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基于高热流密度芯片的金刚石歧管针翅散热器传热特性实验研究
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作者 乔通 汤凯 +5 位作者 郭元东 黄金印 刘金龙 黄亦龙 苗建印 林贵平 《空间科学学报》 北大核心 2025年第2期449-457,共9页
微通道散热器是解决高热流密度功率器件的散热难题的有效手段之一,本文设计并制造了一种适用于高热流散热的金刚石歧管针翅微通道散热器.利用热测试芯片作为模拟热源,研究了该散热器在基于氨工质的泵驱两相流回路中的热工性能.在1510 W&... 微通道散热器是解决高热流密度功率器件的散热难题的有效手段之一,本文设计并制造了一种适用于高热流散热的金刚石歧管针翅微通道散热器.利用热测试芯片作为模拟热源,研究了该散热器在基于氨工质的泵驱两相流回路中的热工性能.在1510 W·cm^(-2)的局部热流下,芯片热源表面温度为102.5℃,热阻为0.151 K·W^(-1),压降为1.1 kPa.研究了进口温度、热流密度、质量流量对散热器热阻和压降的影响,发现在较高的进口温度条件下散热器的热阻最小.保持各种工作参数一致,与铜材质的扩缩流道歧管微通道散热器进行对比,在710 W·cm^(-2)热流条件下,金刚石歧管针翅微通道散热器的热阻降低33.32%,压降降低23.88%. 展开更多
关键词 金刚石 歧管针翅散热器 流动沸腾 高热流
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基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺的4GS/s、14 bit数模转换器
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作者 张翼 戚骞 +4 位作者 张有涛 韩春林 王洋 张长春 郭宇锋 《南京邮电大学学报(自然科学版)》 北大核心 2024年第3期42-47,共6页
基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺,设计了超高速高精度数模转换器(DAC),其时钟采样率为4 GS/s、精度为14 bit。为满足4 GHz处理速度,该DAC中所有电路均采用异质结晶体管(HBTs)搭建。为了降低功耗和节约面积,本设计采用10+4分段译码的方式,... 基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺,设计了超高速高精度数模转换器(DAC),其时钟采样率为4 GS/s、精度为14 bit。为满足4 GHz处理速度,该DAC中所有电路均采用异质结晶体管(HBTs)搭建。为了降低功耗和节约面积,本设计采用10+4分段译码的方式,其中低10位电流舵使用R-2R梯形电阻网络,而高4位使用温度计码结构。仿真结果表明,所设计DAC的DNL、INL分别为0.54 LSB和0.39 LSB,全奈奎斯特频域内的无杂散动态范围均大于82 dBc。在3.3 V和5 V混合电源供电下,整个DAC的平均功耗为2.39 W。芯片总面积为11.22 mm^(2)。 展开更多
关键词 数模转换器 SiGe HBT 电流模逻辑 电流舵
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射频器件超细引线键合射频性能仿真 被引量:5
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作者 王尚 马竟轩 +3 位作者 杨东升 徐佳慧 杭春进 田艳红 《焊接学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第10期1-7,I0001,共8页
随着雷达性能指标不断提高、体积不断压缩,作为其关键组成部分成之一的T/R(transmitter and receiver)组件也不断向小型化和高密度方向发展.采用超高密度引线键合技术能够实现高密度射频器件封装,但也会带来键合焊点可靠性下降、电路射... 随着雷达性能指标不断提高、体积不断压缩,作为其关键组成部分成之一的T/R(transmitter and receiver)组件也不断向小型化和高密度方向发展.采用超高密度引线键合技术能够实现高密度射频器件封装,但也会带来键合焊点可靠性下降、电路射频性能差等问题.针对键合线尺寸减小而引起射频性能下降的问题,采用HFSS软件探究了在0~20 GHz金带尺寸变化对电路射频性能的影响规律,并利用ANSYS Q3D和ADS软件对超细引线键合的电路进行阻抗匹配.结果表明,对于金丝和金带而言,插入微带双枝短截线匹配结构均能明显提高电路的射频性能.对于类型1结构,S21与S12的传输功率能达到-0.049 dB.对于类型2结构,S21与S12的传输功率能达到-7.245×10-5 dB,说明类型2结构下的信号传输几乎无损耗.该结果为超细引线键合技术在射频电路中的应用提供了理论指导. 展开更多
关键词 超细引线键合 射频性能 阻抗匹配
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基于硅基三维集成技术的W频段有源相控阵微系统 被引量:1
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作者 杨驾鹏 周骏 +2 位作者 曹志翔 孟洪福 沈亚 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第8期2160-2167,共8页
本文基于硅基三维集成技术,提出了一种高集成度低剖面的W频段有源相控阵微系统.将阵列划分为若干个2×4单元的W频段相控阵子阵微系统.每个子阵微系统采用了三维布局封装结构,内部一体化集成了天线、有源芯片和无源网络等功能单元.... 本文基于硅基三维集成技术,提出了一种高集成度低剖面的W频段有源相控阵微系统.将阵列划分为若干个2×4单元的W频段相控阵子阵微系统.每个子阵微系统采用了三维布局封装结构,内部一体化集成了天线、有源芯片和无源网络等功能单元.以子阵微系统为基本单元,利用阵列扩展技术将8个子阵微系统拼接成为8×8单元的W频段有源相控阵阵列.设计了高耦合度低损耗的CPW共面波导(co-planar waveguide,CPW)传输线、基于TSV硅通孔(through silicon via,TSV)的准同轴垂直传输结构、基于微凸点的hot-via芯片接口等高频传输结构,解决了天线阵列到有源芯片的W频段信号层间传输难题.样机加工测试结果表明,92~96 GHz频率范围内,该相控阵阵列可实现二维波束快速扫描功能,扫描角达到±40°,重量仅为85 g,剖面厚度仅为7.4 mm. 展开更多
关键词 W频段 微系统 三维集成 有源相控阵
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