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ZnCdTe-ZnTe多量子阱的激子线增宽
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作者 郑泽伟 范希武 +1 位作者 郑著宏 杨宝均 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第3期369-369,共1页
本文主要讨论ZnCdTe-ZnTe多量子阱激子线的均匀增宽和非均匀增宽效应。实验所有样品为常压MOCVD系统在GaAs(100)衬底上生长的含30个周期的ZnCdTe-ZnTe多量子阱材料。做光致发光实验时用配有RC... 本文主要讨论ZnCdTe-ZnTe多量子阱激子线的均匀增宽和非均匀增宽效应。实验所有样品为常压MOCVD系统在GaAs(100)衬底上生长的含30个周期的ZnCdTe-ZnTe多量子阱材料。做光致发光实验时用配有RCA-C31034型光电倍增管的Spex1404型双光栅单色仪及Boxcar4400型平均取样系统来检测。用N2激光器的337.1nm线作激发光源对Zn0.67Cd0.33Tc-ZnTe多量子阱做光致发光实验,样品的近带边有两个发光谱峰分别位于574.4nm和598.6nm处。它们分别是激子跃迁和导带电子到受主跃迁的发光峰。为使这类材料的器件达最佳应用状态,室温下的激子共振宽度应尽量地窄。激子共振宽度由非均匀增宽和均匀增宽决定的。低温下激子光谱的半高全宽比导带电子到受主跃迁谱的半高宽小很多,但随温度升高激子线宽增加很快。激子谱线的均匀线宽部分主要是通过激子与LO声子作用实现的。根据声子占有数方程,随温度升高LO声子数增加,所以激子散射时间缩短,线宽增加。这种行为已在半导体材料中被充分证明。所以均匀线宽随温度的升高而增加,非均匀线宽部分近似与温度无关。在低温下(大约低于5.0K)均匀,线宽比非均匀线? 展开更多
关键词 半导体 多量子阱 激子特性
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旋转流体斜压波三维温度结构实验研究 被引量:4
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作者 魏岗 仲孝恭 +1 位作者 谭伯彦 彭开胜 《力学学报》 EI CSCD 北大核心 1994年第5期608-615,共8页
实验研究了负径向温度梯度下转坏系统中斜压流体的对流运动,获得了该系统中旋转流体斜压波的一般特征,通过对斜压波温度场多层次细网格测量,得到了斜压波三维温度结构和表面波状急流的温度分布,并就波-波转换的不稳定性问题作了初... 实验研究了负径向温度梯度下转坏系统中斜压流体的对流运动,获得了该系统中旋转流体斜压波的一般特征,通过对斜压波温度场多层次细网格测量,得到了斜压波三维温度结构和表面波状急流的温度分布,并就波-波转换的不稳定性问题作了初步分析. 展开更多
关键词 斜压波 旋转流体 温度场 温度梯度
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