期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
生长温度对Si基Ge量子点VLP-CVD自组织生长的影响
被引量：
2
1
作者
吴军
顾书林
+6 位作者
施毅
江宁
朱顺明
郑有炓
王牧
刘晓勇
闵乃本
《高技术通讯》
EI
CAS
CSCD
2000年第4期34-37,共4页
对利用超低压化学气相淀积 (VLP CVD)技术在Si上自组织生长Ge量子点的特征进行了研究 ,发现生长温度对Ge量子点尺寸分布和密度的影响不同于分子束外延 (MBE)的结果 ,这种现象与VLP CVD表面控制反应模式有关。实验表明 。
关键词
GE量子点
化学气相淀积
自组织生长
锗
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
生长温度对Si基Ge量子点VLP-CVD自组织生长的影响
被引量：
2
1
作者
吴军
顾书林
施毅
江宁
朱顺明
郑有炓
王牧
刘晓勇
闵乃本
机构
南京大学物理系国家固体微结构实验室
出处
《高技术通讯》
EI
CAS
CSCD
2000年第4期34-37,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目!(69706004)
文摘
对利用超低压化学气相淀积 (VLP CVD)技术在Si上自组织生长Ge量子点的特征进行了研究 ,发现生长温度对Ge量子点尺寸分布和密度的影响不同于分子束外延 (MBE)的结果 ,这种现象与VLP CVD表面控制反应模式有关。实验表明 。
关键词
GE量子点
化学气相淀积
自组织生长
锗
Keywords
Ge quantum dots,VLP-CVD,Self organized growth
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
生长温度对Si基Ge量子点VLP-CVD自组织生长的影响
吴军
顾书林
施毅
江宁
朱顺明
郑有炓
王牧
刘晓勇
闵乃本
《高技术通讯》
EI
CAS
CSCD
2000
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
