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GaN高电子迁移率晶体管高频噪声特性的研究被引量：4: 1; 作者陈勇波周建军 +2 位作者徐跃杭国云川徐锐敏《微波学报》 CSCD 北大核心 2011年第6期84-88,共5页; 基于FUKUI噪声模型,分析了GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件的高频噪声特性,结果表明,由于GaN HEMT具有更高的临界电场和更大的电子饱和速度,与第2代半导体器件(GaAs HEMT等)相比具有更优越的噪声性能。对近10多年来国内外在GaN HEMT低... 展开更多; 关键词氮化镓(GaN) 高电子迁移率晶体管(HEMT) 高频噪声低噪声放大器; 在线阅读下载PDF 职称材料

SiC半导体探测器性能测量研究被引量：6: 2; 作者蒋勇范晓强 +3 位作者荣茹吴建柏松李理《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第12期1372-1375,1427,共5页; 采用241Am-α粒子源测量了研制的SiC半导体探测器的上升时间、脉冲幅度以及能量分辨率等性能,计算了空气和肖特基Ni/Au层厚度对α粒子的能量损失,测量了抽真空和加不同偏压等条件对SiC探测器性能的影响。计算表明:0.8 cm的空气层对α粒... 展开更多; 关键词 SiC探测器宽禁带 Α粒子能量分辨率; 在线阅读下载PDF 职称材料

4H-SiC肖特基二极管α探测器研究被引量：4: 3; 作者陈雨范晓强 +5 位作者蒋勇吴健白立新柏松陈刚李理《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第1期57-61,共5页; 碳化硅(SiC)是一种具有优良物理性能的宽禁带半导体材料,可作为探测器的优良探测介质。用241Am源5.486 MeV的α粒子研究4H-SiC肖特基二极管α探测器的能量分辨率和信号相对上升时间等特性。在真空室中,使SiC探测器暴露在α粒子下,SiC探... 展开更多; 关键词 α探测器肖特基二极管 4H—SiC; 在线阅读下载PDF 职称材料

SiC MESFET中Ti/Pt/Au肖特基接触稳定性的研究: 4; 作者崔晓英黄云 +2 位作者恩云飞陈刚柏松《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第10期859-861,916,共4页; SiC是一种在高功率和高温应用中涌现的非常重要的半导体材料。研究了一种国产SiC MESFET器件在300℃温度应力下,存储1 000 h Ti/Pt/Au栅肖特基势垒接触的稳定性以及器件电学特性的变化。实验结果表明在300℃温度应力下,器件的最大饱和... 展开更多; 关键词碳化硅金属肖特基场效应晶体管肖特基结栅退化稳定性; 在线阅读下载PDF 职称材料

InP基共振遂穿二极管研究: 5; 作者韩春林薛舫时 +1 位作者高建峰陈辰《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期1-3,共3页; 在实验中对InGaAs/AlAs/InP共振遂穿二极管(RTD)进行了优化设计,并用MBE设备在(100)半绝缘InP单晶片上生长了RTD外延材料。采用电子束光刻工艺和空气桥互连技术,制作了InP基RTD器件。在室温下测试了器件的电学特性,峰值电流密度24.6kA/c... 展开更多; 关键词共振遂穿二极管空气桥 MATLAB 电子束光刻分子束外延; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于4H-SiC肖特基二极管的中子探测器被引量：7: 6; 作者蒋勇吴健 +8 位作者韦建军范晓强陈雨荣茹邹德慧李勐柏松陈刚李理《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第4期664-668,共5页; 针对当前极端环境下耐辐照半导体中子探测器的需求,采用耐高温、耐辐照的碳化硅宽禁带半导体材料,利用6 Li(n,α)3 H核反应原理,研制了基于4H-SiC肖特基二极管的中子探测器。利用磁控溅射完成中子转化层的制作,并用SEM表征6 LiF膜厚。... 展开更多; 关键词中子探测器宽禁带半导体 4H-SIC; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名GaN高电子迁移率晶体管高频噪声特性的研究被引量：4: 1; 作者陈勇波周建军徐跃杭国云川徐锐敏; 机构电子科技大学电子工程学院南京电子器件研究所单片集成电路和模块国家级重点实验室; 出处《微波学报》 CSCD 北大核心 2011年第6期84-88,共5页; 基金国家自然科学基金(60876052) 中央高校基本科研业务基金(103.1.2E0220502051); 文摘基于FUKUI噪声模型,分析了GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件的高频噪声特性,结果表明,由于GaN HEMT具有更高的临界电场和更大的电子饱和速度,与第2代半导体器件(GaAs HEMT等)相比具有更优越的噪声性能。对近10多年来国内外在GaN HEMT低噪声器件及其低噪声功率放大器单片集成电路(MMIC)方面的研究进行了综述,并分析了GaN HEMT在低噪声应用领域目前存在的主要问题及其发展趋势。; 关键词氮化镓(GaN) 高电子迁移率晶体管(HEMT) 高频噪声低噪声放大器; Keywords GaN,high electron mobility transistors(HEMTs),high frequency noise characters,low noise amplifier(LNA); 分类号 TN32 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名SiC半导体探测器性能测量研究被引量：6: 2; 作者蒋勇范晓强荣茹吴建柏松李理; 机构中国工程物理研究院核物理与化学研究所四川大学原子与分子物理研究所南京电子器件研究所单片集成电路和模块国家级重点实验室; 出处《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第12期1372-1375,1427,共5页; 基金中国工程物理研究院科学技术发展基金资助项目(2012B0103005) 国家自然科学基金资助项目(11205140); 文摘采用241Am-α粒子源测量了研制的SiC半导体探测器的上升时间、脉冲幅度以及能量分辨率等性能,计算了空气和肖特基Ni/Au层厚度对α粒子的能量损失,测量了抽真空和加不同偏压等条件对SiC探测器性能的影响。计算表明:0.8 cm的空气层对α粒子有20%的能量损失,3.5μm的肖特基Au层对α粒子有39%的能量损失。在1 700 Pa的低真空环境中、350 V偏压下SiC探测器达到最佳工作条件,此时探测器的上升时间为76.9 ns,输出幅度为22.8 mV,能量分辨率为13.7%。采用更薄肖特基金属镀层(≤0.1μm)可制备出更高能量分辨率的SiC探测器。; 关键词 SiC探测器宽禁带 Α粒子能量分辨率; Keywords Silicon Carbide semiconductor detector wide Bandgap alpha- particle energy resolution; 分类号 TL814 [核科学技术—核技术及应用]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名4H-SiC肖特基二极管α探测器研究被引量：4: 3; 作者陈雨范晓强蒋勇吴健白立新柏松陈刚李理; 机构四川大学物理科学与技术学院中国工程物理研究院核物理与化学研究所中国工程物理研究院中子物理重点实验室南京电子器件研究所单片集成电路和模块国家级重点实验室; 出处《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第1期57-61,共5页; 基金中国工程物理研究院科学技术发展基金(2012B0103005); 文摘碳化硅(SiC)是一种具有优良物理性能的宽禁带半导体材料,可作为探测器的优良探测介质。用241Am源5.486 MeV的α粒子研究4H-SiC肖特基二极管α探测器的能量分辨率和信号相对上升时间等特性。在真空室中,使SiC探测器暴露在α粒子下,SiC探测器输出良好的响应信号。SiC二极管对5.486 MeVα粒子的能量分辨率最佳可达3.4%;经前置放大器FH1047输出和示波器观测,脉冲幅度随偏压增加而稳定在(35.39±0.21)mV;脉冲上升时间随偏压增加而稳定在(137.87±9.44)ns。4H-SiC肖特基二极管对α粒子响应良好,可用于α粒子强度测量。结合SiC耐辐照、耐高温等特性,进一步改进后有望制成分辨率更高、上升时间更快、耐辐照的新型α探测器和中子探测器。; 关键词 α探测器肖特基二极管 4H—SiC; Keywords ：alpha - particle detector Schottky diode 4H - SiC; 分类号 TM344.1 [电气工程—电机]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名SiC MESFET中Ti/Pt/Au肖特基接触稳定性的研究: 4; 作者崔晓英黄云恩云飞陈刚柏松; 机构信息产业部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室南京电子器件研究所单片集成电路和模块国家级重点实验室; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第10期859-861,916,共4页; 基金国家重点实验室基金资助项目(9140C03020307DZ15); 文摘 SiC是一种在高功率和高温应用中涌现的非常重要的半导体材料。研究了一种国产SiC MESFET器件在300℃温度应力下,存储1 000 h Ti/Pt/Au栅肖特基势垒接触的稳定性以及器件电学特性的变化。实验结果表明在300℃温度应力下,器件的最大饱和漏电流、势垒高度、阈值电压和跨导等参数均呈现明显的下降趋势,在实验前期一段时间内退化较快,而在应力后期某段时间内为渐变并趋于稳定。; 关键词碳化硅金属肖特基场效应晶体管肖特基结栅退化稳定性; Keywords SiC MESFET Schottky contact gate degradation stability; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名InP基共振遂穿二极管研究: 5; 作者韩春林薛舫时高建峰陈辰; 机构南京电子器件研究所单片集成电路和模块国家级重点实验室; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期1-3,共3页; 基金国家部委预研基金(9140C1404030705); 文摘在实验中对InGaAs/AlAs/InP共振遂穿二极管(RTD)进行了优化设计,并用MBE设备在(100)半绝缘InP单晶片上生长了RTD外延材料。采用电子束光刻工艺和空气桥互连技术,制作了InP基RTD器件。在室温下测试了器件的电学特性,峰值电流密度24.6kA/cm2,峰谷电流比为8.6。通过MATLAB软件对器件I-V测试曲线进行了数值拟合,结果与实验数据吻合得很好。; 关键词共振遂穿二极管空气桥 MATLAB 电子束光刻分子束外延; Keywords resonant tunneling diode air bridge MATLAB electron beam lithography MBE; 分类号 TN312.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于4H-SiC肖特基二极管的中子探测器被引量：7: 6; 作者蒋勇吴健韦建军范晓强陈雨荣茹邹德慧李勐柏松陈刚李理; 机构四川大学原子与分子物理研究所中国工程物理研究院核物理与化学研究所南京电子器件研究所单片集成电路和模块国家级重点实验室; 出处《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第4期664-668,共5页; 基金国家自然科学基金资助项目(11205140) 中国工程物理研究院科学技术发展基金资助项目(2012B0103005); 文摘针对当前极端环境下耐辐照半导体中子探测器的需求,采用耐高温、耐辐照的碳化硅宽禁带半导体材料,利用6 Li(n,α)3 H核反应原理,研制了基于4H-SiC肖特基二极管的中子探测器。利用磁控溅射完成中子转化层的制作,并用SEM表征6 LiF膜厚。在10～600V反向偏压下,漏电流维持在6.4nA以下,表明探测器具备良好的半导体-金属肖特基整流接触。利用241 Am源研究探测器对5.486 MeV的α粒子的响应,测得分辨率为4.5%。同时,利用该探测器测量了由临界装置产生并经石蜡块慢化后的热中子,观测到热中子与6 Li作用产生的α和T粒子信号的实验结果。; 关键词中子探测器宽禁带半导体 4H-SIC; Keywords neutron detector wide band gap semiconductor 4H-SiC; 分类号 TL816 [核科学技术—核技术及应用]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	GaN高电子迁移率晶体管高频噪声特性的研究	陈勇波周建军徐跃杭国云川徐锐敏	《微波学报》 CSCD 北大核心	2011	4	在线阅读下载PDF 职称材料
2	SiC半导体探测器性能测量研究	蒋勇范晓强荣茹吴建柏松李理	《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心	2012	6	在线阅读下载PDF 职称材料
3	4H-SiC肖特基二极管α探测器研究	陈雨范晓强蒋勇吴健白立新柏松陈刚李理	《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心	2013	4	在线阅读下载PDF 职称材料
4	SiC MESFET中Ti/Pt/Au肖特基接触稳定性的研究	崔晓英黄云恩云飞陈刚柏松	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2008	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	InP基共振遂穿二极管研究	韩春林薛舫时高建峰陈辰	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2008	0	在线阅读下载PDF 职称材料
6	基于4H-SiC肖特基二极管的中子探测器	蒋勇吴健韦建军范晓强陈雨荣茹邹德慧李勐柏松陈刚李理	《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心	2013	7	在线阅读下载PDF 职称材料