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题名GaN基LED低温空穴注入层的MOCVD生长研究
被引量：1
- 1
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作者
黄华茂
游瑜婷
王洪
杨光
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机构
华南理工大学理学院物理系广东省光电工程技术研究开发中心
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出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第5期595-599,共5页
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基金
国家高技术研究发展计划(863)(2014AA032609)
广东省战略性新兴产业发展专项资金(2010A081002009
+3 种基金
2011A081301004
2012A080302003)
中央高校基本科研业务费专项资金(2013ZM093
2013ZP0017)资助项目
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文摘
针对GaN基LED空穴注入效率低的问题,在量子阱与电子阻挡层之间插入低温空穴注入层(LTHIL),实验研究了MOCVD生长LT-HIL时二茂镁(Cp2Mg)流量和生长温度的影响。结果表明:随着Cp2Mg流量的增加,外延薄膜晶体质量下降,外延片表面平整度和均匀性降低;而受Mg掺杂时补偿效应的影响,主波长先红移后蓝移,芯片的输出光功率先升高后降低,正向电压先降低后升高。相比于无LT-HIL的样品,在20mA工作电流下,Cp2Mg流量为1.94μmol/min时制备的芯片的输出光功率提升20.3%,而正向电压降低0.1V。在Cp2Mg流量较大时,LT-HIL的渐变式生长温度对外延质量有所改善,但不是主要影响因素。
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关键词
LED
MOCVD
低温空穴注入层
二茂镁
温度
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Keywords
Epilayers
Flow rate
Gallium nitride
Metallorganic chemical vapor deposition
Superconducting films
Temperature
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分类号
TN303
[电子电信—物理电子学]
TN304
[电子电信—物理电子学]
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题名ITO表面粗化提高GaN基LED芯片出光效率
被引量：8
- 2
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作者
胡金勇
黄华茂
王洪
胡晓龙
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机构
华南理工大学理学院物理系广东省光电工程技术研究开发中心
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出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第5期613-617,共5页
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基金
国家高技术研究发展计划(863)(2014AA032609)
广东省战略性新兴产业发展专项资金(2010A081002009
+3 种基金
2011A081301004
2012A080302003)
中央高校基本科研业务费专项资金(2013ZM093
2013ZP0017)资助项目
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文摘
使用现有生产线上工艺成熟且成本低廉的技术实现ITO粗化以提高GaN基LED蓝光芯片的出光效率是产业界重要的研究课题。本文通过普通光刻技术和湿法腐蚀技术,实现ITO表面粗化,有效地提高了LED芯片的输出光功率。输入电流为20 mA时,ITO层制备密集分布的三角周期圆孔阵列后,芯片输出光功率提升11.4%,但正向电压升高0.178 V;微结构优化设计后,芯片输出光功率提升8.2%,正向电压仅升高0.044 V。小电流注入时,密集分布的三角周期圆孔阵列有利于获得较高的输出光功率。大电流注入时,这种结构将导致电流拥挤,芯片的电光转化效率衰减严重。经过优化设计后的微结构阵列器件,具有较高的电注入效率,因此芯片的出光效率较高且随输入电流的增加而衰减的趋势较慢,因此更适合大电流下工作。
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关键词
LED
ITO
表面粗化
出光效率
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Keywords
Efficiency
Gallium nitride
Photolithography
Tin oxides
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分类号
TN304.2+3
[电子电信—物理电子学]
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题名高温预生长对图形化蓝宝石衬底GaN薄膜质量的提高
被引量：1
- 3
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作者
黄华茂
杨光
王洪
章熙春
陈科
邵英华
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机构
华南理工大学理学院物理系广东省光电工程技术研究开发中心
鹤山丽得电子实业有限公司
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出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第8期980-985,共6页
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基金
国家高技术研究发展计划(863计划)(2014AA032609)
广东省战略性新兴产业发展专项资金(2010A081002009,2012A080302003)
中央高校基本科研业务费专项资金(2013ZM093,2013ZP0017)资助项目
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文摘
在图形化蓝宝石衬底生长低温缓冲层之前,通入少量三甲基镓(TMGa)和大量氨气进行短时间的高温预生长,通过改变TMGa流量制备了4个蓝光LED样品。MOCVD外延生长时使用激光干涉仪实时监测薄膜反射率,外延片使用高分辨率X射线衍射(002)面和(102)面摇摆曲线估算位错密度,并使用光致发光谱表征发光性能,制备成芯片后测试了正向电压和输出光功率。结果表明,高温预生长可促进薄膜的横向外延,使得三维岛状GaN晶粒在较小的薄膜厚度内实现岛间合并,有利于降低位错密度,提高外延薄膜质量,LED芯片的输出光功率的增强幅度达29.1%,而电学性能无恶化迹象;但高温预生长工艺中TMGa的流量应适当控制,过量的TMGa导致GaN晶粒过大,将延长岛间合并时间,降低晶体质量。
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关键词
LED
GAN
图形化蓝宝石衬底
高温预生长
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Keywords
LED
GaN
patterned sapphire substrate
high-temperature pre-growth treatment
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分类号
TN304.2
[电子电信—物理电子学]
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