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复合量子点MOSFET结构存储器的电路模拟
被引量：
1
1
作者
闾锦
施毅
+3 位作者
濮林
杨红官
杨铮
郑有炓
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第11期1793-1795,共3页
本文采用准经典近似的MonteCarlo方法对复合量子点MOSFET结构存储器的等效单电子电路进行了模拟 .研究结果表明 ,由于台阶状的复合隧穿势垒的作用 ,存储器的存储时间特性可得到极大提高 .我们进一步研究了N沟道锗 /硅复合量子点MOSFET...
本文采用准经典近似的MonteCarlo方法对复合量子点MOSFET结构存储器的等效单电子电路进行了模拟 .研究结果表明 ,由于台阶状的复合隧穿势垒的作用 ,存储器的存储时间特性可得到极大提高 .我们进一步研究了N沟道锗 /硅复合量子点MOSFET结构存储器的时间特性 ,得到其存储时间可长达数年 ,同时写擦时间可分别为 μs和ns量级 。
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关键词
复合量子点
单电子存储器
电路模拟
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职称材料
题名
复合量子点MOSFET结构存储器的电路模拟
被引量：
1
1
作者
闾锦
施毅
濮林
杨红官
杨铮
郑有炓
机构
南京大学物理系和固体微结构物理国家重点实验室
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第11期1793-1795,共3页
基金
国家自然科学基金 (No .60 2 360 1 0
No .60 2 2 50 1 4 )
江苏省自然科学基金重点项目
文摘
本文采用准经典近似的MonteCarlo方法对复合量子点MOSFET结构存储器的等效单电子电路进行了模拟 .研究结果表明 ,由于台阶状的复合隧穿势垒的作用 ,存储器的存储时间特性可得到极大提高 .我们进一步研究了N沟道锗 /硅复合量子点MOSFET结构存储器的时间特性 ,得到其存储时间可长达数年 ,同时写擦时间可分别为 μs和ns量级 。
关键词
复合量子点
单电子存储器
电路模拟
Keywords
Computer simulation
Mathematical models
Monte Carlo methods
MOSFET devices
Semiconducting germanium
Semiconducting silicon
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
复合量子点MOSFET结构存储器的电路模拟
闾锦
施毅
濮林
杨红官
杨铮
郑有炓
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
1
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