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负电子亲和势光电阴极评估技术研究 被引量:10
1
作者 钱芸生 宗志圆 常本康 《真空科学与技术》 EI CSCD 北大核心 2001年第6期445-447,451,共4页
阐述了负电子亲和势 (NEA)光电阴极的评估原理 ,用NEA光电阴极的量子产额理论曲线对测试获得的实验曲线进行拟合 ,可以获得光电阴极的表面逸出概率、载流子扩散长度和后界面复合速率等参数。介绍了NEA光电阴极激活和评估系统 ,利用该系... 阐述了负电子亲和势 (NEA)光电阴极的评估原理 ,用NEA光电阴极的量子产额理论曲线对测试获得的实验曲线进行拟合 ,可以获得光电阴极的表面逸出概率、载流子扩散长度和后界面复合速率等参数。介绍了NEA光电阴极激活和评估系统 ,利用该系统对国产的反射式GaAs基片进行了激活和评估 ,文中给出并分析了测试结果。 展开更多
关键词 负电子亲和势 光电阴极 量子产额 表面逸出概率 扩散长度 性能评估
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用动态光谱响应测试技术评价多碱光电阴极的电子亲和势 被引量:3
2
作者 常本康 富容国 +1 位作者 钱芸生 容啟宁 《红外技术》 CSCD 北大核心 2002年第1期46-49,共4页
利用光谱响应和量子产额曲线首次介绍了多碱光电阴极制备过程中的电子亲和势。Na2 KSb、Na2 KSb +Cs和 [Na2 KSb +Cs]+Sb +Cs的电子亲和势分别为 0 .7~ 0 .91eV ,0 .35~ 0 .4 1eV和 0 .33eV ,并认为电子亲和势的差异取决于阴极工艺的... 利用光谱响应和量子产额曲线首次介绍了多碱光电阴极制备过程中的电子亲和势。Na2 KSb、Na2 KSb +Cs和 [Na2 KSb +Cs]+Sb +Cs的电子亲和势分别为 0 .7~ 0 .91eV ,0 .35~ 0 .4 1eV和 0 .33eV ,并认为电子亲和势的差异取决于阴极工艺的差别。在Na2 KSb形成过程中存在n型表面态 ,这些n型表面态的存在影响了Na2 KSb的重掺杂 。 展开更多
关键词 多碱光电阴极 电子亲和势 动态光谱响应 测试技术
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宽光谱吸收增强的透射式GaAs光电阴极亚波长结构设计
3
作者 高毅 过般响 +3 位作者 徐卓 李诗曼 石峰 张益军 《红外技术》 北大核心 2025年第8期963-971,共9页
负电子亲和势GaAs光电阴极具备高量子效率、暗电流小、低发射度、长波扩展潜力大等优势,在真空光电器件和真空电子源等领域具有广泛应用。对于透射式GaAs光电阴极,如何在保证较薄发射层厚度的前提下获得高的量子效率是需要攻克的难题。... 负电子亲和势GaAs光电阴极具备高量子效率、暗电流小、低发射度、长波扩展潜力大等优势,在真空光电器件和真空电子源等领域具有广泛应用。对于透射式GaAs光电阴极,如何在保证较薄发射层厚度的前提下获得高的量子效率是需要攻克的难题。本文提出了采用新型亚波长周期陷光结构的GaAlAs窗口层设计方案,以实现薄发射层透射式GaAs光电阴极宽光谱吸收增强的目的。围绕透射式GaAs光电阴极的光学性能,采用有限时域差分法进行光学仿真,在光电阴极结构设计方面开展了研究。相较传统的平面GaAs光电阴极,具有亚波长陷光结构设计的GaAs光电阴极的光吸收率显著提高。进一步,对周期为600 nm的纳米阵列的线宽、直径、高度、排列等方面进行仿真优化,获得最佳亚波长阵列结构为:线宽为440 nm,高度为490 nm,采用1/4周期交错排列的圆柱阵列,500~930nm波长范围的平均吸收率达到了84.91%,相比传统平面结构在近红外波段提升尤为显著。 展开更多
关键词 GAAS光电阴极 透射式 陷光 亚波长结构 光吸收率
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融合光声技术的生物医学成像研究进展
4
作者 于音什 高杨 +1 位作者 左超 马海钢 《陕西师范大学学报(自然科学版)》 北大核心 2025年第4期32-53,共22页
光声成像结合了光学成像的高对比度和超声成像的深层穿透力,是一种高效的非侵入式生物医学影像方法。由于减少光学散射的影响,光声成像提供了更清晰的生物组织成像。本文探讨了传统光声成像技术,包括光声断层成像、光声显微成像、光声... 光声成像结合了光学成像的高对比度和超声成像的深层穿透力,是一种高效的非侵入式生物医学影像方法。由于减少光学散射的影响,光声成像提供了更清晰的生物组织成像。本文探讨了传统光声成像技术,包括光声断层成像、光声显微成像、光声内窥成像以及光声功能分子成像。进一步分析了4种新型光声成像技术,包括光声黏弹性成像、光声引导的波前整形、偏振光声成像技术和光声信号的光学检测方法。相较于传统技术,这些新方法引入了高级光学控制和信号处理技术,以提升成像的准确性和分辨率;但新型光声成像技术面临提升成像速度、增强信号的可检测性及优化系统的用户友好性等挑战。在此基础上,本文总结了光声成像在实现高分辨率和深层成像的主要方法。未来,光声成像技术有望通过进一步的硬件创新和算法优化,以实现成像的实时性、系统的易用性和检测的安全性。随着多模态成像系统的发展,光声成像可能与其他成像技术(如磁共振成像、CT或正电子发射断层成像)结合,提供更全面的生物医学成像方案。 展开更多
关键词 光声成像 生物医学光学 医学影像技术
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GaAs光电阴极制备过程中多信息量测试技术研究 被引量:14
5
作者 邹继军 钱芸生 +2 位作者 常本康 王惠 王世允 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期172-175,共4页
研制了一套基于现场总线技术的GaAs光电阴极多信息量测试系统,该系统可在线测试和保存阴极制备过程中的大部分信息量,如激活系统的真空度、阴极光电流、光谱响应曲线、Cs源和O源电流等。实验测试了GaAs光电阴极加热净化过程中真空度... 研制了一套基于现场总线技术的GaAs光电阴极多信息量测试系统,该系统可在线测试和保存阴极制备过程中的大部分信息量,如激活系统的真空度、阴极光电流、光谱响应曲线、Cs源和O源电流等。实验测试了GaAs光电阴极加热净化过程中真空度随温度的变化曲线,分析发现,高温净化时有几个真空度下降较快的区域,为160℃~280℃、400℃~500℃、570℃~600℃,分别是由于.AsO的脱附和水分的蒸发、As2O3分解和Ga2O脱附、GaAs和Ga2O3的分解所致,低温净化真空度在370℃后下降较快,这是由于吸附在阴极表面的Cs脱附速度加快造成的。实验还测试了激活过程中多种信息量的变化,发现了真空度和光电流随Cs源和O源电流的变化规律,这些大大方便了对激活工艺进行深入细致的分析研究。 展开更多
关键词 GAAS光电阴极 多信息量 压强 热脱附 光电流 现场总线
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负电子亲和势GaN光电阴极铯吸附机理研究 被引量:5
6
作者 乔建良 徐源 +2 位作者 高有堂 牛军 常本康 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第4期76-81,共6页
为了得到铯吸附与阴极电子亲和势变化之间的定量关系,利用NEA光电阴极激活评估实验系统对GaN光电阴极进行了铯激活.根据半导体光电发射理论和双偶极层模型,通过对电子亲和势随铯覆盖度变化的实验结果进行拟合运算,得到电子亲和势与铯覆... 为了得到铯吸附与阴极电子亲和势变化之间的定量关系,利用NEA光电阴极激活评估实验系统对GaN光电阴极进行了铯激活.根据半导体光电发射理论和双偶极层模型,通过对电子亲和势随铯覆盖度变化的实验结果进行拟合运算,得到电子亲和势与铯覆盖度之间的函数关系式.分析了铯的吸附机理,得到激活过程中铯的吸附过程与GaN材料有效电子亲和势下降之间的关系.实验表明:负电子亲和势GaN光电阴极材料在铯激活时光电流随着铯覆盖度的增加而从本底值增为极大值,激活过程中GaN电子能量分布曲线低动能截止点的位置决定于铯的覆盖度.当铯的覆盖度从0、1/2、2/3到1个单层变化时,低动能截止点依次向左移动,当覆盖度从0增加到1个单层时,低动能截止点向左移动了约3eV的距离.研究表明,低动能截止点左移本质上是由于对电子逸出起促进作用的有效偶极子[GaN(Mg):Cs]数量的增多造成的,有效偶极子数量的增多带来了材料表面真空能级的下降. 展开更多
关键词 半导体材料 负电子亲和势 双偶极层模型 GAN 光电阴极 光电流 铯吸附
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防空武器系统光电瞄具的模拟训练技术研究 被引量:4
7
作者 钱芸生 郭献成 +1 位作者 高强 常本康 《兵工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第9期1107-1109,共3页
模拟训练器可以为防空武器系统的训练提供虚拟的空中目标,以解决对空训练难以实施的困难。介绍了一种具有视频显示屏的光电瞄具的模拟训练器,阐述了其工作原理、硬件组成和软件实现过程。结果表明该模拟训练器可以模拟武器系统的瞄准、... 模拟训练器可以为防空武器系统的训练提供虚拟的空中目标,以解决对空训练难以实施的困难。介绍了一种具有视频显示屏的光电瞄具的模拟训练器,阐述了其工作原理、硬件组成和软件实现过程。结果表明该模拟训练器可以模拟武器系统的瞄准、跟踪、测距、解算角度提前量和射击的整个训练过程,模拟效果逼真有效,并具有良好的实时性。 展开更多
关键词 计算机应用 模拟训练器 光电瞄具 虚拟现实 VEGA
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GaAs光电阴极原位光谱响应测试技术研究 被引量:14
8
作者 钱芸生 宗志圆 常本康 《真空科学与技术》 EI CSCD 北大核心 2000年第5期305-307,共3页
阐述了GaAs光电阴极的原位光谱响应曲线的测试原理 ,介绍了GaAs光电阴极激活和评估系统 ,该系统可在GaAs光电阴极激活过程中在线测试其在 40 0~ 12 0 0nm之间的光谱响应曲线 ,给出并分析了该系统对反射式GaAs光电阴极的测试结果。结果... 阐述了GaAs光电阴极的原位光谱响应曲线的测试原理 ,介绍了GaAs光电阴极激活和评估系统 ,该系统可在GaAs光电阴极激活过程中在线测试其在 40 0~ 12 0 0nm之间的光谱响应曲线 ,给出并分析了该系统对反射式GaAs光电阴极的测试结果。结果表明 。 展开更多
关键词 砷化镓 光谱响应 量子产额 光电阴极 原位测试
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基于目标识别的光电多传感器信息融合技术 被引量:6
9
作者 胡江华 周建勋 +1 位作者 王庆宝 张保民 《红外与激光工程》 EI CSCD 1996年第6期31-35,30,共6页
针对军事上的目标识别问题,论述了光电多传感器信息融合技术,包括光电多传感器信息融合的概念、原理、算法及应用。指出了光电多传感器信息融合中存在的主要问题及解决方法,并预测了发展趋势。
关键词 多传感器 数据融合 光电传感器 目标识别
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多碱光电阴极多信息量测试技术研究 被引量:6
10
作者 钱芸生 富容国 +1 位作者 徐登高 常本康 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 1999年第2期111-115,共5页
阐述了多碱光电阴极的单色光反射比、单色光电流和光谱响应曲线的测试原理 ,这些参量的获得对分析、指导阴极工艺是很有价值的。介绍了多碱光电阴极多信息量测试系统 ,该系统可在多碱光电阴极制备过程中在线测试、处理多碱阴极的单色光... 阐述了多碱光电阴极的单色光反射比、单色光电流和光谱响应曲线的测试原理 ,这些参量的获得对分析、指导阴极工艺是很有价值的。介绍了多碱光电阴极多信息量测试系统 ,该系统可在多碱光电阴极制备过程中在线测试、处理多碱阴极的单色光反射比、单色光电流和光谱响应曲线等参量 。 展开更多
关键词 多碱 光电阴极 光学反射比 光谱 多信息测试
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多碱光电阴极单色光电流测试技术研究 被引量:3
11
作者 钱芸生 富容国 +1 位作者 徐登高 常本康 《南京理工大学学报》 EI CAS CSCD 1999年第1期34-37,共4页
多碱光电阴极的单色光电流实质上反映的是其在该单色光照射下的量子产额。该文阐述了单色光电流的测试原理和影响量子产额的因素,介绍了多碱光电阴极多信息量测试系统,该系统可在多碱光电阴极制备过程中在线测试、处理阴极的单色光电... 多碱光电阴极的单色光电流实质上反映的是其在该单色光照射下的量子产额。该文阐述了单色光电流的测试原理和影响量子产额的因素,介绍了多碱光电阴极多信息量测试系统,该系统可在多碱光电阴极制备过程中在线测试、处理阴极的单色光电流,测得的曲线有助于分析和指导工艺,从中还可得到光电子逸出深度的信息。该文给出并分析了在该系统应用于玻璃阴极实验管制备过程中的测试结果。 展开更多
关键词 多碱光电阴极 量子产额 单色光电流 光电流 测试
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负电子亲和势GaN阴极光电发射机理研究 被引量:1
12
作者 李飙 任艺 +1 位作者 常本康 陈文聪 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第8期37-40,共4页
GaN阴极中光电子的发射分为价带电子的激发、光生载流子的输运和载流子的发射3个阶段。分析了激发阶段GaN光电阴极中电子吸收入射光产生从价带到导带的跃迁过程和输运阶段导带中的光电子从体内到表面的扩散过程及发射阶段GaN阴极表面光... GaN阴极中光电子的发射分为价带电子的激发、光生载流子的输运和载流子的发射3个阶段。分析了激发阶段GaN光电阴极中电子吸收入射光产生从价带到导带的跃迁过程和输运阶段导带中的光电子从体内到表面的扩散过程及发射阶段GaN阴极表面光电子的逸出过程;推导了Cs激活过程中到达阴极表面光激发电子的逸出几率公式;比较了仅用Cs激活和共用Cs/O激活过程中到达阴极表面光激发电子逸出几率的变化情况;结果表明:GaN阴极的光电发射为直接跃迁激发,输运阶段仅遭受电子-声子散射,表面光激发电子的逸出几率取决于激活程度,引入Cs是激活的必需因素,O的引入仅可小幅度提升光电发射效率;最后利用实验证实了Cs激活的充分性。 展开更多
关键词 负电子亲和势 GAN 光电阴极 光电发射 激发 输运 激活
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GaAs∶Cs-O NEA光电阴极电子表面逸出几率的计算 被引量:1
13
作者 宗志园 富容国 +1 位作者 钱芸生 常本康 《红外技术》 CSCD 北大核心 2002年第3期27-30,共4页
介绍了计算CaAs∶Cs ONEA光电阴极电子表面逸出几率的方法 ,选用双偶极层表面模型 ,计算了两个偶极层形成的界面势垒各自对电子表面逸出几率的影响 ,提出了增大电子表面逸出几率的条件 。
关键词 光电阴极 NEA 电子 表面逸出几率 偶极层 负电子亲和势 砷化镓
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大面积MCP-PMT K_2CsSb光电阴极理论与测控技术研究 被引量:6
14
作者 常本康 《红外技术》 CSCD 北大核心 2013年第8期455-462,共8页
针对SBA/UBA光电阴极和中国科学院高能物理研究所380-510nm转换波长的闪烁体,分别从KzCsSb光电阴极第一性原理、结构优化、以及材料生长机理与测控技术等方面进行研究。第一性原理计算结果表明,双碱光电阴极K1.75CsSb1.25是直接禁带... 针对SBA/UBA光电阴极和中国科学院高能物理研究所380-510nm转换波长的闪烁体,分别从KzCsSb光电阴极第一性原理、结构优化、以及材料生长机理与测控技术等方面进行研究。第一性原理计算结果表明,双碱光电阴极K1.75CsSb1.25是直接禁带半导体,能带弯曲最大,功函数最小;中微子与闪烁体相互作用后发射光子的光谱范围在380-510nm,可以确定双碱阴极透射式工作范围在2.92~3.26eV,反射式工作范围在2.43-2.92eV;针对球形光电倍增管结构,提出了透射式与反射式阴极量子效率最大化方案和K1.75CsSb1.25阴极6点监控制备方法,给出了测试方法。 展开更多
关键词 光电倍增器 光电阴极 第一性原理 能带结构 制备工艺
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负电子亲和势光电阴极50年史话 被引量:3
15
作者 常本康 《红外技术》 CSCD 北大核心 2015年第10期801-806,共6页
本文是负电子亲和势光电阴极发现50周年的纪念文章,简要回顾了过去的成绩,现在的困难及今后的展望。经过近30年的努力,我国MOCVD生长的反射式Ga As光电阴极的积分灵敏度已达到3516?A/lm,目前存在的困难是光电阴极寿命问题,寿命问题解决... 本文是负电子亲和势光电阴极发现50周年的纪念文章,简要回顾了过去的成绩,现在的困难及今后的展望。经过近30年的努力,我国MOCVD生长的反射式Ga As光电阴极的积分灵敏度已达到3516?A/lm,目前存在的困难是光电阴极寿命问题,寿命问题解决了,高性能微光像增强器以及EBAPS数字器件可以缩短与西方的差距。如果高灵敏度长寿命的Ga As:O-Cs光电阴极真正取代了目前大科学装置中的铜阴极,基于我国大科学装置的基础研究才会迎来真正的科学春天。 展开更多
关键词 光电阴极 像增强器 能带结构 光源 EBAPS
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NEA光电阴极电子表面逸出几率的计算和应用
16
作者 宗志园 钱芸生 +1 位作者 富容国 常本康 《南京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期641-644,669,共5页
该文介绍了计算NEA光电阴极电子表面逸出几率的新方法 ,选用双偶极层表面模型 ,计算了GaAs :Cs -ONEA光电阴极的电子表面逸出几率 ,比较了 2种双偶极层模型的异同点 ,计算结果显示电子表面逸出几率受第一偶极层的影响较大 。
关键词 NEA 电子表面逸出几率 计算 光电阴极 偶极子 双偶极层模型 光电子学
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NEA光电阴极研究的最新进展及其制备技术探讨
17
作者 乔建良 常本康 +1 位作者 田思 高有堂 《红外技术》 CSCD 北大核心 2007年第3期136-139,共4页
以GaAs为代表的NEA光电阴极的应用范围越来越广,经过几十年的发展,NEA光电阴极的研究已经取得比较显著的成就,但就NEA光电阴极本身而言,尚有许多问题没研究清楚。从NEA光电阴极的掺杂方式、激活工艺、性能评估、铟封工艺和稳定性等方面... 以GaAs为代表的NEA光电阴极的应用范围越来越广,经过几十年的发展,NEA光电阴极的研究已经取得比较显著的成就,但就NEA光电阴极本身而言,尚有许多问题没研究清楚。从NEA光电阴极的掺杂方式、激活工艺、性能评估、铟封工艺和稳定性等方面探讨了最新的研究进展,给出了最新的技术指标及实现这些指标的方法,为下一步的深入研究提供必要的参考。 展开更多
关键词 NEA光电阴极 掺杂方式 激活工艺 性能评估 铟封工艺
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双谱假彩色微光电视系统原理与技术研究
18
作者 孔捷 刘玉凤 柏连发 《南京理工大学学报》 EI CAS CSCD 1997年第6期552-555,564,共5页
该文对双谱假彩色微光电视系统的原理进行论述,探讨了实现双谱假彩色微光电视系统的有关技术。双谱探测技术是这种彩色微光技术的重要组成部分和理论基础,其关键就是根据夜天光辐射以及景物夜晚光谱反射特性,选择合适的对比度转换点... 该文对双谱假彩色微光电视系统的原理进行论述,探讨了实现双谱假彩色微光电视系统的有关技术。双谱探测技术是这种彩色微光技术的重要组成部分和理论基础,其关键就是根据夜天光辐射以及景物夜晚光谱反射特性,选择合适的对比度转换点位置,分割有效光谱为两部分;彩色最佳逼近技术,就是研究如何选择这一对比度转换点位置和适当算法,才能使双谱彩色微光图象具有最佳的分辨率和图象探测率;最后给出系统实现方法、实验结果及分析。 展开更多
关键词 夜视 微光电视 光探测
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一种基于矩阵填充的稀疏阵波达方向估计技术 被引量:1
19
作者 范王恺 芮义斌 +1 位作者 李鹏 谢仁宏 《南京理工大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第3期384-389,共6页
为了提高稀疏阵列波达方向(DOA)估计的性能,该文将低秩矩阵重构理论应用到DOA估计中,提出了一种改进的矩阵填充模型及其优化求解方法。该方法利用Sigmoid函数实现核范数约束并建立最小化模型;然后基于粒子群算法改进增广拉格朗日乘子法... 为了提高稀疏阵列波达方向(DOA)估计的性能,该文将低秩矩阵重构理论应用到DOA估计中,提出了一种改进的矩阵填充模型及其优化求解方法。该方法利用Sigmoid函数实现核范数约束并建立最小化模型;然后基于粒子群算法改进增广拉格朗日乘子法,对模型实现低秩优化求解;最后利用多信号分类(MUSIC)算法实现DOA估计。仿真结果表明,该方法能有效实现稀疏阵重构,DOA估计的性能优良,且能够适用于相关信源。 展开更多
关键词 波达方向估计 稀疏阵列 矩阵填充 增广拉格朗日乘子法 粒子群寻优算法
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光场表征及其分辨率提升技术:文献综述及最新进展(特邀) 被引量:1
20
作者 张润南 周宁 +3 位作者 周子豪 杜和恒 陈钱 左超 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2024年第9期116-158,共43页
自高斯时代以来,成像系统的设计和开发便始终致力于透镜的持续迭代和优化,以收集来自物平面上某点向不同方向发射的光线,并尽可能完美地将其汇聚到像平面上的一个点。然而,成像传感器仅能捕捉并记录下光线的空间位置信息,导致角度信息... 自高斯时代以来,成像系统的设计和开发便始终致力于透镜的持续迭代和优化,以收集来自物平面上某点向不同方向发射的光线,并尽可能完美地将其汇聚到像平面上的一个点。然而,成像传感器仅能捕捉并记录下光线的空间位置信息,导致角度信息的丢失,并完全丧失了对三维场景的视角变换与深度感知能力。为了弥补这一缺陷,计算光场成像技术应运而生,它能够记录空间光辐射场的完整分布,联合记录空间位置和角度信息,突破了经典成像的局限性,正逐渐被应用于生命科学、国防安全、虚拟现实/增强现实、环境监测等领域,具有重要的学术研究价值和广阔的应用潜力。然而,光场成像技术仍然受到数字成像器件和图像传感器的联合制约,成像系统的有限空间带宽积致使光场成像在实际应用中往往需要在空间分辨率和角度分辨率之间做出权衡,导致难以达到传统成像技术的高空间分辨率。自光场成像技术诞生以来,如何赋予其更高的自由度,即在保持高分辨率成像的前提下,提高时间分辨率和角度分辨率,从而实现更清晰、更立体的成像性能是光场成像技术亟需解决的关键问题,也一直是该领域的研究热点。该综述全面回顾了光场成像技术的发展历程,阐述了全光函数和四维光场的基本概念,并总结了在时间、空间和角度这三个维度上实现高分辨率成像的关键方法,最后还对光场成像技术的未来发展趋势进行了展望。 展开更多
关键词 光场成像 计算成像 超分辨率成像 显微成像
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