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生长温度对Si基Ge量子点VLP-CVD自组织生长的影响
被引量:
2
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作者
吴军
顾书林
+6 位作者
施毅
江宁
朱顺明
郑有炓
王牧
刘晓勇
闵乃本
《高技术通讯》
EI
CAS
CSCD
2000年第4期34-37,共4页
对利用超低压化学气相淀积 (VLP CVD)技术在Si上自组织生长Ge量子点的特征进行了研究 ,发现生长温度对Ge量子点尺寸分布和密度的影响不同于分子束外延 (MBE)的结果 ,这种现象与VLP CVD表面控制反应模式有关。实验表明 。
关键词
GE量子点
化学气相淀积
自组织生长
锗
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职称材料
题名
生长温度对Si基Ge量子点VLP-CVD自组织生长的影响
被引量:
2
1
作者
吴军
顾书林
施毅
江宁
朱顺明
郑有炓
王牧
刘晓勇
闵乃本
机构
南京大学物理系国家固体微结构实验室
出处
《高技术通讯》
EI
CAS
CSCD
2000年第4期34-37,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目!(69706004)
文摘
对利用超低压化学气相淀积 (VLP CVD)技术在Si上自组织生长Ge量子点的特征进行了研究 ,发现生长温度对Ge量子点尺寸分布和密度的影响不同于分子束外延 (MBE)的结果 ,这种现象与VLP CVD表面控制反应模式有关。实验表明 。
关键词
GE量子点
化学气相淀积
自组织生长
锗
Keywords
Ge quantum dots,VLP-CVD,Self organized growth
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
发文年
被引量
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1
生长温度对Si基Ge量子点VLP-CVD自组织生长的影响
吴军
顾书林
施毅
江宁
朱顺明
郑有炓
王牧
刘晓勇
闵乃本
《高技术通讯》
EI
CAS
CSCD
2000
2
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