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8-羟基喹啉铝处于SiO_2气凝胶纳米孔中的光谱特性研究
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作者 朱浩 丁维平 +1 位作者 郭学锋 都有为 《南京大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 2000年第4期427-430,共4页
制备了块状的SiO2 气凝胶 ,把具有很好电致发光 (EL)和光致发光 (PL)性能的 8-羟基喹啉铝渗入到气凝胶的纳米孔洞中 .可见 -紫外吸收光谱表明 8-羟基喹啉铝在SiO2 气凝胶的纳米孔洞中发生了化学吸附 ,且吸附作用随着气凝胶密度的减小而... 制备了块状的SiO2 气凝胶 ,把具有很好电致发光 (EL)和光致发光 (PL)性能的 8-羟基喹啉铝渗入到气凝胶的纳米孔洞中 .可见 -紫外吸收光谱表明 8-羟基喹啉铝在SiO2 气凝胶的纳米孔洞中发生了化学吸附 ,且吸附作用随着气凝胶密度的减小而增强 ;PL谱中 8-羟基喹啉铝的光致发射谱峰从 4 70nm移至 4 50nm . 展开更多
关键词 气凝胶 纳米孔洞 化学吸附 二氧化硅 光谱分析
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