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基于T形阳极GaAs肖特基二极管薄膜集成电路工艺的664 GHz次谐波混频器
被引量：
2
1
作者
牛斌
钱骏
+6 位作者
范道雨
王元庆
梅亮
戴俊杰
林罡
周明
陈堂胜
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第5期634-637,共4页
报道了用于冰云探测的基于0.5μm T形阳极砷化镓肖特基二极管薄膜集成电路工艺664 GHz次谐波混频器。为降低器件寄生参数,提升太赫兹频段电路性能,设计并分析了了T形阳极GaAsSBD器件结构,开发了厚度仅5μm的薄膜电路工艺。混频器芯片组...
报道了用于冰云探测的基于0.5μm T形阳极砷化镓肖特基二极管薄膜集成电路工艺664 GHz次谐波混频器。为降低器件寄生参数,提升太赫兹频段电路性能,设计并分析了了T形阳极GaAsSBD器件结构,开发了厚度仅5μm的薄膜电路工艺。混频器芯片组装成664 GHz接收模块,经测试室温下664 GHz最小双边带变频损耗达到9.9 dB。
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关键词
砷化镓肖特基二极管
薄膜电路
次谐波混频器
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职称材料
题名
基于T形阳极GaAs肖特基二极管薄膜集成电路工艺的664 GHz次谐波混频器
被引量：
2
1
作者
牛斌
钱骏
范道雨
王元庆
梅亮
戴俊杰
林罡
周明
陈堂胜
机构
南京
电子
器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室
南京
中电芯谷高频器件产业技术研究院
有限公司
南京安太芯电子有限公司
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第5期634-637,共4页
基金
Supported by the national key R&D program of China(2018YFF0109301)。
文摘
报道了用于冰云探测的基于0.5μm T形阳极砷化镓肖特基二极管薄膜集成电路工艺664 GHz次谐波混频器。为降低器件寄生参数,提升太赫兹频段电路性能,设计并分析了了T形阳极GaAsSBD器件结构,开发了厚度仅5μm的薄膜电路工艺。混频器芯片组装成664 GHz接收模块,经测试室温下664 GHz最小双边带变频损耗达到9.9 dB。
关键词
砷化镓肖特基二极管
薄膜电路
次谐波混频器
Keywords
GaAs SBD
membrane circuit
sub harmonic mixer
分类号
TN304.2 [电子电信—物理电子学]
TN315.3 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
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被引量
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1
基于T形阳极GaAs肖特基二极管薄膜集成电路工艺的664 GHz次谐波混频器
牛斌
钱骏
范道雨
王元庆
梅亮
戴俊杰
林罡
周明
陈堂胜
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021
2
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