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PMOSFET动态NBTI效应的研究被引量：2: 1; 作者宋芳芳解江 +1 位作者李斌章晓文《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期79-83,共5页; 负偏压温度不稳定性效应(NBTI)已经成为影响CMOS集成电路可靠性的一个关键因素,而动态应力条件下的NBTI效应对器件和电路的影响越来越受到关注。对PMOSFET的动态NBTI效应进行了系统介绍,讨论了动态应力条件下NBTI(DNBTI)效应和静态应力... 展开更多; 关键词 PMOS 动态NBTI 可靠性恢复效应; 在线阅读下载PDF 职称材料

半导体器件功率老化的结温控制方法研究被引量：1: 2; 作者冯永杰李斌黄云《实验技术与管理》 CAS 北大核心 2010年第5期46-49,79,共5页; 半导体器件功率老化所面临的主要问题是结温控制。为了确保半导体器件老化的可靠性，对现有的连续脉冲结温控制方法进行讨论和改进，并给出相应的结温测试电路。理论分析和实验表明，凋整脉冲功率、脉冲占空比、脉冲频率，确能使器件结... 展开更多; 关键词半导体器件功率老化结温控制; 在线阅读下载PDF 职称材料

通孔微结构对Cu/低-k应力诱生空洞的影响被引量：1: 3; 作者林晓玲侯通贤 +1 位作者章晓文姚若河《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第3期135-139,共5页; 基于Cu的随动强化模型,采用有限元分析方法,对不同Cu/低-k通孔微结构中的应力情景进行模拟分析,探讨了因互连通孔和通孔阻挡层形成工艺的波动性,造成通孔高度、通孔沟槽深度和通孔底部阻挡层厚度的变化,以及这一变化对互连通孔和通孔底... 展开更多; 关键词 Cu/低-k互连应力诱生空洞工艺波动通孔微结构; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于LSSVM的威布尔分布形状参数估计被引量：1: 4; 作者邹心遥姚若河《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第6期501-505,共5页; 固态介质击穿寿命特性通常用威布尔分布来描述,形状参数β反应了固态介质的失效特征,因而需要精确估计β值。提出了在小样本情况下基于最小二乘支持向量机(LSSVM)的参数评估方法,并给出了LSSVM在MOS电容与时间有关的击穿寿命分布评估中... 展开更多; 关键词可靠性评估威布尔参数估计最小二乘支持向量机最小二乘回归; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于差分图像定位法的集成电路光发射探测技术被引量：1: 5; 作者林晓玲练建文 +1 位作者章晓文姚若河《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第9期70-75,共6页; 在偏置电压较低的情况下,光发射信号较弱,容易被器件的噪声所干扰,造成成像效果不佳.为此,文中建立了光发射显微(PEM)图像的信号-噪声模型,设计了差分图像定位算法来提高光发射探测的精度.该算法首先通过调整偏置电压获取失效信号强度... 展开更多; 关键词集成电路差分图像法信号-噪声模型光发射缺陷定位; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名PMOSFET动态NBTI效应的研究被引量：2: 1; 作者宋芳芳解江李斌章晓文; 机构华南理工大学电子与信息学院微电子研究所工业和信息化部电子第五研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期79-83,共5页; 基金电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室基金(9140C0301030901); 文摘负偏压温度不稳定性效应(NBTI)已经成为影响CMOS集成电路可靠性的一个关键因素,而动态应力条件下的NBTI效应对器件和电路的影响越来越受到关注。对PMOSFET的动态NBTI效应进行了系统介绍,讨论了动态应力条件下NBTI(DNBTI)效应和静态应力下NBTI(SNBTI)退化机理,综述了DNBTI效应的动态恢复机制以及影响因素,最后介绍了NBTI效应对电路的影响。随着器件尺寸的日益缩小,如何提高电路的可靠性变得日益重要,进一步研究NBTI效应对电路的影响从而进行NBTI电路级可靠性设计已成为集成电路设计关注的焦点。; 关键词 PMOS 动态NBTI 可靠性恢复效应; Keywords PMOS dynamic NBTI reliability recovery effect; 分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学] TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名半导体器件功率老化的结温控制方法研究被引量：1: 2; 作者冯永杰李斌黄云; 机构华南理工大学电子与信息学院微电子研究所电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室; 出处《实验技术与管理》 CAS 北大核心 2010年第5期46-49,79,共5页; 文摘半导体器件功率老化所面临的主要问题是结温控制。为了确保半导体器件老化的可靠性，对现有的连续脉冲结温控制方法进行讨论和改进，并给出相应的结温测试电路。理论分析和实验表明，凋整脉冲功率、脉冲占空比、脉冲频率，确能使器件结温达到老化的要求，并分析了脉冲功率、脉冲占空比、脉冲频率对结温的影响。最后在此基础上，提出一种多个分立器件使用单电源串行功率老化的方法。; 关键词半导体器件功率老化结温控制; Keywords semiconductor devices burn-in junction temperature control; 分类号 TN307 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名通孔微结构对Cu/低-k应力诱生空洞的影响被引量：1: 3; 作者林晓玲侯通贤章晓文姚若河; 机构华南理工大学电子与信息学院微电子研究所工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室; 出处《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第3期135-139,共5页; 基金电子元器件可靠性物理及其应用技术国家重点实验室基金资助项目(9140C0301040801); 文摘基于Cu的随动强化模型,采用有限元分析方法,对不同Cu/低-k通孔微结构中的应力情景进行模拟分析,探讨了因互连通孔和通孔阻挡层形成工艺的波动性,造成通孔高度、通孔沟槽深度和通孔底部阻挡层厚度的变化,以及这一变化对互连通孔和通孔底部互连应力诱生空洞的影响.结果表明:Cu/低-k互连中的通孔微结构效应,是影响互连应力和形成应力诱生空洞的重要因素.大高宽比的通孔结构更易因通孔高度变化而发生应力诱生空洞;通孔沟槽可以有效提高互连应力迁移的可靠性,但需要控制其深度;通孔底部阻挡层厚度对互连应力诱生空洞性能具有矛盾性,需要折中考虑.; 关键词 Cu/低-k互连应力诱生空洞工艺波动通孔微结构; Keywords Cu/low-k interconnection stress-induced voiding process variation via microstructure; 分类号 TN322.8 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于LSSVM的威布尔分布形状参数估计被引量：1: 4; 作者邹心遥姚若河; 机构华南理工大学电子与信息学院微电子研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第6期501-505,共5页; 文摘固态介质击穿寿命特性通常用威布尔分布来描述,形状参数β反应了固态介质的失效特征,因而需要精确估计β值。提出了在小样本情况下基于最小二乘支持向量机(LSSVM)的参数评估方法,并给出了LSSVM在MOS电容与时间有关的击穿寿命分布评估中的应用实例,并与常规的最小二乘评估方法相比,得到的结果表明LSSVM的评估精度更高(均方误差更小)、鲁棒性更好,在小样本情况下能更精确地确定威布尔分布的形状参数。; 关键词可靠性评估威布尔参数估计最小二乘支持向量机最小二乘回归; Keywords reliability evaluation Weibull parameters estimation LSSVM LSR; 分类号 TN206.1 [电子电信—物理电子学] TN360 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于差分图像定位法的集成电路光发射探测技术被引量：1: 5; 作者林晓玲练建文章晓文姚若河; 机构工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室华南理工大学电子与信息学院∥微电子研究所; 出处《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第9期70-75,共6页; 基金国家自然科学基金资助项目(60776020) 电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室基金资助项目(9140A23090112DZ15284); 文摘在偏置电压较低的情况下,光发射信号较弱,容易被器件的噪声所干扰,造成成像效果不佳.为此,文中建立了光发射显微(PEM)图像的信号-噪声模型,设计了差分图像定位算法来提高光发射探测的精度.该算法首先通过调整偏置电压获取失效信号强度不同的两组图像,计算出两组图像的差分均值图像,再对其进行均值滤波器、图像二值化等处理,得到统计图像,最后根据统计图像确定集成电路失效点的位置.物理分析结果验证了基于差分图像定位法的集成电路光发射探测技术的准确性.; 关键词集成电路差分图像法信号-噪声模型光发射缺陷定位; Keywords IC differential image method signal-noise model PEM defect localization; 分类号 TN322.8 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	PMOSFET动态NBTI效应的研究	宋芳芳解江李斌章晓文	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2010	2	在线阅读下载PDF 职称材料
2	半导体器件功率老化的结温控制方法研究	冯永杰李斌黄云	《实验技术与管理》 CAS 北大核心	2010	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	通孔微结构对Cu/低-k应力诱生空洞的影响	林晓玲侯通贤章晓文姚若河	《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心	2011	1	在线阅读下载PDF 职称材料
4	基于LSSVM的威布尔分布形状参数估计	邹心遥姚若河	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2008	1	在线阅读下载PDF 职称材料
5	基于差分图像定位法的集成电路光发射探测技术	林晓玲练建文章晓文姚若河	《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心	2014	1	在线阅读下载PDF 职称材料