宽带隙半导体材料光电性能的测试

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作者 郭媛 陈鹏 +4 位作者 孟庆芳 于治国 杨国锋 张荣 郑有炓 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第11期817-820,共4页

主要通过光致发光的实验手段,研究分析了在自支撑GaN衬底上生长的InGaN/GaN多量子阱(InGaN/GaN MQW)有源层中的载流子复合机制,实验中发现多量子阱的光致发光光谱中有一个与有源区中的深能级相关的额外的发光峰。在任何温度大功率激发... 主要通过光致发光的实验手段,研究分析了在自支撑GaN衬底上生长的InGaN/GaN多量子阱(InGaN/GaN MQW)有源层中的载流子复合机制,实验中发现多量子阱的光致发光光谱中有一个与有源区中的深能级相关的额外的发光峰。在任何温度大功率激发条件下,自由激子的带边复合占主导地位,并且带边复合的强度随温度或激发功率的下降而减弱;在室温以下小功率激发条件下,局域化能级引入的束缚激子复合占主导地位,其复合强度随温度的下降而单调上升,随激发功率的下降而上升。带边复合在样品温度上升或者激发功率变大时发生蓝移,而局域的束缚激子复合辐射的峰值波长,随样品温度和激发功率的变化没有明显变化。 展开更多

关键词 光致发光 深能级 自由激子 束缚激子 多量子阱 蓝移

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大失配、强极化第三代半导体材料体系生长动力学和载流子调控规律 被引量：2

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作者 王新强 黎大兵 +2 位作者 刘斌 孙钱 张进成 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第11期1305-1309,共5页

高质量氮化镓(Ga N)材料是发展第三代半导体光电子与微电子器件的根基。大失配、强极化和非平衡态生长是Ga N基材料及其量子结构的固有特点,对其生长动力学和载流子调控规律的研究具有重要的科学意义与实用价值,受到各国科学界与产业界... 高质量氮化镓(Ga N)材料是发展第三代半导体光电子与微电子器件的根基。大失配、强极化和非平衡态生长是Ga N基材料及其量子结构的固有特点,对其生长动力学和载流子调控规律的研究具有重要的科学意义与实用价值,受到各国科学界与产业界广泛高度重视。本文对大失配、强极化氮化物半导体材料体系外延生长动力学和载流子调控规律进行了研究,旨在攻克蓝光发光效率限制瓶颈,突破高Al和高In氮化物材料制备难题,实现高发光效率量子阱和高迁移率异质结构,制备多波段、高效率发光器件和高频率、高耐压电子器件,实现颠覆性的技术创新和应用,带动电子材料产业转型升级。 展开更多

关键词 氮化镓 大失配 强极化 生长动力学 载流子调控

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基于单片机的可见光及紫外光强探测系统 被引量：5

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作者 胡立群 陈敦军 张开骁 《电子设计工程》 2013年第24期81-83,86,共4页

BH750FVI是一种具有I2C总线接口的环境光强探测芯片,UVM-30是一种具有线性电压输出的紫外线探测模块。几乎不需要其他外围电路,采用这两种器件就可以与单片机构成一种涵盖从紫外到可见光的光强探测系统。本文详细介绍了这两种探测器的... BH750FVI是一种具有I2C总线接口的环境光强探测芯片,UVM-30是一种具有线性电压输出的紫外线探测模块。几乎不需要其他外围电路,采用这两种器件就可以与单片机构成一种涵盖从紫外到可见光的光强探测系统。本文详细介绍了这两种探测器的性能特点及其与单片机STC12C5608AD的连接方式;给出了单片机对这两种探测器的控制、光强数据的获取、以及数据显示等方法。采用具有数字接口或规格化输出的探测器构成的测量系统,结构紧凑,可靠性和稳定性都很高。 展开更多

关键词 光强探测器 I2C总线 BH750FVI UVM-30 STC12C5608AD

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基于STC10F04EX的多串口数据收发系统 被引量：4

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作者 胡立群 陈敦军 《现代电子技术》 2010年第22期199-202,共4页

为了转发水质监测数据,采用新型的1T周期单片机STC10F04EX为控制核心,将双4选1模拟开关4052的2个公用端与单片机的RxD、TxD端连接,通过分时连通的方式,对单片机的UART进行扩展,构成一个多串口的数据转发系统。扩展的串口分别连接到3个... 为了转发水质监测数据,采用新型的1T周期单片机STC10F04EX为控制核心,将双4选1模拟开关4052的2个公用端与单片机的RxD、TxD端连接,通过分时连通的方式,对单片机的UART进行扩展,构成一个多串口的数据转发系统。扩展的串口分别连接到3个不同的水质监测设备,以及一个与无线发射模块。单片机分时得到3个水质监测设备传来的数据,并将得到的数据通过无线模块进行转发,转发距离可达3 000 m。远离现场的计算机完成数据接收及分析。该方法用于对单片机串口扩展和远距离数据传送简洁可靠。所建的数据收发系统,可以同时连接多台串口监测设备,弥补了计算机串口较少的不足,并且功能有别于多串口卡。该系统已成功应用于多传感器水环境监测的数据转发。 展开更多

关键词 STC10F04EX 串口 收发控制 水质监测 无线模块

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分布式探测器系统测量数据的无线传送 被引量：2

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作者 胡立群 陈敦军 张开骁 《现代电子技术》 2013年第19期95-98,共4页

为了在一个广阔区域中监测水质变化,需要布居多个智能传感器,采用无线数据传送是理想的数据汇总方式。分析比较了无线射频模块、GSM模块、GPRS模块的特性,给出了本地单片机与这3种模块进行连接的方法,以及如何通过这3种模块进行无线数... 为了在一个广阔区域中监测水质变化,需要布居多个智能传感器,采用无线数据传送是理想的数据汇总方式。分析比较了无线射频模块、GSM模块、GPRS模块的特性,给出了本地单片机与这3种模块进行连接的方法,以及如何通过这3种模块进行无线数据传送;同时也给出了在一种分布式系统中对终端数据信息的识别方法。所建立的基于无线传输的分布式水环境监测系统已投入试验应用。 展开更多

关键词 无线射频模块 GSM GPRS模块 分布式探测器 数据传送

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基于SPI互连的多串口系统 被引量：2

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作者 胡立群 陈敦军 《电子设计工程》 2010年第12期67-70,84,共5页

针对个人计算机只有1～2个串口,给同时连接多个串口设备进行联合测量带来的不便,提出了一种由多个单片机基于高速同步串行接口(SPI)互连的串口扩展方法。采用此方法所建的系统只需占用1个现有的串口或USB口,就可连接3个以上的串口设备... 针对个人计算机只有1～2个串口,给同时连接多个串口设备进行联合测量带来的不便,提出了一种由多个单片机基于高速同步串行接口(SPI)互连的串口扩展方法。采用此方法所建的系统只需占用1个现有的串口或USB口,就可连接3个以上的串口设备。该系统由多个STC12C5410AD单片机构成主体,该型号单片机同时具有UART和SPI。系统中的单片机以"单主—多从"结构进行SPI总线互连,主机与从机通过SPI方式交换信息和数据,每个从机的串口可以连接1个外部串口设备并交换数据,同时主机的串口可与上位计算机相连,从而实现上位计算机通过该系统与多个下位串口设备交换数据。系统中,主机和从机都开辟有一定的数据缓存区,并且使主机的数据吞吐率高于从机的总和。此外,还介绍了数据交换协议、存储器的组织、软件结构等。 展开更多

关键词 信息处理技术 串口扩展 SPI UART

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红橙光InGaN/GaN量子阱的结构与光学性质研究

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作者 苏辉 张荣 +8 位作者 谢自力 刘斌 李毅 傅德颐 赵红 华雪梅 韩平 施毅 郑有炓 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第10期747-750,共4页

采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术生长了具有高In组分InGaN阱层的InGaN/GaN多量子阱(MQW)结构,高分辨X射线衍射(HRXRD)ω-2θ扫描拟合得到阱层In含量28%。比较大的表面粗糙度表明有很大的位错密度。室温下光致荧光(PL)研究发现该... 采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术生长了具有高In组分InGaN阱层的InGaN/GaN多量子阱(MQW)结构,高分辨X射线衍射(HRXRD)ω-2θ扫描拟合得到阱层In含量28%。比较大的表面粗糙度表明有很大的位错密度。室温下光致荧光(PL)研究发现该量子阱发射可见的红橙光,峰位波长在610 nm附近。变温PL(15～300 K)进一步揭示量子阱在低温下有两个发光机制,对应的发射峰波长分别为538 nm和610 nm。由于In分凝和载流子的局域化导致的载流子动力改变,使得量子阱PL发光峰值随温度增加呈明显的"S"变化趋势。 展开更多

关键词 INGAN/GAN多量子阱 金属有机化学气相沉积 光致荧光谱 原子力显微镜 红橙光

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深能级对白光LED的电致发光和I-V特性的影响 被引量：1

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作者 孟庆芳 陈鹏 +4 位作者 郭媛 于治国 杨国锋 张荣 郑有炓 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第10期751-754,812,共5页

为了研究一种无荧光粉的单芯片白光发光二极管(LED)的光电性质,实际测量了它的升温电致发光光谱和升温电流-电压(I-V)特性,并测量了相似结构的蓝光LED以作对比。实验发现白光LED的电致发光光谱中有一个与有源区中的深能级相关的较宽的... 为了研究一种无荧光粉的单芯片白光发光二极管(LED)的光电性质,实际测量了它的升温电致发光光谱和升温电流-电压(I-V)特性,并测量了相似结构的蓝光LED以作对比。实验发现白光LED的电致发光光谱中有一个与有源区中的深能级相关的较宽的长波长发光峰,根据这个发光峰的强度与温度之间的依赖关系,通过数据拟合,得到了深能级的平均激活能,约为199 meV。由于有源区中存在大量深能级,也对白光LED的I-V特性产生一定影响,有源区中的深能级成为额外的载流子源,使白光LED的I-V特性表现出独特的性质。 展开更多

关键词 氮化镓 深能级 发光二极管(LED) 电致发光 电流-电压特性

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基于SystemC的可配置FFT周期精确模型 被引量：1

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作者 樊恩辰 姚馨 +1 位作者 何书专 潘红兵 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2014年第11期83-87,共5页

基于SystemC实现了一款可配置FFT(Fast Fourier Transformation)硬件加速器的周期精确模型.该模型采用以基-8为主的混合基、4路并行和基于存储器结构的设计方法,可以计算16-4M点单精度浮点复数FFT,并将信噪比稳定在130dB以上.与同类型... 基于SystemC实现了一款可配置FFT(Fast Fourier Transformation)硬件加速器的周期精确模型.该模型采用以基-8为主的混合基、4路并行和基于存储器结构的设计方法,可以计算16-4M点单精度浮点复数FFT,并将信噪比稳定在130dB以上.与同类型的模型相比较,它不仅可以实现与硬件周期的精确匹配,同时可以保证远快于硬件的仿真速度,达到了配合硬件设计以及验证的效果. 展开更多

关键词 FFT建模 SYSTEMC 混合基FFT算法

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GaZnO透明导电层提高绿光LED发光效率

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作者 张李骊 刘战辉 +3 位作者 钟霞 修向前 张荣 谢自力 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第1期51-56,62,共7页

详细研究了分别利用Ga Zn O薄膜和纳米级Ni/Au薄膜作为透明导电层(TCL)的绿光LED芯片的光电性能。利用扫描电子显微镜和透射光谱对Ga Zn O TCL和传统的纳米级Ni/Au TCL进行结构表征,结果表明,Ga Zn O透明导电层表面呈现为高密度、纳米... 详细研究了分别利用Ga Zn O薄膜和纳米级Ni/Au薄膜作为透明导电层(TCL)的绿光LED芯片的光电性能。利用扫描电子显微镜和透射光谱对Ga Zn O TCL和传统的纳米级Ni/Au TCL进行结构表征,结果表明,Ga Zn O透明导电层表面呈现为高密度、纳米尺度的突起,而纳米级Ni/Au TCL样品表面则较为平整;研究波长范围内,Ga Zn O薄膜具有较高的透射率(大于90%)。对两种LED芯片的光电特性进行测试,结果表明,Ga Zn O作为透明导电层的LED芯片发光均匀,具有较小的正向开启电压、等效串联电阻,发光峰中心波长变化仅有5.6 nm,而发光效率相对于传统的Ni/Au TCL LED提高40%,光电工作特性优异。 展开更多

关键词 绿光发光二极管(LED) 镓掺杂氧化锌(GaZnO)薄膜 发光效率 透明导电层(TCL) 多量子阱(MQW)

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InGaN基LED中极化效应对发光特性的影响

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作者 刘亚莹 蒋府龙 +6 位作者 刘梦涵 方华杰 高鹏 陈鹏 施毅 张荣 郑有炓 《微纳电子技术》 北大核心 2017年第8期509-513,共5页

主要利用电致发光的实验手段,研究了极化效应对InGaN基LED器件发光特性的影响。实验中发现,InGaN基LED器件的峰位随注入电流的增加产生了先蓝移后红移的现象,蓝光和绿光LED分别蓝移3 nm和8 nm;而AlGaInP基红光LED器件的峰位仅红移。进... 主要利用电致发光的实验手段,研究了极化效应对InGaN基LED器件发光特性的影响。实验中发现,InGaN基LED器件的峰位随注入电流的增加产生了先蓝移后红移的现象,蓝光和绿光LED分别蓝移3 nm和8 nm;而AlGaInP基红光LED器件的峰位仅红移。进一步研究发现,InGaN基LED的外量子效率在注入电流为50 mA处开始剧烈下降,AlGaInP基LED的外量子效率在100 mA处才开始缓慢下降,并且两者呈现不同的下降规律。通过与模拟结果对比发现,InGaN基LED的效率在下降开始阶段与俄歇复合引起的效率下降规律类似。以上实验结果表明,InGaN基LED器件中存在极化电场,且该极化电场会对LED器件的效率衰减产生促进作用。 展开更多

关键词 INGAN 电致发光 峰位 相对外量子效率 极化效应 俄歇复合

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准垂直肖特基二极管电极间距对耐压的影响

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作者 梁子彤 陈鹏 +4 位作者 徐儒 殷鑫燕 谢自力 陈敦军 赵红 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2023年第5期419-423,共5页

研究了不同电极间距对准垂直肖特基势垒二极管(SBD)正反向Ⅰ-Ⅴ特性,尤其是击穿电压和漏电的影响。通过制备不同电极间距的准垂直GaN SBD,测量不同电极间距器件的击穿电压和反向漏电变化。测量发现当电极间距小于器件台面刻蚀深度时,器... 研究了不同电极间距对准垂直肖特基势垒二极管(SBD)正反向Ⅰ-Ⅴ特性,尤其是击穿电压和漏电的影响。通过制备不同电极间距的准垂直GaN SBD,测量不同电极间距器件的击穿电压和反向漏电变化。测量发现当电极间距小于器件台面刻蚀深度时,器件的击穿电压随着电极间距的增大而增大;当电极间距大于台面刻蚀深度时,器件的击穿电压随着电极间距的增大而几乎不发生变化。利用Silvaco软件进行了一系列的仿真研究,发现SBD的峰值电场强度不仅取决于电极间距,同时还受限于台面高度。研究表明在准垂直SBD研制中,为得到高击穿电压,电极间距应匹配器件台面的高度。 展开更多

关键词 准垂直结构 肖特基二极管 Silvaco 仿真 电极间距

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