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脑机接口中一种改进的模式识别方法
被引量：
3
1
作者
杨帮华
颜国正
+1 位作者
张永怀
付西光
《中国生物医学工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第2期234-237,共4页
为提高脑机接口中脑电识别率,分析了特征提取方面时频特征组合法的缺点,探讨了一种改进的模式识别方法。该方法以样本类平均距离为判据,采用滑动窗优化技术,获取时域均值的最佳时间段和频域功率谱均值的最佳频率段。用经过优化的时域均...
为提高脑机接口中脑电识别率,分析了特征提取方面时频特征组合法的缺点,探讨了一种改进的模式识别方法。该方法以样本类平均距离为判据,采用滑动窗优化技术,获取时域均值的最佳时间段和频域功率谱均值的最佳频率段。用经过优化的时域均值和功率谱均值组合作为特征,形成特征向量。基于该特征向量,用神经网络对脑电信号进行分类。以识别正确率为指标,将改进方法与原方法进行对比,实验结果表明改进方法能够提高脑电识别率,具有应用价值。
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关键词
脑机接口
脑电
滑动窗
模式识别
神经网络
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职称材料
H_2S电化学气体传感器的敏感特性评价
被引量：
9
2
作者
于文双
刘玲
+2 位作者
郭昀
衣志伟
钱永彪
《上海大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第1期46-53,共8页
利用六西格玛(six sigma)统计工具对电化学硫化氢(H2S)气体传感器的气体敏感特性进行了研究,并运用Minitab软件对测试数据进行了系统分析.结果显示,所测电化学气体传感器对H2S气体响应良好,灵敏度平均值为0.82μA/10-6H2S.在H2S传感器...
利用六西格玛(six sigma)统计工具对电化学硫化氢(H2S)气体传感器的气体敏感特性进行了研究,并运用Minitab软件对测试数据进行了系统分析.结果显示,所测电化学气体传感器对H2S气体响应良好,灵敏度平均值为0.82μA/10-6H2S.在H2S传感器的量程范围(0～100×10-6)内,传感器的响应输出值与H2S气体体积分数呈现良好的线性关系,相关指数RSq=99.9%;传感器对气体的响应速度较快,响应时间T90<20 s.同时讨论了温度变化对H2S传感器灵敏度和响应输出值的影响.
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关键词
电化学传感器
H2S
敏感特性
统计工具
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职称材料
高阻In掺杂CdZnTe晶体缺陷能级的研究
被引量：
1
3
作者
李刚
桑文斌
+4 位作者
闵嘉华
钱永彪
施朱斌
戴灵恩
赵岳
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第5期1049-1053,共5页
利用低压垂直布里奇曼法制备了不同In掺杂量的CdZnTe晶体样品,采用低温光致发光谱(PL)、深能级瞬态谱(DLTS)以及霍尔测试等手段研究了In掺杂CdZnTe晶体中的主要缺陷能级及其可能存在的补偿机制.PL测试结果表明,在In掺杂样品中,In原子占...
利用低压垂直布里奇曼法制备了不同In掺杂量的CdZnTe晶体样品,采用低温光致发光谱(PL)、深能级瞬态谱(DLTS)以及霍尔测试等手段研究了In掺杂CdZnTe晶体中的主要缺陷能级及其可能存在的补偿机制.PL测试结果表明,在In掺杂样品中,In原子占据了晶体中原有的Cd空位,形成了能级位于E_c-18meV的替代浅施主缺陷[In_(Cd)^+],同时[In_(Cd)^+]还与[V_(Cd)^(2-)]形成了能级位于E_v+163meV的复合缺陷[(In_(Cd)^+-V_(Cd)^(2-))^-].DLTS分析表明,掺In样品中存在导带以下约0.74eV的深能级电子陷阱能级,这个能级很可能是Te反位[Te_(Cd)]施主缺陷造成的.由此,In掺杂CdZnTe晶体的电学性质是In掺杂施主缺陷、Te反位深能级施主缺陷与本征受主缺陷Cd空位和残余受主杂质缺陷补偿的综合结果.
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关键词
碲锌镉
低温PL
深能级瞬态谱
缺陷能级
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职称材料
题名
脑机接口中一种改进的模式识别方法
被引量：
3
1
作者
杨帮华
颜国正
张永怀
付西光
机构
上海
交通大学电子信息学院
仪器
系
华瑞
科学仪器
(
上海
)
有限公司
出处
《中国生物医学工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第2期234-237,共4页
文摘
为提高脑机接口中脑电识别率,分析了特征提取方面时频特征组合法的缺点,探讨了一种改进的模式识别方法。该方法以样本类平均距离为判据,采用滑动窗优化技术,获取时域均值的最佳时间段和频域功率谱均值的最佳频率段。用经过优化的时域均值和功率谱均值组合作为特征,形成特征向量。基于该特征向量,用神经网络对脑电信号进行分类。以识别正确率为指标,将改进方法与原方法进行对比,实验结果表明改进方法能够提高脑电识别率,具有应用价值。
关键词
脑机接口
脑电
滑动窗
模式识别
神经网络
Keywords
brain-computer Interface （BCI）
electroencephalography （EEG）
sliding window
pattern recognition
neural network
分类号
R318 [医药卫生—生物医学工程]
TP183 [自动化与计算机技术—控制理论与控制工程]
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职称材料
题名
H_2S电化学气体传感器的敏感特性评价
被引量：
9
2
作者
于文双
刘玲
郭昀
衣志伟
钱永彪
机构
上海
大学材料
科学
与工程学院
华瑞
科学仪器
(
上海
)
有限公司
出处
《上海大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第1期46-53,共8页
基金
国家自然科学基金资助项目(11275122)
文摘
利用六西格玛(six sigma)统计工具对电化学硫化氢(H2S)气体传感器的气体敏感特性进行了研究,并运用Minitab软件对测试数据进行了系统分析.结果显示,所测电化学气体传感器对H2S气体响应良好,灵敏度平均值为0.82μA/10-6H2S.在H2S传感器的量程范围(0～100×10-6)内,传感器的响应输出值与H2S气体体积分数呈现良好的线性关系,相关指数RSq=99.9%;传感器对气体的响应速度较快,响应时间T90<20 s.同时讨论了温度变化对H2S传感器灵敏度和响应输出值的影响.
关键词
电化学传感器
H2S
敏感特性
统计工具
Keywords
electrochemical sensor
H2S
sensitive characteristic
statistical tool
分类号
TP212.2 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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职称材料
题名
高阻In掺杂CdZnTe晶体缺陷能级的研究
被引量：
1
3
作者
李刚
桑文斌
闵嘉华
钱永彪
施朱斌
戴灵恩
赵岳
机构
上海
大学材料
科学
与工程学院
华瑞
科学仪器
(
上海
)
有限公司
传感器工程技术中心
出处
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第5期1049-1053,共5页
基金
国家自然科学基金(10675080)
上海市重点学科建设项目(T0101)
文摘
利用低压垂直布里奇曼法制备了不同In掺杂量的CdZnTe晶体样品,采用低温光致发光谱(PL)、深能级瞬态谱(DLTS)以及霍尔测试等手段研究了In掺杂CdZnTe晶体中的主要缺陷能级及其可能存在的补偿机制.PL测试结果表明,在In掺杂样品中,In原子占据了晶体中原有的Cd空位,形成了能级位于E_c-18meV的替代浅施主缺陷[In_(Cd)^+],同时[In_(Cd)^+]还与[V_(Cd)^(2-)]形成了能级位于E_v+163meV的复合缺陷[(In_(Cd)^+-V_(Cd)^(2-))^-].DLTS分析表明,掺In样品中存在导带以下约0.74eV的深能级电子陷阱能级,这个能级很可能是Te反位[Te_(Cd)]施主缺陷造成的.由此,In掺杂CdZnTe晶体的电学性质是In掺杂施主缺陷、Te反位深能级施主缺陷与本征受主缺陷Cd空位和残余受主杂质缺陷补偿的综合结果.
关键词
碲锌镉
低温PL
深能级瞬态谱
缺陷能级
Keywords
CdZnTe： low temperature PL
deep level transient spectroscopy
defect levels
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
脑机接口中一种改进的模式识别方法
杨帮华
颜国正
张永怀
付西光
《中国生物医学工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2006
3
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
H_2S电化学气体传感器的敏感特性评价
于文双
刘玲
郭昀
衣志伟
钱永彪
《上海大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2015
9
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
高阻In掺杂CdZnTe晶体缺陷能级的研究
李刚
桑文斌
闵嘉华
钱永彪
施朱斌
戴灵恩
赵岳
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
1
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职称材料
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