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题名高压FRD少子寿命控制技术研究
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作者
艾治州
李松岭
张帮会
王二俊
张小辛
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机构
华润微电子(重庆)有限公司
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出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
2024年第2期173-177,共5页
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文摘
快恢复二极管(Fast recovery diode,FRD)常采用寿命控制技术来减小反向恢复时间,但也会改变其他电学性能。本文研究了扩铂工艺、电子辐照工艺以及结合扩铂和电子辐照工艺对1 700 V FRD的导通压降温度特性、反向恢复特性以及反向漏电流的影响。实验结果表面:采用扩铂与电子辐照工艺后,FRD的导通压降分别呈现出负温度系数与正温度系数;结合两种工艺后,FRD的导通压降趋于零温度系数。此外,在导通压降近似为2 V时,扩铂后FRD的反向峰值电流为21.3 A,且反向漏电流最小;电子辐照后FRD的反向峰值电流为35.2 A,且反向漏电流最大;结合两种工艺后,发现反向漏电流介于两者之间,反向峰值电流为25.9 A,同时获得了较小的反向恢复电荷,大小为4148.9 nC。
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关键词
快恢复二极管
扩铂
电子辐照
温度系数
导通压降
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Keywords
fast recovery diode(FRD)
platinum diffusion
electron irradiation
tempera-ture coefficient
on-state voltage drop
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分类号
TN31
[电子电信—物理电子学]
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题名GaN HEMT热阻测试技术研究
被引量：2
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作者
邱金朋
沈竞宇
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机构
华润微电子(重庆)有限公司
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出处
《电子与封装》
2023年第11期25-31,共7页
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文摘
GaN作为第三代半导体材料的代表,具有优越的电学性能,被应用在诸多领域。随着功率密度提升、工作频率增加,GaN器件会产生明显的热效应,温度对GaN的性能及可靠性有直接影响,因此热阻测试及结温表征是非常重要的。根据GaN器件的结构、工作原理以及特性参数,结合JEDEC热阻测试的标准,对不同电压等级、不同封装结构的GaN器件进行测试,验证了使用导通电阻作为温度敏感参数的热阻测试方法的正确性。
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关键词
GAN
导通电阻
结温
热阻
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Keywords
GaN
on-resistance
junction temperature
thermal resistance
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分类号
TN307
[电子电信—物理电子学]
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题名一种有效的带封装进行缺陷定位的技术研究
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作者
涂刚强
吴运熹
雍俐培
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机构
华润微电子(重庆)有限公司
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出处
《中国集成电路》
2022年第9期79-84,共6页
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文摘
提出了一种基于塑料封装器件进行缺陷定位的分析方案,并且以T0-247封装的功率器件为例详细阐述了带封装进行缺陷定位的过程与方法。通过精密研磨、抛光、激光等先进制样手段减薄塑封料,并用显微红外热成像技术实现器件缺陷定位,从而确定器件的失效模式与失效机理。实验证明该方法切实有效,这种失效分析方法对优化封装流程以及提升良率和可靠性都有重要的参考意义。
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关键词
封装
减薄
失效分析
缺陷定位
红外显微镜
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Keywords
encapsulation
thinning
fail analysis
thermal
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分类号
TN405
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名结电容对功率MOSFET关断特性的影响分析
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作者
丁继
唐开锋
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机构
华润微电子(重庆)有限公司
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出处
《电子产品世界》
2022年第10期71-74,共4页
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文摘
为了分析功率MOSFET关断特性,本文基于结电容的概念探讨了功率MOSFET关断过程的机理并推导了数学模型,表明了MOSFET关断过程存在“栅控”和“容控”两种控制模式;建立了功率MOSFET的Spice模型,仿真结果对数学模型进行了验证;设计了双脉冲实验,实验结果与模型和仿真结果一致。研究结论有助于器件设计优化和应用改善。
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关键词
关断特性
结电容
SPICE模型
双脉冲
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分类号
TN386
[电子电信—物理电子学]
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