期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
离子注入工艺在4H-SiC器件中的应用
被引量：
1
1
作者
李春
陈刚
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第S1期252-255,共4页
介绍了离子注入工艺可在SiC器件中形成欧姆接触,其电阻值经退火后可达到10-6Ω.cm2;同时也可利用离子注入在平面工艺中形成良好的电学隔离,避免工艺复杂化,提高了成品率。最后通过B+注入形成边缘终端制作4H-SiC肖特基势垒二极管的例子...
介绍了离子注入工艺可在SiC器件中形成欧姆接触,其电阻值经退火后可达到10-6Ω.cm2;同时也可利用离子注入在平面工艺中形成良好的电学隔离,避免工艺复杂化,提高了成品率。最后通过B+注入形成边缘终端制作4H-SiC肖特基势垒二极管的例子说明了离子注入在SiC器件制造过程中所起的重要作用。
展开更多
关键词
离子注入
4H碳化硅
欧姆接触
肖特基势垒二极管
隔离技术
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
离子注入工艺在4H-SiC器件中的应用
被引量：
1
1
作者
李春
陈刚
机构
南京电子器件研究所五中心
南京
电子器件
研究所
单片集成电路与模块国家级重点实验室
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第S1期252-255,共4页
文摘
介绍了离子注入工艺可在SiC器件中形成欧姆接触,其电阻值经退火后可达到10-6Ω.cm2;同时也可利用离子注入在平面工艺中形成良好的电学隔离,避免工艺复杂化,提高了成品率。最后通过B+注入形成边缘终端制作4H-SiC肖特基势垒二极管的例子说明了离子注入在SiC器件制造过程中所起的重要作用。
关键词
离子注入
4H碳化硅
欧姆接触
肖特基势垒二极管
隔离技术
Keywords
ion implantation
4H-SiC
ohmic contact
schottky barrier diodes
isolation technique
分类号
TN303 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
离子注入工艺在4H-SiC器件中的应用
李春
陈刚
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
