采用行星热壁式SiC外延炉对100 mm 4°偏轴4H-SiC衬底外延工艺进行了研究。分析了氢气预刻蚀工艺对4°偏轴衬底外延材料表面形貌的影响。采用双指标正交实验,通过极差分析的方法研究了C/Si比、Cl/Si比、主氢流量、生长温度、三...采用行星热壁式SiC外延炉对100 mm 4°偏轴4H-SiC衬底外延工艺进行了研究。分析了氢气预刻蚀工艺对4°偏轴衬底外延材料表面形貌的影响。采用双指标正交实验,通过极差分析的方法研究了C/Si比、Cl/Si比、主氢流量、生长温度、三路气体比等工艺参数对SiC外延厚度和掺杂浓度均匀性指标影响的主次顺序,并给出了优化的外延参数。采用该工艺条件制得的无台阶聚集形貌的SiC外延片片内厚度均匀性和浓度均匀性分别是1.23%和3.32%。展开更多
研究了100 mm Ga As赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)外延材料量产的稳定性控制。通过选择控制参数和控制周期,提高了外延材料性能的重复性和稳定性。12个样品方阻的标准差为0.53%,全部偏差1.66%。通过优化生长工艺有效的降低了样品表面颗...研究了100 mm Ga As赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)外延材料量产的稳定性控制。通过选择控制参数和控制周期,提高了外延材料性能的重复性和稳定性。12个样品方阻的标准差为0.53%,全部偏差1.66%。通过优化生长工艺有效的降低了样品表面颗粒,样品表面颗粒数量减小到612/片,这些参数均达到或超过国外主流外延厂商水平。展开更多
文摘采用行星热壁式SiC外延炉对100 mm 4°偏轴4H-SiC衬底外延工艺进行了研究。分析了氢气预刻蚀工艺对4°偏轴衬底外延材料表面形貌的影响。采用双指标正交实验,通过极差分析的方法研究了C/Si比、Cl/Si比、主氢流量、生长温度、三路气体比等工艺参数对SiC外延厚度和掺杂浓度均匀性指标影响的主次顺序,并给出了优化的外延参数。采用该工艺条件制得的无台阶聚集形貌的SiC外延片片内厚度均匀性和浓度均匀性分别是1.23%和3.32%。
文摘研究了100 mm Ga As赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)外延材料量产的稳定性控制。通过选择控制参数和控制周期,提高了外延材料性能的重复性和稳定性。12个样品方阻的标准差为0.53%,全部偏差1.66%。通过优化生长工艺有效的降低了样品表面颗粒,样品表面颗粒数量减小到612/片,这些参数均达到或超过国外主流外延厂商水平。
