期刊文献+
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
生长温度对Si基Ge量子点VLP-CVD自组织生长的影响 被引量:2
1
作者 吴军 顾书林 +6 位作者 施毅 江宁 朱顺明 郑有炓 王牧 刘晓勇 闵乃本 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 2000年第4期34-37,共4页
对利用超低压化学气相淀积 (VLP CVD)技术在Si上自组织生长Ge量子点的特征进行了研究 ,发现生长温度对Ge量子点尺寸分布和密度的影响不同于分子束外延 (MBE)的结果 ,这种现象与VLP CVD表面控制反应模式有关。实验表明 。
关键词 GE量子点 化学气相淀积 自组织生长
在线阅读 下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部