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微电子器件工业生产中的静电防护研究被引量：2: 1; 作者刘军霞张新焕《河北科技大学学报》 CAS 北大核心 2011年第S1期91-93,108,共4页; 从ESD过程分析入手,对微电子器件工业生产中的静电来源以及泄放途径进行了剖析,介绍了4种静电放电模型,进而阐述了微电子器件工业生产中的静电防护技术以及静电防护体系,以确保静电防护的有效性。; 关键词静电放电微电子器件可靠性; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于InP DHBT工艺集成高速同步功能的13 GS/s单比特ADC 被引量：3: 2; 作者李晓鹏王志功 +2 位作者张翼张有涛张敏《微波学报》 CSCD 北大核心 2019年第3期29-33,共5页; 实现了一款集成同步电路的超高速超宽带单比特模数转换器(ADC),芯片采用锁存型高灵敏度比较器实现单比特量化,采用数字鉴相方法实现多芯片时钟自同步,集成1∶8数据分接器以降低输出端口数据速率,极大地方便了系统应用。该芯片采用0.7μm... 展开更多; 关键词单比特量化模数转换器磷化铟超宽带同步电路; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于0.13μm SiGe BiCMOS工艺的10 GS/s、3 bit模数转换器被引量：2: 3; 作者张翼沈宇 +3 位作者李晓鹏杨磊刘中华郭宇锋《南京邮电大学学报（自然科学版）》北大核心 2019年第5期26-33,共8页; 基于0.13μm SiGe BiCMOS工艺,文中设计了超高速全并行模数转换器,其时钟采样率为10 GS/s、精度为3 bit。该模数转换器采用全差分的电路结构,其中跟踪保持放大器采用电容增强技术获得大带宽。设计中采用差分编码技术降低编码电路的误码... 展开更多; 关键词全并行模数转换器 SIGE BICMOS工艺差分编码电路超高速; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于InP双异质结双极型晶体管工艺的超宽带低相噪可编程分频器被引量：1: 4; 作者张敏孟桥 +2 位作者张有涛张翼李晓鹏《微波学报》 CSCD 北大核心 2020年第4期21-24,32,共5页; 实现了一款高性能超宽带低相噪可编程分频器芯片,内部分频模块采用电流模式逻辑结构的数字分频原理实现。芯片采用三路外部信号对内部分频模块及开关组进行选通、控制,实现1、2、4、8四种分频比的切换。对内部单元进行了设计优化以提高... 展开更多; 关键词分频器磷化铟可编程超宽带低相噪; 在线阅读下载PDF 职称材料

InP双异质结晶体管工艺ROM-Less架构14 GHz DDS 被引量：1: 5; 作者张翼李晓鹏 +4 位作者张有涛张敏杨磊 CAI Zhi-kuang GUO Yu-feng 《微波学报》 CSCD 北大核心 2020年第6期24-28,37,共6页; 介绍了采用ft/fmax为250/280 GHz的0.7μm InP双异质结晶体管工艺的14 GHz 8bit ROM-Less直接数字频率合成器。电路采用正弦加权非线性数模转换器实现了一种ROM-Less相幅转换,充分发挥了InP-DHBT技术在中大规模混合信号集成电路中的速... 展开更多; 关键词直接数字频率合成器 InP双异质结晶体管数模转换器相位累加器; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名微电子器件工业生产中的静电防护研究被引量：2: 1; 作者刘军霞张新焕; 机构南京国博电子有限公司中国电子科技集团公司第五十五研究所; 出处《河北科技大学学报》 CAS 北大核心 2011年第S1期91-93,108,共4页; 文摘从ESD过程分析入手,对微电子器件工业生产中的静电来源以及泄放途径进行了剖析,介绍了4种静电放电模型,进而阐述了微电子器件工业生产中的静电防护技术以及静电防护体系,以确保静电防护的有效性。; 关键词静电放电微电子器件可靠性; 分类号 N55 [自然科学总论]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于InP DHBT工艺集成高速同步功能的13 GS/s单比特ADC 被引量：3: 2; 作者李晓鹏王志功张翼张有涛张敏; 机构东南大学射频光电集成电路研究所南京国博电子有限公司南京电子器件研究所射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室南京邮电大学微电子学院; 出处《微波学报》 CSCD 北大核心 2019年第3期29-33,共5页; 基金国家自然科学基金(61804081); 文摘实现了一款集成同步电路的超高速超宽带单比特模数转换器(ADC),芯片采用锁存型高灵敏度比较器实现单比特量化,采用数字鉴相方法实现多芯片时钟自同步,集成1∶8数据分接器以降低输出端口数据速率,极大地方便了系统应用。该芯片采用0.7μm InP DHBT工艺实现,测试结果显示,芯片最高采样率达13 GS/s,模拟输入带宽大于18 GHz,输入灵敏度小于-25 dBm,功耗为1.4 W。该芯片解决国内缺乏单比特超宽带收发系统及单比特量化大规模天线系统中核心芯片的问题,与国外同类芯片相比,采用的自同步的同步电路,具有系统应用简单,可实现超高速采样时钟同步的特点,便于实现多通道同步采样。; 关键词单比特量化模数转换器磷化铟超宽带同步电路; Keywords one-bit quantization analog-to-digital converter(ADC) InP ultra-wide-band synchronizing circuits; 分类号 TN792 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于0.13μm SiGe BiCMOS工艺的10 GS/s、3 bit模数转换器被引量：2: 3; 作者张翼沈宇李晓鹏杨磊刘中华郭宇锋; 机构南京邮电大学电子与光学工程学院南京邮电大学射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室东南大学毫米波国家重点实验室江苏亨鑫科技有限公司博士后工作站南京国博电子有限公司; 出处《南京邮电大学学报（自然科学版）》北大核心 2019年第5期26-33,共8页; 基金国家自然科学基金(61804081) 中国博士后基金(2018M642292) +2 种基金南京邮电大学校级科研基金(NY215138)资助项目; 文摘基于0.13μm SiGe BiCMOS工艺,文中设计了超高速全并行模数转换器,其时钟采样率为10 GS/s、精度为3 bit。该模数转换器采用全差分的电路结构,其中跟踪保持放大器采用电容增强技术获得大带宽。设计中采用差分编码技术降低编码电路的误码率,提高工作速度。电路仿真结果表明,当时钟采样率为10 GS/s时,ADC电路的微分非线性和积分非线性均小于0.2 LSB。该ADC电路在输入信号频率低于10 MHz时的有效位数大于2.8位,在输入信号频率为1 GHz时的有效位数大于2.5位。在-5 V和-3.3 V供电电压下,电路的总功耗为1.6 W,芯片面积为1.0 mm×1.2 mm。; 关键词全并行模数转换器 SIGE BICMOS工艺差分编码电路超高速; Keywords flash analog-to-digital converter(ADC) SiGe BiCMOS technology differential decoder ultra high-speed; 分类号 TN492 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于InP双异质结双极型晶体管工艺的超宽带低相噪可编程分频器被引量：1: 4; 作者张敏孟桥张有涛张翼李晓鹏; 机构东南大学射频光电集成电路研究所南京国博电子有限公司中国电子科技集团公司第五十五研究所射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室; 出处《微波学报》 CSCD 北大核心 2020年第4期21-24,32,共5页; 基金国家自然科学基金(61804081)。; 文摘实现了一款高性能超宽带低相噪可编程分频器芯片,内部分频模块采用电流模式逻辑结构的数字分频原理实现。芯片采用三路外部信号对内部分频模块及开关组进行选通、控制,实现1、2、4、8四种分频比的切换。对内部单元进行了设计优化以提高芯片宽频带内的整体性能。该芯片采用0.7μm InP DHBT工艺实现,测试结果显示在1~40 GHz超宽带范围内,其输入功率可覆盖-10^+8 dBm,高载波下相位噪声可低至-145 dBc/Hz,最大功耗0.63 W。该芯片拥有完整的电路架构,宽带工作性能优良且有较低的相位噪声,可直接应用于超宽带频率源系统。; 关键词分频器磷化铟可编程超宽带低相噪; Keywords frequency divider InP programmable ultra-wideband low phase noise; 分类号 TN752 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名InP双异质结晶体管工艺ROM-Less架构14 GHz DDS 被引量：1: 5; 作者张翼李晓鹏张有涛张敏杨磊 CAI Zhi-kuang GUO Yu-feng; 机构南京邮电大学射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室南京国博电子有限公司中国电子科技集团公司第五十五研究所; 出处《微波学报》 CSCD 北大核心 2020年第6期24-28,37,共6页; 基金国家自然科学基金(61804081)。; 文摘介绍了采用ft/fmax为250/280 GHz的0.7μm InP双异质结晶体管工艺的14 GHz 8bit ROM-Less直接数字频率合成器。电路采用正弦加权非线性数模转换器实现了一种ROM-Less相幅转换,充分发挥了InP-DHBT技术在中大规模混合信号集成电路中的速度优势。为降低功耗,采用了简化的流水线相位累加器。在整个频率控制字范围内,测试得到的平均无杂散动态范围为24.8 dBc。该电路由2122个晶体管组成,功耗为2.4 W,其优值系数为5.83 GHz/W。; 关键词直接数字频率合成器 InP双异质结晶体管数模转换器相位累加器; Keywords direct digital synthesizer(DDS) InP double hetero-junction bipolar transistor(DHBT) digital to analog converter(DAC) phase accumulator; 分类号 TN741 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	微电子器件工业生产中的静电防护研究	刘军霞张新焕	《河北科技大学学报》 CAS 北大核心	2011	2	在线阅读下载PDF 职称材料
2	基于InP DHBT工艺集成高速同步功能的13 GS/s单比特ADC	李晓鹏王志功张翼张有涛张敏	《微波学报》 CSCD 北大核心	2019	3	在线阅读下载PDF 职称材料
3	基于0.13μm SiGe BiCMOS工艺的10 GS/s、3 bit模数转换器	张翼沈宇李晓鹏杨磊刘中华郭宇锋	《南京邮电大学学报（自然科学版）》北大核心	2019	2	在线阅读下载PDF 职称材料
4	基于InP双异质结双极型晶体管工艺的超宽带低相噪可编程分频器	张敏孟桥张有涛张翼李晓鹏	《微波学报》 CSCD 北大核心	2020	1	在线阅读下载PDF 职称材料
5	InP双异质结晶体管工艺ROM-Less架构14 GHz DDS	张翼李晓鹏张有涛张敏杨磊 CAI Zhi-kuang GUO Yu-feng	《微波学报》 CSCD 北大核心	2020	1	在线阅读下载PDF 职称材料