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高速高密度光电共封装技术 被引量:6
1
作者 孙瑜 刘丰满 薛海韵 《中兴通讯技术》 2018年第4期27-32,共6页
分析了高速高密度光电共封装中2.5D、3D集成技术,提出并验证了2种2.5D光电共封装结构:采用硅转接板的光电共封装和采用玻璃转接板的2.5D结构,经仿真得到在40 GHz工作时可以实现较低的插入损耗,并进行了工艺验证,制备了硅转接板和玻璃转... 分析了高速高密度光电共封装中2.5D、3D集成技术,提出并验证了2种2.5D光电共封装结构:采用硅转接板的光电共封装和采用玻璃转接板的2.5D结构,经仿真得到在40 GHz工作时可以实现较低的插入损耗,并进行了工艺验证,制备了硅转接板和玻璃转接板样品。还提出了一种新型基于有机基板工艺的3D光电共封装结构,该结构相比其他2.5D和3D结构尺寸更小、更薄,设计更灵活。对该结构进行了工艺验证,制作了光探测器(PD)与跨阻放大器(TIA)共同集成的三维光电共封装样品。 展开更多
关键词 光电共封装 光电封装 混合集成 三维封装
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基于Cavity基板技术的堆叠芯片封装设计与实现 被引量:1
2
作者 谢慧琴 曹立强 +4 位作者 李君 张童龙 虞国良 李晨 万里兮 《科学技术与工程》 北大核心 2014年第20期224-228,共5页
介绍了一种适用于堆叠芯片的封装结构。采用层压、机械铣刀开槽等工艺获得Cavity基板,通过引线键合(wire bonding,WB)和倒装焊(flip chip,FC)两种方式实现堆叠芯片与基板的互连,并将堆叠芯片埋入Cavity基板。最后,将包含4款有源芯片和2... 介绍了一种适用于堆叠芯片的封装结构。采用层压、机械铣刀开槽等工艺获得Cavity基板,通过引线键合(wire bonding,WB)和倒装焊(flip chip,FC)两种方式实现堆叠芯片与基板的互连,并将堆叠芯片埋入Cavity基板。最后,将包含4款有源芯片和22个无源器件的小系统高密度集成在一个16 mm×16 mm的标准球栅阵列封装(ball grid array,BGA)封装体内。相比较于传统的二维封装结构,该封装结构将封装面积减小了40%,封装高度减小500μm左右,并将堆叠芯片与基板的互连空间增加了2倍。对这款封装结构的设计过程进行了详细的阐述,并验证了该封装设计的工艺可行性。 展开更多
关键词 Cavity基板 堆叠芯片 小型化 高密度
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集成DTC的埋入硅桥式扇出型封装的去耦设计
3
作者 李雨兴 陈天放 +1 位作者 李君 戴风伟 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第11期1016-1022,共7页
对于供电网络面临的电源完整性挑战,采用一种集成深槽电容(DTC)的埋入硅桥式扇出型封装结构,以改善其供电性能。介绍了硅桥芯片和DTC的制作工艺以及DTC与埋入硅桥芯片的连接方式,并对硅桥芯片、DTC分别进行仿真,以验证DTC的去耦效果。... 对于供电网络面临的电源完整性挑战,采用一种集成深槽电容(DTC)的埋入硅桥式扇出型封装结构,以改善其供电性能。介绍了硅桥芯片和DTC的制作工艺以及DTC与埋入硅桥芯片的连接方式,并对硅桥芯片、DTC分别进行仿真,以验证DTC的去耦效果。进一步研究了集成DTC的埋入硅桥式扇出型封装、在基板背贴硅电容的扇出型封装和无去耦电容的扇出型封装3种方案对电源分配网络(PDN)阻抗的去耦效果。通过对比3种方案的仿真结果,发现埋入硅桥式扇出型封装结构的自阻抗值和转移阻抗值较在基板背贴硅电容的扇出型封装结构分别低74%和95%,较无去耦电容的扇出型封装结构分别低91%和97%。 展开更多
关键词 硅桥芯片 深槽电容(DTC) 埋入硅桥式扇出型封装 电源分配网络(PDN) 去耦电容
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基于柔性基板的异构多芯片三维封装散热仿真与优化设计 被引量:3
4
作者 武晓萌 刘丰满 +7 位作者 马鹤 庞诚 何毅 吴鹏 张童龙 虞国良 李晨 于大全 《科学技术与工程》 北大核心 2014年第19期238-242,共5页
随着移动终端的广泛应用,射频多芯片系统封装结构的小型化、系统的集成化将导致功率密度的直线上升,同时,芯片各异性的特点将产生温度分布不均的现象,从而催生亟需解决的热管理问题。针对包含5款芯片的典型的射频前端系统,在POP封装基础... 随着移动终端的广泛应用,射频多芯片系统封装结构的小型化、系统的集成化将导致功率密度的直线上升,同时,芯片各异性的特点将产生温度分布不均的现象,从而催生亟需解决的热管理问题。针对包含5款芯片的典型的射频前端系统,在POP封装基础上,提出柔性基板封装结构设计方案,并应用ANSYS ICEPAK三维数值分析法进行仿真计算,验证得到如下结果:1柔板同层的温差降低到POP结构的6%,异层的温差降低到POP结构的4%,避免了热点的出现;2柔板封装结温随下层屏蔽罩的厚度增大而减小,但尺寸的变化对其影响相对较小;3与铝基相比,铜屏蔽罩能够起到更好的散热作用。研究结果为射频异构多芯片三维封装优化设计提供了参考方案。 展开更多
关键词 多芯片 POP封装 柔性基板 热设计 三维仿真
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一种用于集成天线封装(AiP)的低剖面、低成本的毫米波微带天线设计 被引量:4
5
作者 汪鑫 王启东 曹立强 《现代电子技术》 北大核心 2017年第19期1-5,共5页
讨论了毫米波微带天线的工作原理、结构及其与射频前端的集成。介绍了基于CST STUDIO SUITE 2014软件设计中心频率为27 GHz微带天线的整个设计流程。设计了以Rogers 5880有机基板为介质材料的27 GHz毫米波微带天线,相对于以LTCC为介质... 讨论了毫米波微带天线的工作原理、结构及其与射频前端的集成。介绍了基于CST STUDIO SUITE 2014软件设计中心频率为27 GHz微带天线的整个设计流程。设计了以Rogers 5880有机基板为介质材料的27 GHz毫米波微带天线,相对于以LTCC为介质的天线拥有低成本、低剖面的优点。提出一种毫米波微带天线与射频前端的集成方案,建立了天线与帯通滤波器仿真模型并提取S参数。论证毫米波微带天线与射频前端集成的可行性。所设计的微带天线尺寸只有3.8 mm×3.5 mm,天线的增益达到了7.62 d Bi,辐射效率高达93%,相对带宽为2.3%,且实测值与仿真值吻合得很好,验证了设计的正确性。 展开更多
关键词 毫米波 微带天线 系统集成 辐射效率
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基于三维多芯片柔性封装的热应力分析 被引量:1
6
作者 苏梅英 陆原 +3 位作者 万里兮 侯峰泽 张霞 郭学平 《现代电子技术》 北大核心 2015年第3期141-143,148,共4页
利用ANSYS软件针对一种三维多芯片柔性封装结构进行建模,通过有限元2D模型模拟该封装结构在热循环温度-40~125℃条件下产生的热应力/应变情况,讨论了芯片厚度、基板厚度、微凸点高度及模塑封材料对热应力/应变的影响。结果表明,三维... 利用ANSYS软件针对一种三维多芯片柔性封装结构进行建模,通过有限元2D模型模拟该封装结构在热循环温度-40~125℃条件下产生的热应力/应变情况,讨论了芯片厚度、基板厚度、微凸点高度及模塑封材料对热应力/应变的影响。结果表明,三维多芯片柔性封装体的等效热应力发生在微凸点与芯片的连接处,其数值随着芯片厚度的减薄呈递减趋势;基板厚度也对热应变有一定的影响;增加微凸点高度有利于减小等效热应力;通过比较塑封材料得知,采用热膨胀系数较大,且杨氏模量与温度的依赖关系较强的模塑封材料进行塑封会产生较大应变。 展开更多
关键词 ANSYS 多芯片结构 柔性封装 热应力
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用于系统级封装的毫米波介质填充波导的研究
7
作者 王启东 Daniel Guidotti +2 位作者 曹立强 万里兮 叶甜春 《现代电子技术》 2014年第21期83-86,共4页
基于不断发展的系统级封装技术,提出了一种用于芯片间高速互连的新型可集成的物理器件:硅基毫米波介质填充波导。文中阐述了该器件的物理原理,采用建模、仿真相结合的方法对该模块进行了结构设计,利用新的设计思路结合半导体工艺解决了... 基于不断发展的系统级封装技术,提出了一种用于芯片间高速互连的新型可集成的物理器件:硅基毫米波介质填充波导。文中阐述了该器件的物理原理,采用建模、仿真相结合的方法对该模块进行了结构设计,利用新的设计思路结合半导体工艺解决了毫米波互连结构内部的反射、电压驻波比(VSWR)、信号耦合、准TEM-TE-准TEM转换传输问题以及毫米波互连结构阵列中信号泄露的问题,并利用半导体与MEMS加工工艺加以实现。测试结果表明宽度为680μm的单通道矩形波导,-10 d B带宽为9.8 GHz,相对带宽为12.56%;传输损耗为1 d B/cm,工作频带内相邻波导之间串扰低于-40 d B,可以形成大阵列并进行集成,从而实现芯片间数据的并行传输。 展开更多
关键词 毫米波 介质填充波导 芯片间互连 系统级封装
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硅基光栅耦合封装结构的优化设计 被引量:4
8
作者 宋曼谷 曹立强 +3 位作者 刘丰满 薛海韵 孙瑜 李宝霞 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2017年第4期479-483,共5页
为了提高硅基光栅耦合封装结构的耦合效率、增大容差范围,对光栅耦合的结构特性进行了理论分析,并采用时域有限差分法完成了仿真验证,在不改变光栅参量的基础上,对光栅耦合封装结构进行了改进,仿真建立了一款光栅上方和光纤端面分别增... 为了提高硅基光栅耦合封装结构的耦合效率、增大容差范围,对光栅耦合的结构特性进行了理论分析,并采用时域有限差分法完成了仿真验证,在不改变光栅参量的基础上,对光栅耦合封装结构进行了改进,仿真建立了一款光栅上方和光纤端面分别增加透镜的优化结构,研究了影响耦合效率的因素。结果表明,增加透镜后,耦合效率有所增加,角度容差和带宽都有一定的优化;在衬底增加反射镜后,对波长1550nm的光耦合效率提高至73.809%。该研究结果可为光栅耦合的封装结构设计提供参考依据。 展开更多
关键词 光栅 封装结构 时域有限差分法 耦合效率 透镜
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4×25 Gbit/s光电收发模块的封装设计与实现 被引量:5
9
作者 李志雄 何慧敏 +4 位作者 刘丰满 薛海韵 孙瑜 隗娟 曹立强 《光通信研究》 北大核心 2020年第4期37-42,共6页
光电收发模块作为光通信系统中的两个核心模块,承载着电信号转化为光信号与光信号转化为电信号的核心功能,其性能对整个通信质量起着决定性作用。文章提出一种改进型的高速率、低功耗和低成本4通道25 Gbit/s光电互连收发模块的封装设计... 光电收发模块作为光通信系统中的两个核心模块,承载着电信号转化为光信号与光信号转化为电信号的核心功能,其性能对整个通信质量起着决定性作用。文章提出一种改进型的高速率、低功耗和低成本4通道25 Gbit/s光电互连收发模块的封装设计,在传统的以驱动芯片和调制器为基础作为发端和以探测器和跨阻放大器为基础作为收端的同时,增加时钟数据恢复电路,优化封装结构,通过抑制链路抖动和减小阻抗失配引起的反射来提高通道带宽。优化后收发模块的背靠背眼图测试结果显示,在25 Gbit/s速率下,系统的误码率在1E-13以下,且收发模块的总功率仅为3.9 W。 展开更多
关键词 光通信 光发送模块 光接收模块 印制电路板 眼图
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埋入堆叠芯片封装结构的电学仿真和优化 被引量:2
10
作者 谢慧琴 李君 +1 位作者 曹立强 万里兮 《现代电子技术》 2014年第16期138-143,共6页
埋入堆叠芯片技术在实现封装小型化的同时,增加了封装电学设计的复杂性。以一个数字系统为例,详细阐述了埋入堆叠芯片封装结构的电学设计过程。利用电磁仿真软件提取了该封装结构的寄生参数,并通过S参数、延时、反射分析,确定长绑定线... 埋入堆叠芯片技术在实现封装小型化的同时,增加了封装电学设计的复杂性。以一个数字系统为例,详细阐述了埋入堆叠芯片封装结构的电学设计过程。利用电磁仿真软件提取了该封装结构的寄生参数,并通过S参数、延时、反射分析,确定长绑定线为影响链路信号质量的关键因素,其影响直接限制了埋入堆叠芯片技术的应用范围。运用RLC传输线模型分析了长绑定线造成大的信号质量衰减的原因。最后,提出了一种大幅减短绑定线长度并提升链路电学性能的优化结构,拓展了此技术在高速领域的应用。眼图的对比结构表明,新结构能降低链路的阻抗失配,减小信号延时,并大大改善高速信号的质量。 展开更多
关键词 埋入堆叠芯片 S参数 延时 反射 眼图
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4×25 Gb/s光电收发一体模块封装的设计与实现 被引量:4
11
作者 陈莹 宋文泰 +4 位作者 何慧敏 薛海韵 孙瑜 缪旻 刘丰满 《光通信技术》 2021年第4期22-26,共5页
光电收发模块的性能对整个通信系统质量至关重要。设计一个包括光电器件、封装结构等参数的光电协同链路仿真系统,首先从系统封装方案、版图和信号完整性等方面进行设计优化,获得封装结构的电学参数;其次,对光电器件参数进行优化提取,... 光电收发模块的性能对整个通信系统质量至关重要。设计一个包括光电器件、封装结构等参数的光电协同链路仿真系统,首先从系统封装方案、版图和信号完整性等方面进行设计优化,获得封装结构的电学参数;其次,对光电器件参数进行优化提取,并建立一个包括封装结构电学参数对系统的性能影响的光电协同的仿真链路,通过光电协同链路仿真提前对模块进行优化评估,确保光电混合集成系统满足要求;最后,进行模块的组装和测试。仿真结果表明:25 Gb/s信号源输入下,模块通过1 km光纤进行自发自收,在213-1码型下,模块的误码率在1E-15以下,总功率仅为3.6 W。 展开更多
关键词 光通信 光电收发模块 链路仿真 误码率 眼图
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高深宽比硅通孔的SAPS兆声波清洗技术 被引量:2
12
作者 薛恺 陈福平 +3 位作者 张晓燕 张明川 王晖 于大全 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第5期377-382,共6页
硅通孔(TSV)是三维系统集成的关键技术和发展趋势,目前已经可以实现深宽比为10∶1的TSV结构,且向着更高深宽比方向发展。在TSV制造工艺中,硅通孔刻蚀后的清洗是目前的关键技术难点之一。针对TSV刻蚀的工艺特点和TSV结构的特点,基于气体... 硅通孔(TSV)是三维系统集成的关键技术和发展趋势,目前已经可以实现深宽比为10∶1的TSV结构,且向着更高深宽比方向发展。在TSV制造工艺中,硅通孔刻蚀后的清洗是目前的关键技术难点之一。针对TSV刻蚀的工艺特点和TSV结构的特点,基于气体交替技术的硅刻蚀反应副产物种类以及清洗过程清洗液在TSV孔内的流体特性进行分析,探讨了一种基于现有清洗液,利用空间交变相位移(SAPS)兆声波技术进行TSV刻蚀后的清洗方法,并阐述了该清洗工艺的特点及前后工艺间的相互影响。研究结果表明,SAPS兆声波清洗能高效去除深孔内刻蚀残余产物,在TSV工艺集成中有较好的应用前景。 展开更多
关键词 硅通孔(TSV) SAPS兆声波清洗 3D IC 盲孔清洗 清洗技术
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基于柔性印刷电路板技术的纳米发电机 被引量:2
13
作者 褚衍彪 万里兮 +3 位作者 杜天敏 郭学平 于大全 曹立强 《现代电子技术》 北大核心 2015年第14期141-144,共4页
基于柔性印刷电路板(FPC)技术,制造了2种柔性ZnO纳米发电机。首先,使用简单的一步溶剂热法制备ZnO纳米线,前驱体为二水合醋酸锌(Zn(Ac)2·2H2O)和氢氧化钠(NaOH),溶剂为乙醇。绝大部分ZnO纳米线的直径在20~30 nm之间,... 基于柔性印刷电路板(FPC)技术,制造了2种柔性ZnO纳米发电机。首先,使用简单的一步溶剂热法制备ZnO纳米线,前驱体为二水合醋酸锌(Zn(Ac)2·2H2O)和氢氧化钠(NaOH),溶剂为乙醇。绝大部分ZnO纳米线的直径在20~30 nm之间,表明制备的纳米线具有均匀的形貌。然后,使用一种新颖的离心方法制备有序堆积的ZnO纳米线薄膜。SEM表征表明,ZnO纳米线薄膜中,纳米线横向紧密有序排列。最后,采用柔性印刷电路板技术,制造了2种柔性ZnO纳米发电机。对使用示波器纳米发电机的输出电压进行测试,开路电压最高达到10 V。纳米发电机是利用ZnO纳米线的压电效应和广泛存在的摩擦电静电效应,将周围环境中广泛存在的各种有用机械能转换为电能。这里制造的纳米发电机的工艺兼容传统的柔性印刷电路板技术,未来,这种柔性纳米发电机能够集成在柔性电路板中,形成自供电的小型化电子系统。 展开更多
关键词 ZNO 纳米发电机 压电效应 摩擦电静电 柔性印刷电路板
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TSV转接板空腔金属化与再布线层一体成型技术 被引量:1
14
作者 曹睿 戴风伟 +2 位作者 陈立军 周云燕 曹立强 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第10期790-795,共6页
为满足射频微波应用的需求并实现三维异质集成,提出了一种带有大尺寸空腔结构的硅通孔(TSV)转接板,研究了其空腔金属化与表面金属再布线层(RDL)一体成型技术。首先,刻蚀空腔并整面沉积一层2μm厚的SiO2;然后,在不损伤其他部分绝缘层的... 为满足射频微波应用的需求并实现三维异质集成,提出了一种带有大尺寸空腔结构的硅通孔(TSV)转接板,研究了其空腔金属化与表面金属再布线层(RDL)一体成型技术。首先,刻蚀空腔并整面沉积一层2μm厚的SiO2;然后,在不损伤其他部分绝缘层的条件下,通过干法刻蚀完成TSV背面SiO2刻蚀;最后,通过整面电镀实现空腔金属化和RDL一体成型,并通过金属反向刻蚀形成RDL。重点研究了对TSV背面SiO2刻蚀时对空腔拐角的保护方法,以及在形成表面RDL时对空腔侧壁金属层的保护方法。最终获得了带有120μm深空腔的TSV转接板样品,其中空腔侧壁和表面RDL的金属层厚度均为8μm。 展开更多
关键词 三维异质集成 硅通孔(TSV)转接板 空腔金属化 再布线层(RDL) 一体成型
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扇出型封装结构可靠性试验方法及验证 被引量:5
15
作者 徐健 孙悦 +1 位作者 孙鹏 胡文华 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第10期787-794,共8页
基于可靠性试验所用的菊花链测试结构,对所设计的扇出型封装结构进行了完整的菊花链芯片制造及后道组装工艺制造,并对不同批次、不同工艺参数条件下的封装样品进行电学测试表征、可靠性测试和失效样品分析。通过菊花链设计结构及超声波... 基于可靠性试验所用的菊花链测试结构,对所设计的扇出型封装结构进行了完整的菊花链芯片制造及后道组装工艺制造,并对不同批次、不同工艺参数条件下的封装样品进行电学测试表征、可靠性测试和失效样品分析。通过菊花链设计结构及超声波扫描显微镜(SAM)等工具,对失效样品进行失效定位分析,并通过扫描电子显微镜(SEM)和能量色散X射线光谱仪(EDX)等失效分析工具进行失效分析。通过对不同批次的样品进行通断电测试、可靠性预处理、可靠性试验和失效分析,总结不同工艺方法对封装整体结构翘曲、芯片偏移、金属层分层等失效模式的影响。为晶圆扇出型封装的整体封装结构设计、工艺流程搭建、封装材料选择等工作提供了指导意见。 展开更多
关键词 扇出型封装 可靠性 菊花链 翘曲 失效分析
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用于射频集成的高Q硅基电感的优化设计 被引量:4
16
作者 王惠娟 潘杰 +3 位作者 任晓黎 曹立强 于大全 万里兮 《现代电子技术》 北大核心 2015年第18期106-109,共4页
采用理论分析与电磁仿真结合的方法,对硅上多层金属构成的螺旋电感进行电性能研究,优化并获得一种适用于射频电路集成的硅基射频高Q电感。对于影响电感Q值的多种损耗机制,重点研究了趋肤效应对电感的影响。并通过结构参数及金属层叠优化... 采用理论分析与电磁仿真结合的方法,对硅上多层金属构成的螺旋电感进行电性能研究,优化并获得一种适用于射频电路集成的硅基射频高Q电感。对于影响电感Q值的多种损耗机制,重点研究了趋肤效应对电感的影响。并通过结构参数及金属层叠优化后,硅上电感的Q值可以达到60以上,自谐振频率可以达到10 GHz以上,可以较好地应用于射频系统中的滤波选频及匹配等网络。 展开更多
关键词 硅上电感 趋肤效应 射频系统集成 电磁仿真
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TSV结构的几种SPICE模型仿真 被引量:4
17
作者 庞诚 王志 于大全 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第10期770-775,共6页
硅通孔(TSV)结构是2.5D/3D系统级封装(SiP)的关键电学互连单元,对TSV结构的准确建模是保证电学仿真精确程度的重要因素。基于传输线理论,对TSV结构进行了电气描述,提取结构中集总参数元件,并针对这些集总参数元件进行组合,得到几种不同... 硅通孔(TSV)结构是2.5D/3D系统级封装(SiP)的关键电学互连单元,对TSV结构的准确建模是保证电学仿真精确程度的重要因素。基于传输线理论,对TSV结构进行了电气描述,提取结构中集总参数元件,并针对这些集总参数元件进行组合,得到几种不同的SPICE模型。对上述SPICE模型进行S参数仿真,作为比较,建立TSV结构的全波模型并通过有限元方法计算得到S参数。仿真结果表明,TSV结构主体主导了整个TSV结构的电性能,当信号频率在10 GHz以下时,由各个SPICE模型仿真得到的S参数和由有限元方法计算所得结果差别较小。对SPICE模型中的TSV与硅衬底间电容C TSV不同的处理方式对仿真结果影响明显。 展开更多
关键词 硅通孔(TSV) SPICE模型 全波模型 有限元方法 S参数
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一种DC到40GHz测试结构的设计
18
作者 张迪 李宝霞 +5 位作者 张童龙 虞国良 李晨 汪柳平 于中尧 万里兮 《现代电子技术》 2014年第16期127-130,134,共5页
高速信号在传输的过程中将遇到信号完整性的问题的困扰,尤其当信号速率超过10 Gb/s时,当传输结构发生变化的时候,在导体之间传输的场将发生变化,传输过程的阻抗将发生变化。通过对传输结构变化的地方进行修正,可以对阻抗变化进行一定的... 高速信号在传输的过程中将遇到信号完整性的问题的困扰,尤其当信号速率超过10 Gb/s时,当传输结构发生变化的时候,在导体之间传输的场将发生变化,传输过程的阻抗将发生变化。通过对传输结构变化的地方进行修正,可以对阻抗变化进行一定的补偿,减小结构变化处带来的信号反射,减小信号传输损耗,最终整个测试板在40 GHz时仿真损耗仅为1.1 dB,并通过两个测试结构对接进行了S参数和眼图的测试评估。 展开更多
关键词 阻抗匹配 插损 回损 TDR 测试结构 信号完整性
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微波芯片倒装金凸点热疲劳可靠性分析及优化 被引量:4
19
作者 王健 万里兮 +2 位作者 侯峰泽 李君 曹立强 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第7期555-560,共6页
为了满足射频系统小型化的需求,提出了一种基于硅基板的微波芯片倒装封装结构,解决了微波芯片倒装背金接地的问题。使用球栅阵列(BGA)封装分布为周边型排列的Ga As微波芯片建立了三维有限元封装模型,研究了微波芯片倒装封装结构在-55-... 为了满足射频系统小型化的需求,提出了一种基于硅基板的微波芯片倒装封装结构,解决了微波芯片倒装背金接地的问题。使用球栅阵列(BGA)封装分布为周边型排列的Ga As微波芯片建立了三维有限元封装模型,研究了微波芯片倒装封装结构在-55-125℃热循环加载下金凸点上的等效总应变分布规律,同时研究了封装尺寸因素对于金凸点可靠性的影响。通过正交试验设计,研究了凸点高度、凸点直径以及焊料片厚度对凸点可靠性的影响程度。结果表明:金凸点离芯片中心越近,其可靠性越差。上述各结构尺寸因素对凸点可靠性影响程度的主次顺序为:焊料片厚度〉金凸点直径〉金凸点高度。因此,在进行微波芯片倒装封装结构设计时,应尽可能选择较薄的共晶焊料片来保证金凸点的热疲劳可靠性。 展开更多
关键词 金凸点 硅基板 热疲劳可靠性 倒装芯片 球栅阵列(BGA)封装
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基于光敏玻璃的垂直互连通孔仿真与电镀工艺研究 被引量:17
20
作者 林来存 王启东 +4 位作者 邱德龙 伍恒 薛恺 于大全 曹立强 《北京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第1期52-57,共6页
本文对玻璃通孔与硅通孔垂直互连结构进行了电磁场仿真,并对比了两者的高频传输特性,结果显示在20GHz处,玻璃通孔与硅通孔的插入损耗分别为-0.024dB和-1.62dB,玻璃通孔的高频传输性能明显优于硅通孔.基于光敏玻璃衬底,采用高刻蚀速率的... 本文对玻璃通孔与硅通孔垂直互连结构进行了电磁场仿真,并对比了两者的高频传输特性,结果显示在20GHz处,玻璃通孔与硅通孔的插入损耗分别为-0.024dB和-1.62dB,玻璃通孔的高频传输性能明显优于硅通孔.基于光敏玻璃衬底,采用高刻蚀速率的湿法腐蚀方法,获得了深宽比为7∶1的玻璃通孔,孔阵列均匀性良好,侧壁粗糙度小于1μm.对不同电流密度下的玻璃通孔填充工艺进行了仿真分析,结果显示在小电流密度下,开口处的电流密度拥挤效应改善明显,铜层生长速度更为均匀,但沉积速度较慢.基于仿真结果,进行了电流密度为1ASD下的通孔填充实验研究,结果显示填充效果良好,120μm的TGV中铜层生长均匀,70μm的TGV中的缝隙较小. 展开更多
关键词 转接板技术 光敏玻璃 玻璃通孔 电流密度 填充工艺
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