L波段GaN大功率高效率准单片功率放大器 被引量：6

1

作者 蔺兰峰 周衍芳 +1 位作者 黎明 陶洪琪 《固体电子学研究与进展》 CSCD 北大核心 2017年第6期384-388,共5页

研制了一款基于NEDI 0.25μm GaN功率MMIC工艺的L波段大功率高效率准单片功率放大器。采用两级拓扑结构,以准单片形式实现。输入采用有耗匹配网络提高芯片的稳定性,级间和末级匹配均采用无耗纯电抗网络,其中末级匹配电路通过低损耗陶瓷... 研制了一款基于NEDI 0.25μm GaN功率MMIC工艺的L波段大功率高效率准单片功率放大器。采用两级拓扑结构,以准单片形式实现。输入采用有耗匹配网络提高芯片的稳定性,级间和末级匹配均采用无耗纯电抗网络,其中末级匹配电路通过低损耗陶瓷电路实现。合理规划前级与末级间推动比,降低前级漏电流,减小末级匹配损耗,优化谐波匹配,实现大功率高效率设计。芯片在28V脉冲电压下工作,在1.2~1.4GHz范围内,实测输出功率大于49dBm,功率增益大于25dB,功率附加效率达到73%。管芯部分及输入匹配电路采用GaN功率MMIC工艺制作,输出匹配电路采用低损耗陶瓷片介质加工,两块电路键合一起总面积8.0mm×5.6mm。 展开更多

关键词 GAN L波段 高效率 大功率 准单片

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毫米波大动态宽带单片低噪声放大器 被引量：2

2

作者 彭龙新 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2009年第3期347-351,372,共6页

利用0.25μmGaAsPHEMT低噪声工艺,设计并制造了2种毫米波大动态宽带单片低噪声放大器。第1种为低增益大动态低噪声放大器,单电源+5V工作,测得在26～40GHz范围内,增益G=10±0.5dB,噪声系数NF≤2.2dB,1分贝压缩点输出功率P1dB≥15dBm;... 利用0.25μmGaAsPHEMT低噪声工艺,设计并制造了2种毫米波大动态宽带单片低噪声放大器。第1种为低增益大动态低噪声放大器,单电源+5V工作,测得在26～40GHz范围内,增益G=10±0.5dB,噪声系数NF≤2.2dB,1分贝压缩点输出功率P1dB≥15dBm;第2种为低压大动态低噪声放大器,工作电压为3.6V,静态电流0.6A(输出功率饱和时,动态直流电流约为0.9A),在28～35GHz范围内,测得增益G=14～17dB,噪声系数约4.0dB,1分贝压缩点输出功率P1dB≥24.5dBm,最大饱和输出功率≥26.8dBm,附加效率约10%～13.6%。结果中还给出了2种放大器直接级联的情况。 展开更多

关键词 毫米波 宽带 大动态放大器 单片集成电路

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InP基RTD/HEMT集成的几个关键工艺研究

3

作者 邹鹏辉 韩春林 +3 位作者 高建峰 康耀辉 高喜庆 陈辰 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期606-610,619,共6页

用MBE设备在半绝缘的InP衬底上依次生长高电子迁移率晶体管(HEMT)外延材料和共振遂穿二极管(RTD)外延材料,在此材料结构基础上研究和分析了RTD与HEMT器件单片集成工艺中的隔离工艺、欧姆接触工艺、HEMT栅挖槽工艺和空气桥工艺等几步关... 用MBE设备在半绝缘的InP衬底上依次生长高电子迁移率晶体管(HEMT)外延材料和共振遂穿二极管(RTD)外延材料,在此材料结构基础上研究和分析了RTD与HEMT器件单片集成工艺中的隔离工艺、欧姆接触工艺、HEMT栅挖槽工艺和空气桥工艺等几步关键工艺,给出了这些工艺的相关参数。利用上述工艺成功地制作了RTD和HEMT器件,并在室温下分别测试了RTD器件和HEMT器件的电学特性。测试表明:在室温下,RTD器件的峰电流密度与谷电流密度之比(PVCR)为3.66;HEMT器件的最大跨导约为370 mS/mm,在Vds=1.5 V时的饱和电流约为391 mA/mm。这将为RTD与HEMT的单片集成研究奠定工艺基础。 展开更多

关键词 共振遂穿二极管 高电子迁移率晶体管 空气桥互连

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基于LTCC技术的多层垂直转换电路设计 被引量：1

4

作者 周骏 沈亚 +2 位作者 戴雷 王子良 李拂晓 《电子与封装》 2007年第7期14-16,23,共4页

低温共烧陶瓷(LTCC)是实现小型化、高可靠性多芯片组件的一种理想技术方式。多层转换电路实现了微波信号在基板内部传输。文章研究了微带线到带状线背靠背式多层转换电路,优化设计了通孔之间距离以及通孔到带状线之间的距离,仿真结果与... 低温共烧陶瓷(LTCC)是实现小型化、高可靠性多芯片组件的一种理想技术方式。多层转换电路实现了微波信号在基板内部传输。文章研究了微带线到带状线背靠背式多层转换电路,优化设计了通孔之间距离以及通孔到带状线之间的距离,仿真结果与实测较为吻合。 展开更多

关键词 低温共烧陶瓷 垂直转换 网格地平面 三线结构

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多种宽带传输结构的研究与分析 被引量：2

5

作者 赵逸涵 史源 钱兴成 《电子与封装》 2017年第7期43-47,共5页

针对宽带高频组件的发展趋势,研究了三种不同的适用于宽带高频信号的传输结构。主要介绍了三种传输结构的设计方案,并利用HFSS软件对传输结构进行仿真优化,最后进行了实物分析验证。经过测试,在宽带高频信号下,三种结构均有比较良好的... 针对宽带高频组件的发展趋势,研究了三种不同的适用于宽带高频信号的传输结构。主要介绍了三种传输结构的设计方案,并利用HFSS软件对传输结构进行仿真优化,最后进行了实物分析验证。经过测试,在宽带高频信号下,三种结构均有比较良好的电性能传输特性。该测试结果表明,宽带高频组件的设计中可以根据实际需求运用多种传输结构实现较高的性能指标,具有广泛的应用前景。 展开更多

关键词 宽带高频 传输结构 HFSS仿真

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振荡型有源集成天线

6

作者 曹敏华 李拂晓 林金庭 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2008年第3期355-359,共5页

研制中心频率为18 GHz的振荡型有源集成天线,包括微带天线设计、单片压控振荡器(MMIC VCO)的设计及微带天线与单片压控振荡器二者的集成。微带天线的芯片面积为4.5 mm×3.5 mm,增益为3.67 dB,中心频率为18.032 GHz,最小输入驻波系数... 研制中心频率为18 GHz的振荡型有源集成天线,包括微带天线设计、单片压控振荡器(MMIC VCO)的设计及微带天线与单片压控振荡器二者的集成。微带天线的芯片面积为4.5 mm×3.5 mm,增益为3.67 dB,中心频率为18.032 GHz,最小输入驻波系数为1.098;单片压控振荡器芯片面积1.1 mm×1.0 mm,调谐范围为15.978～18.247 GHz,输出功率大于6 dBm。振荡型有源集成天线的方向图测试结果与微带天线的特性符合,该振荡型有源集成天线能够正常工作。 展开更多

关键词 有源集成天线 微带天线 压控振荡器

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S波段280W SiC内匹配脉冲功率管 被引量：2

7

作者 柏松 吴鹏 +6 位作者 陈刚 冯忠 李哲洋 林川 蒋幼泉 陈辰 邵凯 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期F0003-F0003,共1页

关键词 S波段 功率管 SIC 内匹配 脉冲 微波功率器件 南京电子器件研究所 MESFET

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GaN薄膜表面形貌与AlN成核层生长参数的关系 被引量：2

8

作者 倪金玉 李忠辉 +5 位作者 李亮 董逊 章咏梅 许晓军 孔月婵 姜文海 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2011年第1期9-12,共4页

采用金属有机物化学气相淀积技术生长了以AlN为成核层的GaN薄膜,研究了成核层生长时三甲基铝(TMAl)流量对最终GaN薄膜表面形貌的影响。研究结果表明,高质量的GaN薄膜只能在高TMAl流量下获得,采用充足的TMAl源才能形成满足需要的AlN成核... 采用金属有机物化学气相淀积技术生长了以AlN为成核层的GaN薄膜,研究了成核层生长时三甲基铝(TMAl)流量对最终GaN薄膜表面形貌的影响。研究结果表明,高质量的GaN薄膜只能在高TMAl流量下获得,采用充足的TMAl源才能形成满足需要的AlN成核点,这是生长高质量GaN薄膜的一个先决条件。 展开更多

关键词 氮化镓 金属有机物化学气相淀积 氮化铝成核层

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X-波段AlGaN/GaN HEMT功率MMIC 被引量：1

9

作者 陈堂胜 张斌 +4 位作者 焦刚 任春江 陈辰 邵凯 杨乃彬 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2007年第4期F0003-F0003,共1页

AIGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）以其高输出功率密度、高电压工作和易于宽带匹配等优势将成为下一代高频固态微波功率器件。微波功率器件主要有内匹配功率管和功率单片微波集成电路（MMIC）两种结构形式，功率MMIC尽管其研制成本... AIGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）以其高输出功率密度、高电压工作和易于宽带匹配等优势将成为下一代高频固态微波功率器件。微波功率器件主要有内匹配功率管和功率单片微波集成电路（MMIC）两种结构形式，功率MMIC尽管其研制成本相对较高，但功率MMIC可实现宽带匹配，同时功率MMIC的体积较内匹配功率管小得多， 展开更多

关键词 功率密度 ALGAN/GAN MMIC X-波段 HEMT 高电子迁移率晶体管 AIGAN/GAN 单片微波集成电路

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2～11GHz GaN HEMT功率MMIC 被引量：1

10

作者 陈辰 张斌 +2 位作者 陈堂胜 焦刚 任春江 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期F0003-F0003,共1页

关键词 功率密度 MMIC HEMT GaN 高电子迁移率晶体管 南京电子器件研究所 微波单片集成电路 输出阻抗

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UHF频段高功率SiC SIT 被引量：1

11

作者 陈刚 王雯 +4 位作者 柏松 李哲洋 吴鹏 李宇柱 倪炜江 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2011年第1期20-23,共4页

采用导通SiC衬底上的SiC多层外延材料,成功制作出了国内首个SiC SIT(静电感应晶体管)。该器件研制中,采用了自对准工艺、高能离子注入及高温退火工艺、密集栅深凹槽干法刻蚀工艺、PECVD SiO2和SixNy介质钝化工艺,有效抑制了漏电并提高... 采用导通SiC衬底上的SiC多层外延材料,成功制作出了国内首个SiC SIT(静电感应晶体管)。该器件研制中,采用了自对准工艺、高能离子注入及高温退火工艺、密集栅深凹槽干法刻蚀工艺、PECVD SiO2和SixNy介质钝化工艺,有效抑制了漏电并提高了器件击穿电压,器件功率输出能力由此得到提升。最终28 cm栅宽SiC SIT器件,在UHF波段的500 MHz、90 V工作电压下,脉冲饱和输出功率达到了550 W,此时功率增益为11.3 dB。 展开更多

关键词 宽禁带半导体 碳化硅 静电感应晶体管 离子注入

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生长压力对MOCVD GaN材料晶体质量的影响 被引量：1

12

作者 彭大青 李忠辉 +4 位作者 李亮 孙永强 李哲洋 董逊 张东国 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2011年第2期107-110,共4页

使用氮化物MOCVD外延生长系统,采用传统的两步生长法在76.2 mm c面蓝宝石衬底上生长了不同压力的GaN薄膜样品。研究发现提高高温GaN的生长压力,初期的三维生长时间增长,有利于提高GaN薄膜的晶体质量。同时采用XRD、PL谱和湿化学腐蚀方... 使用氮化物MOCVD外延生长系统,采用传统的两步生长法在76.2 mm c面蓝宝石衬底上生长了不同压力的GaN薄膜样品。研究发现提高高温GaN的生长压力,初期的三维生长时间增长,有利于提高GaN薄膜的晶体质量。同时采用XRD、PL谱和湿化学腐蚀方法研究了样品的位错特性,结果表明高压生长的样品能够降低位错密度,起到改善GaN晶体质量的作用。 展开更多

关键词 金属有机化合物化学气相淀积 氮化镓 生长压力 位错

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AlGaN/GaN HFET的优化设计 被引量：3

13

作者 薛舫时 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2007年第2期163-169,共7页

从自洽求解薛定谔方程和泊松方程出发研究了不同掺杂方式下异质结能带和二维电子气的行为。发现掺杂能剪裁异质结能带的弯曲度、控制电子气的二维特性和浓度。在此基础上研究了不同掺杂方式的掺杂效率。通过掺杂和势垒结构的优化设计,... 从自洽求解薛定谔方程和泊松方程出发研究了不同掺杂方式下异质结能带和二维电子气的行为。发现掺杂能剪裁异质结能带的弯曲度、控制电子气的二维特性和浓度。在此基础上研究了不同掺杂方式的掺杂效率。通过掺杂和势垒结构的优化设计,得出了用δ掺杂加薄AlN隔离层的结构,既提高了电子气浓度,又保持电子气的强二维特性。从电子气浓度和栅对电子气的控制力度出发,提出了HFET势垒优化设计中的电子气浓度与势垒层厚度乘积规则。依据二维表面态理论,研究了表面态随帽层掺杂结构的变化。从前述乘积规则和表面态变化出发进行了内、外沟道异质结构的优化设计。优化结构既提高了电子气浓度和跨导,降低了欧姆接触电阻,又抑制了电流崩塌。 展开更多

关键词 铝镓氮/氮化镓异质结场效应管 优化设计 势垒层掺杂效率 电子气浓度与势垒层厚度乘积 表面态 无电流崩塌设计

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X-波段AlGaN/GaN HEMT功率MMIC

14

作者 陈堂胜 张斌 +4 位作者 焦刚 任春江 陈辰 邵凯 杨乃彬 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期F0003-F0003,共1页

关键词 ALGAN/GAN MMIC 功率密度 X-波段 HEMT 高电子迁移率晶体管 微波功率器件 单片微波集成电路

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8bit1．4GS／s模数转换器

15

作者 张有涛 李晓鹏 +3 位作者 刘奡 张敏 钱峰 陈辰 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期F0003-F0003,共1页

关键词 高速模数转换器 南京电子器件研究所 高速ADC 高速数据采集 校准技术 软件无线电 数字化雷达 组成部分

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基于3英寸0.25μm工艺的GaN HEMT宽带功率MMIC

16

作者 张斌 陈堂胜 +1 位作者 任春江 余旭明 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2011年第1期F0003-F0003,共1页

GaN HEMT具有工作电压高、功率密度大、输出阻抗高、散热性能好等特点，大大扩展了功率MMIC的设计空间。具体表现在：GaN HEMT可工作于高电压下，同样的输出功率工作电流较小，大大简化了系统电源和电磁兼容设计；高密度的输出功率使得... GaN HEMT具有工作电压高、功率密度大、输出阻抗高、散热性能好等特点，大大扩展了功率MMIC的设计空间。具体表现在：GaN HEMT可工作于高电压下，同样的输出功率工作电流较小，大大简化了系统电源和电磁兼容设计；高密度的输出功率使得芯片面积和器件的封装得以减小；GaN HEMT更高的输出阻抗，扩展了器件工作带宽； 展开更多

关键词 HEMT 0.25μm工艺 功率密度 MMIC GaN 宽带 电磁兼容设计 输出阻抗

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X-波段AlGaN/GaN HEMT功率MMIC

17

作者 陈堂胜 张斌 +4 位作者 焦刚 任春江 陈辰 邵凯 杨乃彬 《固体电子学研究与进展》 CSCD 北大核心 2007年第3期F0003-F0003,共1页

关键词 ALGAN/GAN 功率密度 MMIC X-波段 HEMT 高电子迁移率晶体管 单片微波集成电路 微波功率器件

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S波段280W SiC内匹配脉冲功率管

18

作者 柏松 吴鹏 +6 位作者 陈刚 冯忠 李哲洋 林川 蒋幼泉 陈辰 邵凯 《固体电子学研究与进展》 CSCD 北大核心 2008年第1期-,共1页

关键词 内匹配 脉冲功率 SIC 波段

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用CF4等离子体处理来剪裁AlGaN／GaN异质结能带

19

作者 薛舫时 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期31-35,共5页

自洽求解薛定谔方程和泊松方程研究了CF4等离子体处理对AlGaN/GaN异质结能带的影响。证实了强F离子注入和势垒层的腐蚀是导致沟道电子气耗尽和夹断电压正移的根源。建立了夹断电压移动与异质结构间的关联,为精确的能带剪裁奠定了基础。... 自洽求解薛定谔方程和泊松方程研究了CF4等离子体处理对AlGaN/GaN异质结能带的影响。证实了强F离子注入和势垒层的腐蚀是导致沟道电子气耗尽和夹断电压正移的根源。建立了夹断电压移动与异质结构间的关联,为精确的能带剪裁奠定了基础。针对GaN HFET对肖特基势垒、欧姆接触和沟道电场分布的要求,提出了用CF4等离子体剪裁能带的方案。 展开更多

关键词 CF4 等离子体处理 能带剪裁 F离子注入和势垒层腐蚀 肖特基势垒 欧姆接触 沟道电场控制 电流崩塌

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AlInN/AlGaN复合势垒增强模GaN HFET

20

作者 薛舫时 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2011年第1期1-8,共8页

通过自洽求解薛定谔方程和泊松方程计算了势垒层挖槽过程中沟道阱能带和电子气密度的变化。研究了异质界面上极化电荷的大小和位置对沟道阱能带和能带剪裁力度的影响。发现帽层/势垒层界面上的界面阱会导致沟道电子波函数渗透到势垒层,... 通过自洽求解薛定谔方程和泊松方程计算了势垒层挖槽过程中沟道阱能带和电子气密度的变化。研究了异质界面上极化电荷的大小和位置对沟道阱能带和能带剪裁力度的影响。发现帽层/势垒层界面上的界面阱会导致沟道电子波函数渗透到势垒层,引起能带畸变,降低电子的二维特性和输运性能。选用复合势垒并优化设计异质界面的能带带阶、极化电荷和AlN插入层,可以抬高界面阱的阱位,防止沟道电子波函数渗透到势垒层。AlInN/AlGaN复合势垒能显著提高挖槽中的能带剪裁力度,构筑出高导电的外沟道和在零栅压下夹断的内沟道,满足增强模工作要求。 展开更多

关键词 增强模 铝铟氮/铝镓氮复合势垒 界面阱 能带剪裁力度 能带畸变

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