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新型含硒杂环红光聚芴电解质的电致发光器件制备和研究 被引量:8
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作者 罗潺 黄飞 +2 位作者 杨伟 彭俊彪 曹镛 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期134-138,共5页
利用新型的聚[9,9-二辛基芴-9,9-(双(3′-(N,N-二甲基)-N-乙基铵^+溴^-)丙基)芴-4,7-二噻吩-2-基-2,1,3-苯并硒二唑](PFNBr—DBse)共扼聚电解质制备了聚合物发光二极管。这类共扼聚电解质可用乙醇等溶剂成膜,不仅可代... 利用新型的聚[9,9-二辛基芴-9,9-(双(3′-(N,N-二甲基)-N-乙基铵^+溴^-)丙基)芴-4,7-二噻吩-2-基-2,1,3-苯并硒二唑](PFNBr—DBse)共扼聚电解质制备了聚合物发光二极管。这类共扼聚电解质可用乙醇等溶剂成膜,不仅可代替传统的甲苯等芳香性非极性溶剂,而且有利于制备溶液型的多层显示器件。文章研究了这类新型聚电解质的光致发光特性及发光二极管器件的电荧光特性。研究表明在紫外光照射或电激发下,窄带系的DBse链段通过俘获激子能够实现有效的能量转移。聚电解质中DBSe的含量在5%以上,其器件具有电致发光峰值为700-740nm的饱和红光发射。所制聚电解质器件在用铝作电极时的电致发光效率比用钡作电极时要高。 展开更多
关键词 聚合物发光二极管 聚[9 9-二辛基芴-9 9-(双(3′-(N N-二甲基)-N-乙基铵^+溴-)丙基)芴-4 7-二噻吩-2-基-2 1 3-苯并硒二唑] 共扼聚电解质
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纳米ZnO-共轭聚合物MEH-PPV异质结太阳能电池的制备和研究 被引量:11
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作者 周健伟 覃东欢 +2 位作者 罗潺 韩丽丽 曹镛 《真空与低温》 2006年第1期9-14,共6页
采用溶胶-凝胶法(Sol-Gel),通过强碱水解锌盐溶液合成了ZnO的纳米粒子和纳米棒,并用旋涂的方法制备了纳米ZnO与MEH-PPV(聚苯乙烯撑)复合的异质结光电器件。通过TEM、XRD、UV、PL等手段考察了不同的纳米粒子后处理方法以及不同的纳米晶... 采用溶胶-凝胶法(Sol-Gel),通过强碱水解锌盐溶液合成了ZnO的纳米粒子和纳米棒,并用旋涂的方法制备了纳米ZnO与MEH-PPV(聚苯乙烯撑)复合的异质结光电器件。通过TEM、XRD、UV、PL等手段考察了不同的纳米粒子后处理方法以及不同的纳米晶形状对器件薄膜形貌和光电性能的影响。制备的器件性能在纳米ZnO质量分数为75%时达到最高,此时短路电流Isc达到2.52mAcm-2、开路电压Voc为0.8V、填充因子FF为46.3%、光电能量转换效率η为1.00%。此结果接近目前国内外所报道的纳米ZnO共轭聚合物共混型器件的最高水平(目前报道最高的能量转换效率为1.60%)。 展开更多
关键词 纳米ZNO 共轭聚合物 异质结光电池
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新型蓝绿色磷光配合物二(1-苯基吡唑)铱(吡啶三唑)的发光性能 被引量:4
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作者 张秀菊 许运华 史华红 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期44-48,共5页
利用1-苯基吡唑、吡啶三唑与水合三氯化铱反应合成了一种新型铱配合物Ir(2N)2(PZ),研究了配合物的吸收光谱、光致发光光谱以及光致发光效率。利用该材料作为磷光客体,掺杂到高分子主体材料中制作了电致发光器件,研究了其电致发光光谱。... 利用1-苯基吡唑、吡啶三唑与水合三氯化铱反应合成了一种新型铱配合物Ir(2N)2(PZ),研究了配合物的吸收光谱、光致发光光谱以及光致发光效率。利用该材料作为磷光客体,掺杂到高分子主体材料中制作了电致发光器件,研究了其电致发光光谱。结果表明,该配合物在228,250,328nm处存在自旋允许的1π-π跃迁;荧光光谱结果显示在470nm处有较强的磷光发射;电致发光光谱与光致发光光谱相比却发生较大程度的红移。 展开更多
关键词 磷光材料 铱配合物 PIED
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表面活性剂掺杂的聚芴类蓝光器件 被引量:6
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作者 粟立军 杨伟 +4 位作者 杨晓辉 刘传珍 张赤 甄红宇 曹镛 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2005年第3期195-199,共5页
用PVK作空穴传输/电子阻挡层,提高了ITO/PEDOT/PVK/PDOF/Ba/Al器件的发光效率,但器件的启亮电压也增加。同PDOF单层器件相比,相同驱动电压下双层器件的电流明显减小而器件的发光效率却提高。在芴均聚物(PDOF)和芴共聚物(PF10T)中掺杂LiN... 用PVK作空穴传输/电子阻挡层,提高了ITO/PEDOT/PVK/PDOF/Ba/Al器件的发光效率,但器件的启亮电压也增加。同PDOF单层器件相比,相同驱动电压下双层器件的电流明显减小而器件的发光效率却提高。在芴均聚物(PDOF)和芴共聚物(PF10T)中掺杂LiNPTEOS表面活性剂可以提高器件的EL效率,有效地抑制EL光谱红移现象。掺杂浓度在10%~20%(质量分数),PVK作为电子阻挡层的蓝光器件的EL效率可达1%。掺杂引起的PFO能级的改变降低了空穴注入的势垒高度,使电子和空穴注入趋于平衡以及在电场作用下LiNPTEOS的偶极取向作用可能是提高量子效率、降低启亮电压和工作电压的根本原因。 展开更多
关键词 蓝光器件 聚芴 表面活性剂 掺杂
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PBD分子对聚合物发光二极管特性的影响
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作者 董海星 彭俊彪 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期684-688,共5页
研究了由聚合物发光材料poly(2-methoxy,5-(2-ethylhexyloxy)-1,4-phenylene vinylene)(MEH-PPV)掺杂2-(4-biphenyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole(PBD)制成的发光层厚度为80, 170 nm的高分子发光器件(PLEDs)。研究了PBD不... 研究了由聚合物发光材料poly(2-methoxy,5-(2-ethylhexyloxy)-1,4-phenylene vinylene)(MEH-PPV)掺杂2-(4-biphenyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole(PBD)制成的发光层厚度为80, 170 nm的高分子发光器件(PLEDs)。研究了PBD不同掺杂浓度时器件的电流密度-电压(J-V)和亮度-效率-电压(L-E-V)特性,发现PBD除传输电子外,还阻挡空穴的注入和传输。研究发现,PBD的最优掺杂浓度为20%,掺入PBD后MEH-PPV的EL光谱红移且发生窄化,当PBD掺杂浓度为40%时MEH-PPV的EL光谱窄化最明显,EL光谱半峰全宽从100 nm减小到44 nm。 展开更多
关键词 聚合物发光二极管 PBD 阻挡空穴
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含噻吩单元的硅芴共聚物的合成及其蓝色电致发光性能 被引量:8
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作者 蒋希 田仁玉 +1 位作者 莫越奇 曹镛 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第8期1586-1592,共7页
将少量(摩尔分数为1%~3%)含噻吩的窄带隙单体和宽带隙硅芴单体进行共聚,合成了聚{9,9-二己基-3,6-硅芴-co-[2,5-二(2-甲基苯撑-4-基)-噻吩]}和聚{9,9-二己基-3,6-硅芴-co-[2,5-二(2-苯撑-4-基)-噻吩]}两类硅芴共聚物,通过紫外-... 将少量(摩尔分数为1%~3%)含噻吩的窄带隙单体和宽带隙硅芴单体进行共聚,合成了聚{9,9-二己基-3,6-硅芴-co-[2,5-二(2-甲基苯撑-4-基)-噻吩]}和聚{9,9-二己基-3,6-硅芴-co-[2,5-二(2-苯撑-4-基)-噻吩]}两类硅芴共聚物,通过紫外-可见吸收光谱、光致发光光谱,并制作聚合物发光二极管器件测试电致发光光谱等手段,系统表征了两类硅芴共聚物材料的性能.实验结果表明,噻吩的加入形成了新的蓝色发光中心,并且实现了从硅芴链段到含噻吩发光中心的有效能量转移.通过增加发光中心结构的空间位阻来减小其共轭程度,可以使聚合物的PL和EL光谱发生较大蓝移.最终得到了效率为0.46%和色坐标(CIE)为(0.19,0.16)的蓝光LED器件. 展开更多
关键词 聚合物发光二极管 聚硅芴 噻吩 蓝光聚合物 电致发光
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