采用射频磁控溅射技术在Sr Ti O_3(100)衬底上制备Fe_(81)Ga_(19)薄膜。利用XRD、AFM和VSM表征了Fe_(81)Ga_(19)薄膜的生长取向、内应力、表面形貌和磁性,研究了不同溅射功率(60~100 W)对Fe_(81)Ga_(19)薄膜结构和磁性能的影响。结果表...采用射频磁控溅射技术在Sr Ti O_3(100)衬底上制备Fe_(81)Ga_(19)薄膜。利用XRD、AFM和VSM表征了Fe_(81)Ga_(19)薄膜的生长取向、内应力、表面形貌和磁性,研究了不同溅射功率(60~100 W)对Fe_(81)Ga_(19)薄膜结构和磁性能的影响。结果表明,所有薄膜主要以A_2相和L1_2相存在。随着溅射功率的增大,A_2相衍射峰的强度缓慢降低,内应力显著增加,表面粗糙度降低,薄膜的剩余磁化强度和饱和磁化强度明显减小,而矫顽力保持不变,都为50 Oe。展开更多
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文摘采用射频磁控溅射技术在Sr Ti O_3(100)衬底上制备Fe_(81)Ga_(19)薄膜。利用XRD、AFM和VSM表征了Fe_(81)Ga_(19)薄膜的生长取向、内应力、表面形貌和磁性,研究了不同溅射功率(60~100 W)对Fe_(81)Ga_(19)薄膜结构和磁性能的影响。结果表明,所有薄膜主要以A_2相和L1_2相存在。随着溅射功率的增大,A_2相衍射峰的强度缓慢降低,内应力显著增加,表面粗糙度降低,薄膜的剩余磁化强度和饱和磁化强度明显减小,而矫顽力保持不变,都为50 Oe。
