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基于T形阳极GaAs肖特基二极管薄膜集成电路工艺的664 GHz次谐波混频器
被引量：
2
1
作者
牛斌
钱骏
+6 位作者
范道雨
王元庆
梅亮
戴俊杰
林罡
周明
陈堂胜
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第5期634-637,共4页
报道了用于冰云探测的基于0.5μm T形阳极砷化镓肖特基二极管薄膜集成电路工艺664 GHz次谐波混频器。为降低器件寄生参数,提升太赫兹频段电路性能,设计并分析了了T形阳极GaAsSBD器件结构,开发了厚度仅5μm的薄膜电路工艺。混频器芯片组...
报道了用于冰云探测的基于0.5μm T形阳极砷化镓肖特基二极管薄膜集成电路工艺664 GHz次谐波混频器。为降低器件寄生参数,提升太赫兹频段电路性能,设计并分析了了T形阳极GaAsSBD器件结构,开发了厚度仅5μm的薄膜电路工艺。混频器芯片组装成664 GHz接收模块,经测试室温下664 GHz最小双边带变频损耗达到9.9 dB。
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关键词
砷化镓肖特基二极管
薄膜电路
次谐波混频器
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职称材料
基于薄膜工艺的1030GHz混频器和750~1100GHz倍频器研制
被引量：
2
2
作者
孟进
张德海
+5 位作者
牛斌
朱皓天
刘锶钰
范道雨
陈胜堂
周明
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第5期871-878,共8页
基于南京电子器件研究所砷化镓工艺线,自主完成了750~1100 GHz全频带三倍频器以及中心频率为1030 GHz的低损耗二次谐波混频器的研制。为了提升模块的性能,将传统的场路结合的设计方法进行了扩展,引入器件的参数优化,并建立起两者互为反...
基于南京电子器件研究所砷化镓工艺线,自主完成了750~1100 GHz全频带三倍频器以及中心频率为1030 GHz的低损耗二次谐波混频器的研制。为了提升模块的性能,将传统的场路结合的设计方法进行了扩展,引入器件的参数优化,并建立起两者互为反馈的关系,从而达到整个设计过程的闭环。研制出的单片电路厚度为3μm,并通过梁氏引线支撑悬置于腔体结构中。测试结果表明宽带倍频器在790~1100 GHz频率范围内输出功率为-23~-11 dBm。以上述倍频源作为射频信号对二次谐波混频器进行测试,在1020~1044 GHz频率范围内变频损耗优于17.5 dB,在1030 GHz处测得的最小变频损耗为14.5 dB。
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关键词
太赫兹
单片电路
谐波混频器
宽带倍频
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职称材料
题名
基于T形阳极GaAs肖特基二极管薄膜集成电路工艺的664 GHz次谐波混频器
被引量：
2
1
作者
牛斌
钱骏
范道雨
王元庆
梅亮
戴俊杰
林罡
周明
陈堂胜
机构
南京
电子
器件
研究
所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室
南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司
南京
安太
芯
电子
有限公司
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第5期634-637,共4页
基金
Supported by the national key R&D program of China(2018YFF0109301)。
文摘
报道了用于冰云探测的基于0.5μm T形阳极砷化镓肖特基二极管薄膜集成电路工艺664 GHz次谐波混频器。为降低器件寄生参数,提升太赫兹频段电路性能,设计并分析了了T形阳极GaAsSBD器件结构,开发了厚度仅5μm的薄膜电路工艺。混频器芯片组装成664 GHz接收模块,经测试室温下664 GHz最小双边带变频损耗达到9.9 dB。
关键词
砷化镓肖特基二极管
薄膜电路
次谐波混频器
Keywords
GaAs SBD
membrane circuit
sub harmonic mixer
分类号
TN304.2 [电子电信—物理电子学]
TN315.3 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
基于薄膜工艺的1030GHz混频器和750~1100GHz倍频器研制
被引量：
2
2
作者
孟进
张德海
牛斌
朱皓天
刘锶钰
范道雨
陈胜堂
周明
机构
中国科学院国家空间科学中心微波遥感重点实验室
南京
电子
器件
研究
所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室
南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第5期871-878,共8页
基金
中国科学院青年创新促进会(E1213A041S)
中科院国家空间科学中心“攀登计划”(E0PD40013S)。
文摘
基于南京电子器件研究所砷化镓工艺线,自主完成了750~1100 GHz全频带三倍频器以及中心频率为1030 GHz的低损耗二次谐波混频器的研制。为了提升模块的性能,将传统的场路结合的设计方法进行了扩展,引入器件的参数优化,并建立起两者互为反馈的关系,从而达到整个设计过程的闭环。研制出的单片电路厚度为3μm,并通过梁氏引线支撑悬置于腔体结构中。测试结果表明宽带倍频器在790~1100 GHz频率范围内输出功率为-23~-11 dBm。以上述倍频源作为射频信号对二次谐波混频器进行测试,在1020~1044 GHz频率范围内变频损耗优于17.5 dB,在1030 GHz处测得的最小变频损耗为14.5 dB。
关键词
太赫兹
单片电路
谐波混频器
宽带倍频
Keywords
terahertz
monolithic circuit
subharmonic mixer
broadband frequency multiplier
分类号
TN771 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于T形阳极GaAs肖特基二极管薄膜集成电路工艺的664 GHz次谐波混频器
牛斌
钱骏
范道雨
王元庆
梅亮
戴俊杰
林罡
周明
陈堂胜
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
基于薄膜工艺的1030GHz混频器和750~1100GHz倍频器研制
孟进
张德海
牛斌
朱皓天
刘锶钰
范道雨
陈胜堂
周明
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022
2
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