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人工晶体的微结构调控热输运研究
被引量：
1
1
作者
耿志明
狄琛
+6 位作者
方轲
詹若男
袁紫媛
颜学俊
芦红
卢明辉
陈延峰
《人工晶体学报》
EI
CAS
北大核心
2020年第9期1569-1582,共14页
随着电子工业与能源科学的快速发展,热管理成为微电子、热逻辑器件和热电技术等多个领域关注的重要课题。以半导体产业为例,传统芯片散热技术难以满足功率密度日益增大的芯片散热需求,已经成为限制芯片集成度进一步提高的瓶颈。因此,热...
随着电子工业与能源科学的快速发展,热管理成为微电子、热逻辑器件和热电技术等多个领域关注的重要课题。以半导体产业为例,传统芯片散热技术难以满足功率密度日益增大的芯片散热需求,已经成为限制芯片集成度进一步提高的瓶颈。因此,热输运的研究重点从宏观尺度延伸至微观尺度,并要求人们对热输运机制有更深入理解。本文从热声子的扩散输运、弹道输运等微观机制出发,探讨了材料微结构与热输运之间的关系。实验和理论表明,晶体中各种微结构对热输运过程有着重要的调控作用。本文重点讨论了薄膜体系中的点缺陷与量子点、超晶格、异质结构界面等对热输运的调控作用,并对其中的热输运机制进行了简要分析。尽管各种复杂的器件结构对高效的热管理构成了挑战,但人工微结构也为热输运调控提供了新的机遇。
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关键词
人工晶体
微结构
热输运机制
热输运调控
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职称材料
硅基上Si1-xGex合金的外延生长及性能研究
被引量：
1
2
作者
袁紫媛
潘睿
+5 位作者
夏顺吉
魏炼
叶佳佳
李晨
陈延峰
芦红
《人工晶体学报》
EI
CAS
北大核心
2020年第11期2178-2193,共16页
硅基上高质量的异质外延生长是实现高性能微电子器件的基础,本文通过低温分子束外延技术在Si衬底上实现了全组分的Si1-xGex(0<x≤1)薄膜的生长,并对Si1-xGex/Si异质结构的应力弛豫、热输运等方面展开了研究。运用低温外延和高温退火...
硅基上高质量的异质外延生长是实现高性能微电子器件的基础,本文通过低温分子束外延技术在Si衬底上实现了全组分的Si1-xGex(0<x≤1)薄膜的生长,并对Si1-xGex/Si异质结构的应力弛豫、热输运等方面展开了研究。运用低温外延和高温退火的方法实现了界面上位错的调控,获得了具有超高迁移率的Ge薄膜。此外,本文还介绍了硅基上Ge量子点的生长和调控。以上工作为大失配异质结构外延的理论研究和应用提供了新的思路和方法。
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关键词
分子束外延
Si1-xGex合金
硅基锗
GE量子点
异质外延
界面调控
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职称材料
单晶α-Sn薄膜的外延生长及输运性质研究进展
3
作者
李秉欣
丁元丰
芦红
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2023年第6期1025-1035,共11页
α-Sn(灰锡)是一种重要的拓扑材料,据理论预测,打破α-Sn的对称性可以得到拓扑绝缘体、拓扑半金属等多种拓扑相。目前α-Sn的研究以理论计算和角分辨光电子能谱研究能带结构为主,受限于衬底条件,高质量的α-Sn外延生长及其电输运性质的...
α-Sn(灰锡)是一种重要的拓扑材料,据理论预测,打破α-Sn的对称性可以得到拓扑绝缘体、拓扑半金属等多种拓扑相。目前α-Sn的研究以理论计算和角分辨光电子能谱研究能带结构为主,受限于衬底条件,高质量的α-Sn外延生长及其电输运性质的研究较少。本文结合课题组近几年在α-Sn薄膜外延生长和拓扑输运性质方面的研究进展,系统地综述了高质量单晶α-Sn薄膜的分子束外延生长、电输运的测试方法及拓扑性质的验证。通过对输运性质的研究证实了α-Sn的狄拉克半金属相和自旋极化拓扑表面态,进一步通过改变薄膜厚度和外加应力的方式来实现α-Sn拓扑性质的调控。以上工作不仅为进一步研究α-Sn的拓扑性质提供了重要依据,也为基于α-Sn的新型量子器件研究提供了重要的材料基础。
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关键词
α-Sn
拓扑材料
分子束外延
输运表征
狄拉克半金属
拓扑绝缘体
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职称材料
题名
人工晶体的微结构调控热输运研究
被引量：
1
1
作者
耿志明
狄琛
方轲
詹若男
袁紫媛
颜学俊
芦红
卢明辉
陈延峰
机构
南京大学固体微结构物理国家重点实验室&现代工程与应用科学学院
人工
微结构
科学
与技术协同创新中心
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
北大核心
2020年第9期1569-1582,共14页
基金
国家自然科学基金重大项目(11890700)
国家重点研发项目(2018YFA0306200)
+3 种基金
国家自然科学基金重点项目(51732006)
国家杰出青年基金(11625418)
国家自然科学基金青年项目(11904162)
国家自然科学基金委重大研究计划(91963211)。
文摘
随着电子工业与能源科学的快速发展,热管理成为微电子、热逻辑器件和热电技术等多个领域关注的重要课题。以半导体产业为例,传统芯片散热技术难以满足功率密度日益增大的芯片散热需求,已经成为限制芯片集成度进一步提高的瓶颈。因此,热输运的研究重点从宏观尺度延伸至微观尺度,并要求人们对热输运机制有更深入理解。本文从热声子的扩散输运、弹道输运等微观机制出发,探讨了材料微结构与热输运之间的关系。实验和理论表明,晶体中各种微结构对热输运过程有着重要的调控作用。本文重点讨论了薄膜体系中的点缺陷与量子点、超晶格、异质结构界面等对热输运的调控作用,并对其中的热输运机制进行了简要分析。尽管各种复杂的器件结构对高效的热管理构成了挑战,但人工微结构也为热输运调控提供了新的机遇。
关键词
人工晶体
微结构
热输运机制
热输运调控
Keywords
synthetic crystal
microstructure
thermal transport mechanism
thermal transport engineering
分类号
O551 [理学—热学与物质分子运动论]
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职称材料
题名
硅基上Si1-xGex合金的外延生长及性能研究
被引量：
1
2
作者
袁紫媛
潘睿
夏顺吉
魏炼
叶佳佳
李晨
陈延峰
芦红
机构
南京大学
江苏省功能材料设计原理与
应用
技术
重点
实验室
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
北大核心
2020年第11期2178-2193,共16页
基金
国家重点研发项目(2018YFA0306200,2017YFA0303702)
国家自然科学基金重点项目(51732006,11890702,51721001)。
文摘
硅基上高质量的异质外延生长是实现高性能微电子器件的基础,本文通过低温分子束外延技术在Si衬底上实现了全组分的Si1-xGex(0<x≤1)薄膜的生长,并对Si1-xGex/Si异质结构的应力弛豫、热输运等方面展开了研究。运用低温外延和高温退火的方法实现了界面上位错的调控,获得了具有超高迁移率的Ge薄膜。此外,本文还介绍了硅基上Ge量子点的生长和调控。以上工作为大失配异质结构外延的理论研究和应用提供了新的思路和方法。
关键词
分子束外延
Si1-xGex合金
硅基锗
GE量子点
异质外延
界面调控
Keywords
molecular beam epitaxy
Si1-xGex alloy
Ge on Si
Ge quantum dot
hetero-epitaxy
interfacial modulation
分类号
TN34 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
单晶α-Sn薄膜的外延生长及输运性质研究进展
3
作者
李秉欣
丁元丰
芦红
机构
南京大学
江苏省功能材料设计原理与
应用
技术
重点
实验室
出处
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2023年第6期1025-1035,共11页
基金
国家重点研发计划(2018YFA0306200)
国家自然科学基金重点项目(51732006,11890702,51721001)。
文摘
α-Sn(灰锡)是一种重要的拓扑材料,据理论预测,打破α-Sn的对称性可以得到拓扑绝缘体、拓扑半金属等多种拓扑相。目前α-Sn的研究以理论计算和角分辨光电子能谱研究能带结构为主,受限于衬底条件,高质量的α-Sn外延生长及其电输运性质的研究较少。本文结合课题组近几年在α-Sn薄膜外延生长和拓扑输运性质方面的研究进展,系统地综述了高质量单晶α-Sn薄膜的分子束外延生长、电输运的测试方法及拓扑性质的验证。通过对输运性质的研究证实了α-Sn的狄拉克半金属相和自旋极化拓扑表面态,进一步通过改变薄膜厚度和外加应力的方式来实现α-Sn拓扑性质的调控。以上工作不仅为进一步研究α-Sn的拓扑性质提供了重要依据,也为基于α-Sn的新型量子器件研究提供了重要的材料基础。
关键词
α-Sn
拓扑材料
分子束外延
输运表征
狄拉克半金属
拓扑绝缘体
Keywords
α-Sn
topological material
molecular beam epitaxy
transport measurement
Dirac semimetal
topological insulator
分类号
O484.1 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
人工晶体的微结构调控热输运研究
耿志明
狄琛
方轲
詹若男
袁紫媛
颜学俊
芦红
卢明辉
陈延峰
《人工晶体学报》
EI
CAS
北大核心
2020
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
硅基上Si1-xGex合金的外延生长及性能研究
袁紫媛
潘睿
夏顺吉
魏炼
叶佳佳
李晨
陈延峰
芦红
《人工晶体学报》
EI
CAS
北大核心
2020
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
单晶α-Sn薄膜的外延生长及输运性质研究进展
李秉欣
丁元丰
芦红
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2023
0
在线阅读
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职称材料
已选择
0
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引证文献
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