OLED点阵驱动电路设计及OLED驱动特性研究 被引量：12

1

作者 刘小灵 刘汉华 +3 位作者 郑学仁 李斌 冯秉刚 彭俊彪 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期140-144,共5页

设计了一种方便测试OLED显示屏特性的驱动电路。用此驱动电路研究了与驱动方式相关的OLED显示屏特性即“串扰”、老化、击穿等,观测到与OLED“形成过程”相对应的“恢复过程”。实验结果表明,通过对驱动电路采取适当的措施,能够减轻“... 设计了一种方便测试OLED显示屏特性的驱动电路。用此驱动电路研究了与驱动方式相关的OLED显示屏特性即“串扰”、老化、击穿等,观测到与OLED“形成过程”相对应的“恢复过程”。实验结果表明,通过对驱动电路采取适当的措施,能够减轻“串扰”和击穿对显示屏造成的影响,并延长显示屏的使用寿命。 展开更多

关键词 有机发光二极管 驱动电路 形成过程 恢复过程

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SOI MOSFET器件X射线总剂量效应研究 被引量：6

2

作者 何玉娟 师谦 +2 位作者 李斌 林丽 张正选 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第5期357-360,共4页

研究了以10keV X射线为辐照源对注氧隔离(SIMOX)SOI MOSFET器件进行辐照的总剂量效应。采用ARACOR 10keV X射线对埋氧层加固样品与未加固的对比样品在开态和传输门态两种辐照偏置下进行辐照,分析了器件的特性曲线,并计算了SOI MOS器件... 研究了以10keV X射线为辐照源对注氧隔离(SIMOX)SOI MOSFET器件进行辐照的总剂量效应。采用ARACOR 10keV X射线对埋氧层加固样品与未加固的对比样品在开态和传输门态两种辐照偏置下进行辐照,分析了器件的特性曲线,并计算了SOI MOS器件前栅与寄生背栅晶体管辐照前后的阈值电压的漂移。实验结果表明,加固样品的抗辐射性能优越,且不同的辐照偏置对SOI MOSFET器件的辐照效应产生不同的影响。 展开更多

关键词 X射线 总剂量辐射效应 绝缘体上硅 注氧隔离

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多晶硅TFT模型的研究进展

3

作者 邓婉玲 郑学仁 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第6期466-469,473,共5页

全面介绍了多晶硅薄膜晶体管(TFT)紧凑模型的现状和应用前景,简单说明了多晶硅TFT特有的电学特性,这是多晶硅TFT建模的基础,重点介绍了基于阈值电压和基于表面势的多晶硅TFT紧凑模型的研究进展,并对这些模型进行了评述,其中RPI模型是基... 全面介绍了多晶硅薄膜晶体管(TFT)紧凑模型的现状和应用前景,简单说明了多晶硅TFT特有的电学特性,这是多晶硅TFT建模的基础,重点介绍了基于阈值电压和基于表面势的多晶硅TFT紧凑模型的研究进展,并对这些模型进行了评述,其中RPI模型是基于阈值电压的TFT模型的典范。虽然TFT模型已经有所发展,但成熟度还远远不够。最后提出了改进多晶硅TFT模型的方向和策略,包括二维器件模拟的应用、基于表面势模型的发展、多晶硅材料特性的应用、统一模型的发展、短沟效应的建模和参数提取等。 展开更多

关键词 多晶硅 薄膜晶体管 紧凑模型

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多晶硅薄膜晶体管Kink效应研究与建模

4

作者 陈荣盛 郑学仁 +3 位作者 邓婉玲 姚若河 吴朝晖 吴为敬 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第3期231-234,共4页

多晶硅薄膜晶体管(P-Si TFTs)技术在SOP(system on panel)显示应用中发挥着越来越重要的作用。随着尺寸的不断缩小,P-Si TFT的Kink效应越来越明显,对有源液晶显示矩阵和驱动电路的性能影响很大。对发生Kink效应的物理机制、二维数值仿... 多晶硅薄膜晶体管(P-Si TFTs)技术在SOP(system on panel)显示应用中发挥着越来越重要的作用。随着尺寸的不断缩小,P-Si TFT的Kink效应越来越明显,对有源液晶显示矩阵和驱动电路的性能影响很大。对发生Kink效应的物理机制、二维数值仿真及其一维解析模型进行了分析,讨论了晶粒边界、沟道长度与Kink效应的关系,提出建立适合电路仿真的一维解析模型的关键与展望。 展开更多

关键词 多晶硅薄膜晶体管 KINK 效应 建模

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MOSFET和Poly-Si TFTs参数提取策略的研究

5

作者 魏长河 郑学仁 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第7期653-657,共5页

随着半导体制造技术的不断改善和工艺的不断升级,精确的模型参数对于代工厂和设计者尤为重要。而参数提取策略的选择是整个参数提取过程中的关键步骤。该研究以伯克利大学开发的SPICE Level-3MOSFET和多晶硅薄膜晶体管模型为研究对象,... 随着半导体制造技术的不断改善和工艺的不断升级,精确的模型参数对于代工厂和设计者尤为重要。而参数提取策略的选择是整个参数提取过程中的关键步骤。该研究以伯克利大学开发的SPICE Level-3MOSFET和多晶硅薄膜晶体管模型为研究对象,以包括了短沟效应、窄沟效应、漏致势垒降低效应的MOSFET阈值电压方程和多晶硅薄膜晶体管统一漏电流方程作为研究出发点,然后分别讨论了模型中几个主要参数的提取方法,最后给出了参数提取的流程图。 展开更多

关键词 多晶硅薄膜晶体管 短沟效应 阈值电压 漏电流 参数提取

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MATLAB在TFT-LCD屏显示MURA缺陷检测的应用 被引量：10

6

作者 刘毅 郑学仁 +1 位作者 王亚南 梁志明 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2007年第6期731-736,共6页

提出一种以MATLAB为主要工具的TFT-LCD屏显示缺陷检测方案,该方案根据CMOS工业摄像机采集到的数字图像,结合二维图像拟合技术和以韦伯定律为原理的自动阈值获取技术,使用MATLAB作为数字图像分析工具实现对屏幕缺陷的检测。介绍了该方案... 提出一种以MATLAB为主要工具的TFT-LCD屏显示缺陷检测方案,该方案根据CMOS工业摄像机采集到的数字图像,结合二维图像拟合技术和以韦伯定律为原理的自动阈值获取技术,使用MATLAB作为数字图像分析工具实现对屏幕缺陷的检测。介绍了该方案的硬件组成和检测原理,给出了MATLAB算法流程和部分代码、介绍了GUI检测界面的设计和详细的检测步骤及结果,为TFT-LCD液晶屏显示缺陷的检测提供了一种快速有效的方法。 展开更多

关键词 TFT-LCD MURA MATLAB 缺陷检测

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先进工艺对MOS器件总剂量辐射效应的影响 被引量：4

7

作者 刘远 恩云飞 +2 位作者 李斌 师谦 何玉娟 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第10期738-742,746,共6页

器件栅氧厚度的减小、场氧工艺的改变以及衬底材料的不同等都将导致MOS器件的总剂量辐射效应发生改变。亚阈斜率、阈值电压漂移、衬底技术和场氧抗辐射能力已经成为器件按比例缩小给器件带来冲击的最主要的四个方面。综述了上述条件、高... 器件栅氧厚度的减小、场氧工艺的改变以及衬底材料的不同等都将导致MOS器件的总剂量辐射效应发生改变。亚阈斜率、阈值电压漂移、衬底技术和场氧抗辐射能力已经成为器件按比例缩小给器件带来冲击的最主要的四个方面。综述了上述条件、高k介质/硅系统以及选择SOI材料作为衬底材料对MOS器件总剂量辐射效应的影响。 展开更多

关键词 辐射效应 总剂量 金属-氧化物-半导体场效应晶体管

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IP设计仿真平台控制软件开发及IP验证 被引量：1

8

作者 郑学仁 陈国辉 +3 位作者 邓婉玲 姚若河 陈玲晶 范健民 《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第9期15-19,共5页

在简要介绍基于PCI总线的IP(Intellectual Property)设计仿真验证平台的基本框架和硬件结构的基础上,论述了在W indows 2000/XP下开发该平台的WDM(W indowsDriverModel)设备驱动程序和应用程序的基本方法,对其中的关键技术,如配置寄存... 在简要介绍基于PCI总线的IP(Intellectual Property)设计仿真验证平台的基本框架和硬件结构的基础上,论述了在W indows 2000/XP下开发该平台的WDM(W indowsDriverModel)设备驱动程序和应用程序的基本方法,对其中的关键技术,如配置寄存器、内存和I/O读写、应用程序编写等作了分析,并以可编程直接存储器存取(PDMA)和图像二值化为IP验证实例.结果表明:所开发的仿真验证平台大大地提高了IP的仿真效率,优于现今测试时难以产生大批测试数据和难以获得数据处理结果的一般仿真验证平台. 展开更多

关键词 IP 仿真验证 控制软件 软件开发 WDM

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基于PCI总线的IP仿真验证平台的WDM驱动程序设计 被引量：4

9

作者 陈国辉 郑学仁 《计算机工程与应用》 CSCD 北大核心 2005年第15期98-101,144,共5页

该文介绍了在Windows2000/XP下,开发基于PCI总线的IP仿真验证平台的WDM设备驱动程序和应用程序的基本方法,以DCT/IDCT(逆离散余弦变换)的IP为例给出平台的实际应用。并指出广泛使用的开发工具DriverStu-dio2.7的一些严重漏洞。

关键词 WDM DRIVERSTUDIO I/O读写 IP仿真验证

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射频系统的系统级封装 被引量：1

10

作者 陈国辉 郑学仁 +2 位作者 刘汉华 范健民 陈玲晶 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第11期17-21,共5页

论述了高速数据处理和高密度封装技术的特点及对射频系统封装的特殊要求,介绍了射频系统 封装的基本技术和一种包含LNA、PPA、滤波器及天线开关的射频系统级封装模块。概述了射频系统级封 装的设计、仿真和测试的方法和步骤。

关键词 系统级封装 射频系统 设计与仿真

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从PCI接口的综合验证方法 被引量：1

11

作者 邓婉玲 郑学仁 刘伟俭 《小型微型计算机系统》 CSCD 北大核心 2007年第1期182-185,共4页

当今流行的先进的验证技术有很多,本文综合使用了OVL(OpenVerificationLibrary)断言验证、总线功能模型BFM(BusFunctionModule)层次化验证和FPGA(FieldProgrammableGateArray)硬件加速仿真这三种验证技术,搭建一个从PCI(PeripheralCompo... 当今流行的先进的验证技术有很多,本文综合使用了OVL(OpenVerificationLibrary)断言验证、总线功能模型BFM(BusFunctionModule)层次化验证和FPGA(FieldProgrammableGateArray)硬件加速仿真这三种验证技术,搭建一个从PCI(PeripheralComponentInterconnect)接口的验证环境.实验表明,该验证环境增强了验证的可重用性、可控性,极大地减少了仿真的工作量,提高了验证的效率. 展开更多

关键词 验证 断言 BFM模型 FPGA OVL

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多晶硅薄膜晶体管的电流和电容分析模型(英文) 被引量：1

12

作者 郑学仁 邓婉玲 陈荣盛 《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第10期221-226,共6页

提出一种用于电路模拟的基于表面势的多晶硅薄膜晶体管(poly-Si TFTs)的电流和电容分析模型.采用非迭代方法计算poly-Si TFTs表面势随端电压的变化,从而大大地提高了上述模型的计算效率.基于表面势的解析计算和薄层电荷方法,提出了包括... 提出一种用于电路模拟的基于表面势的多晶硅薄膜晶体管(poly-Si TFTs)的电流和电容分析模型.采用非迭代方法计算poly-Si TFTs表面势随端电压的变化,从而大大地提高了上述模型的计算效率.基于表面势的解析计算和薄层电荷方法,提出了包括小尺寸效应和翘曲效应的电流电压模型.同时,文中还提出了基于电荷的电容模型.电流和电容模型在线性区和饱和区都是连续和准确的,不需要没有物理意义的光滑处理.与实验数据的比较发现,模型和实验数据符合得较好,这也证明了所提出模型的准确性.并且,该模型适用于电路仿真器. 展开更多

关键词 多晶硅薄膜晶体管 表面势 电流模型 电容模型

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基于ARM926EJ-S的MPEG-4软解码器的优化与实现 被引量：1

13

作者 董素鸽 郑学仁 闾晓晨 《现代电子技术》 2008年第5期89-92,共4页

MPEG-4解码器的软件实现是嵌入式应用领域的热门研究课题。但是由于MPEG-4解码系统庞大的数据处理量和嵌入式微处理器处理能力不高的矛盾致使软解码的速度非常低。对此,根据MPEG-4软解码系统的特性及当前嵌入式领域主流微处理器ARM核的... MPEG-4解码器的软件实现是嵌入式应用领域的热门研究课题。但是由于MPEG-4解码系统庞大的数据处理量和嵌入式微处理器处理能力不高的矛盾致使软解码的速度非常低。对此,根据MPEG-4软解码系统的特性及当前嵌入式领域主流微处理器ARM核的特点,研究了一种基于ARM9微处理器上实现MPEG-4软解码的算法优化方法和实现方案。详细介绍了优化的三个方面,包括软件结构优化;对数据处理较多模块编写ARM汇编函数替换;对关键模块寻找快速算法和并行处理算法等。实验结果表明优化后的算法在ARM9微处理器平台上对QVGA格式的MPEG-4码流播放速度由优化前的10 f/s提高到了37 f/s,完全实现了流畅播放,具备很高的实用价值。 展开更多

关键词 ARM9 MPEG-4 软解码 ARM汇编

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基于多任务嵌入式应用的MP3实时解码系统设计 被引量：1

14

作者 王俊 姚若河 《现代电子技术》 2008年第4期29-31,34,共4页

给出一种基于多任务嵌入式应用的MP3实时解码系统设计方法及实现过程。该系统针对以ARM926EJ-S处理器为核心的SoC硬件平台,通过对MP3解码过程中的关键耗时模块进行算法优化,提高解码效率,达到实时播放的要求。实验结果证明,该系统可在... 给出一种基于多任务嵌入式应用的MP3实时解码系统设计方法及实现过程。该系统针对以ARM926EJ-S处理器为核心的SoC硬件平台,通过对MP3解码过程中的关键耗时模块进行算法优化,提高解码效率,达到实时播放的要求。实验结果证明,该系统可在处理器主频仅为36 MHz的条件下流畅播放MP3音乐(码率为192 kb/s)。该设计特点为根据子带合成滤波中乘法运算的数据特征,巧妙地对操作数进行预移位操作,从而在保证一定数据精度的基础上缩短乘法运算的指令周期,实现解码效率的大幅度提升。提出一种利于高效任务调度的实时播放方案,对于高实时性、低功耗多任务嵌入式系统设计具有很好的参考意义。 展开更多

关键词 多任务 MP3 ARM 算法优化 实时播放

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基于MASH 2-1结构的小数分频锁相环的设计与实现

15

作者 邓婉玲 郑学仁 刘伟俭 《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期50-53,75,共5页

设计并实现了一种3阶多级累加器级联架构MASH 2-1的数字Δ∑调制器.Matlab仿真结果显示该结构具有良好的噪声整型特性.提出了一种基于MASH 2-1Δ∑调制器的II型4阶锁相环,并给出了相应的Matlab仿真及频谱仪测试结果.结果表明锁相环的稳... 设计并实现了一种3阶多级累加器级联架构MASH 2-1的数字Δ∑调制器.Matlab仿真结果显示该结构具有良好的噪声整型特性.提出了一种基于MASH 2-1Δ∑调制器的II型4阶锁相环,并给出了相应的Matlab仿真及频谱仪测试结果.结果表明锁相环的稳定输出频率符合设计要求. 展开更多

关键词 MASH Δ∑调制器 小数分频 锁相环

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