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基于孔缝设计的开关电源外壳电磁屏蔽特性研究 被引量:7
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作者 白婉宁 赵阳 +2 位作者 刘强强 蓝雨晨 邱巍 《南京师范大学学报(工程技术版)》 CAS 2019年第4期86-91,共6页
随着电子设备高度集成化,高速数字印刷电路产生的辐射骚扰日益严重,电磁屏蔽方法可有效扼制辐射干扰噪声.然而,电子设备外壳易产生孔缝泄漏,大大降低了其电磁屏蔽效能.针对开关电源,探讨了原理,利用CST仿真软件对不同开孔情况进行比较,... 随着电子设备高度集成化,高速数字印刷电路产生的辐射骚扰日益严重,电磁屏蔽方法可有效扼制辐射干扰噪声.然而,电子设备外壳易产生孔缝泄漏,大大降低了其电磁屏蔽效能.针对开关电源,探讨了原理,利用CST仿真软件对不同开孔情况进行比较,得到一般性结论,为辐射噪声抑制提供了理论依据. 展开更多
关键词 开关电源 屏蔽效能 开孔方式 孔阵排布
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抑制辐射骚扰的磁环特性建模研究及其应用 被引量:1
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作者 孙明辉 王永安 +1 位作者 赵阳 邱巍 《南京师范大学学报(工程技术版)》 CAS 2019年第4期62-69,共8页
介绍了辐射骚扰机理和磁环抑制辐射骚扰原理,建立了磁环抑制辐射骚扰模型,运用毕奥-萨伐尔定律推导出磁环抑制电磁干扰的理论表达式,分析并使用MATLAB仿真了磁环形状、磁导率对抑制效果的影响.结果表明,电磁干扰抑制效果随磁环长度的变... 介绍了辐射骚扰机理和磁环抑制辐射骚扰原理,建立了磁环抑制辐射骚扰模型,运用毕奥-萨伐尔定律推导出磁环抑制电磁干扰的理论表达式,分析并使用MATLAB仿真了磁环形状、磁导率对抑制效果的影响.结果表明,电磁干扰抑制效果随磁环长度的变化快于随外径的变化,抑制效果的变化趋势与磁导率成正相关.使用3 m电半波暗室针对磁环形状、磁导率对抑制效果的影响作了实验分析,仿真结果与实验结果一致. 展开更多
关键词 辐射骚扰机理 磁环模型 毕奥-萨伐尔定律 实验分析
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基于Levenberg-Marquardt算法的碳化硅MOSFET建模研究
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作者 赵奕昕 刘守城 +2 位作者 颜伟 祝志博 居铭 《南京师范大学学报(工程技术版)》 CAS 2022年第3期30-37,共8页
为了更快速准确地对碳化硅MOSFET功率器件进行开关行为预测与分析,需要建立其静态和动态行为模型.静态模型包括不同温度下的转移特性曲线和输出特性曲线,以及寄生非线性电容曲线等.提出了一种基于EKV公式改进的曲线拟合公式和一种新的... 为了更快速准确地对碳化硅MOSFET功率器件进行开关行为预测与分析,需要建立其静态和动态行为模型.静态模型包括不同温度下的转移特性曲线和输出特性曲线,以及寄生非线性电容曲线等.提出了一种基于EKV公式改进的曲线拟合公式和一种新的非线性电容拟合公式,利用Levenberg-Marquardt算法进行参数拟合,建模速度快,模型误差小.动态模型在考虑封装寄生电感和寄生非线性电容等非理想条件下,分别建立器件导通和关断过程每一个阶段的栅源极电压、漏源极电压、肖特基二极管电压、栅极电流和漏极电流的电路微分方程组,再以每一个阶段结束时的状态变量作为下一个阶段的初始条件.采用4阶龙格库塔法求解上述微分方程组的数值解,并与LTspice仿真波形进行对比分析.结果表明,上述建模方法能较好地描述器件的动态行为特性. 展开更多
关键词 碳化硅MOSFET 静态特性建模 动态行为模型 寄生非线性电容 LEVENBERG-MARQUARDT算法
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特快速暂态过电压信号下的屏蔽线端口串扰电压分析
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作者 刘寒春 周建明 +1 位作者 刘守城 赵阳 《南京师范大学学报(工程技术版)》 CAS 2021年第4期8-12,共5页
研究气体绝缘变电站(gas insulated subsation,GIS)中隔离开关进行分合闸操作时,其绝缘气体被击穿所产生的特快速暂态过电压(very fast transient over-voltage,VFTO)在线缆中的传输特性.将传输线系统分为内、外回路,分别运用域有限差... 研究气体绝缘变电站(gas insulated subsation,GIS)中隔离开关进行分合闸操作时,其绝缘气体被击穿所产生的特快速暂态过电压(very fast transient over-voltage,VFTO)在线缆中的传输特性.将传输线系统分为内、外回路,分别运用域有限差分法对电报方程进行求解,得到传输线的端口暂态响应.计算结果与CST CABLE STUDIO仿真结果高度吻合,表明所提模型与计算方法的有效性,该方法的提出对于一、二次侧传输线缆的串扰、衰减特性分析具有重要意义. 展开更多
关键词 特快速暂态过电压 串扰 屏蔽线 时域有限差分法
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