基金
国家重点研发计划项目(2022YFB3605404)
国家自然科学基金青年科学基金资助项目(62204125)
+2 种基金
南京邮电大学校级大学生创新训练计划
江苏科技大学科研启动基金资助项目(1052932212)
空天信息材料与物理工信部重点实验室开放课题。
文摘
成功制备了β-Ga_(2)O_(3)/(PEA)_(2)PbI_(4)异质结深紫外光电二极管,其具有极低的暗电流(fA级),并且可以在0 V偏压下以自供电模式正常运行,在0 V偏压下的光暗电流比(PDCR)约为103,深紫外光响应度(R)为0.08 mA/W。在负偏压和正偏压下均展现了极高线性度(1.08、1.04)。进一步系统地研究了深紫外光电二极管的高温探测性能。随着温度的升高,由于载流子迁移率降低,导致其深紫外光响应特性有所降低,R从300 K下的2.5 mA/W降低至500 K下的0.4 mA/W。基于β-Ga_(2)O_(3)/(PEA)_(2)PbI_(4)异质结的深紫外探测器展现了优异的探测水平,但是由于温度升高导致散射更强,其整体探测性能有所下降。
关键词
异质结
紫外探测
高温
自供电
光电二极管
β-Ga_(2)O_(3)
钙钛矿
Keywords
heterojunction
ultraviolet detection
high temperature
self-power
photodiode
β-Ga_(2)O_(3)
perovskite
分类号
TN364.2 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
自供电β-Ga_(2)O_(3)/(PEA)_(2)PbI_(4)异质结深紫外光电二极管的制备与特性
李惜雨
刘艳
苏妍
张琼
李磊
边昂
刘增
《半导体技术》
CAS
北大核心
2023
0
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