OLED点阵驱动电路设计及OLED驱动特性研究 被引量：12

1

作者 刘小灵 刘汉华 +3 位作者 郑学仁 李斌 冯秉刚 彭俊彪 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期140-144,共5页

设计了一种方便测试OLED显示屏特性的驱动电路。用此驱动电路研究了与驱动方式相关的OLED显示屏特性即“串扰”、老化、击穿等,观测到与OLED“形成过程”相对应的“恢复过程”。实验结果表明,通过对驱动电路采取适当的措施,能够减轻“... 设计了一种方便测试OLED显示屏特性的驱动电路。用此驱动电路研究了与驱动方式相关的OLED显示屏特性即“串扰”、老化、击穿等,观测到与OLED“形成过程”相对应的“恢复过程”。实验结果表明,通过对驱动电路采取适当的措施,能够减轻“串扰”和击穿对显示屏造成的影响,并延长显示屏的使用寿命。 展开更多

关键词 有机发光二极管 驱动电路 形成过程 恢复过程

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SOI MOSFET器件X射线总剂量效应研究 被引量：6

2

作者 何玉娟 师谦 +2 位作者 李斌 林丽 张正选 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第5期357-360,共4页

研究了以10keV X射线为辐照源对注氧隔离(SIMOX)SOI MOSFET器件进行辐照的总剂量效应。采用ARACOR 10keV X射线对埋氧层加固样品与未加固的对比样品在开态和传输门态两种辐照偏置下进行辐照,分析了器件的特性曲线,并计算了SOI MOS器件... 研究了以10keV X射线为辐照源对注氧隔离(SIMOX)SOI MOSFET器件进行辐照的总剂量效应。采用ARACOR 10keV X射线对埋氧层加固样品与未加固的对比样品在开态和传输门态两种辐照偏置下进行辐照,分析了器件的特性曲线,并计算了SOI MOS器件前栅与寄生背栅晶体管辐照前后的阈值电压的漂移。实验结果表明,加固样品的抗辐射性能优越,且不同的辐照偏置对SOI MOSFET器件的辐照效应产生不同的影响。 展开更多

关键词 X射线 总剂量辐射效应 绝缘体上硅 注氧隔离

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MOS器件界面态与陷阱电荷分离方法研究 被引量：7

3

作者 何玉娟 师谦 +2 位作者 李斌 罗宏伟 林丽 《电子产品可靠性与环境试验》 2006年第4期26-29,共4页

对MOS结构器件,要分离由辐射效应引起的界面态电荷与氧化层陷阱电荷的方法有很多种,如中电带压法、电荷泵法和双晶体管法就是目前比较常用、有效的方法,分析了这些方法的优点和局限性。

关键词 界面态 氧化层陷阱电荷 电荷分离方法 辐照效应

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多晶硅TFT模型的研究进展

4

作者 邓婉玲 郑学仁 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第6期466-469,473,共5页

全面介绍了多晶硅薄膜晶体管(TFT)紧凑模型的现状和应用前景,简单说明了多晶硅TFT特有的电学特性,这是多晶硅TFT建模的基础,重点介绍了基于阈值电压和基于表面势的多晶硅TFT紧凑模型的研究进展,并对这些模型进行了评述,其中RPI模型是基... 全面介绍了多晶硅薄膜晶体管(TFT)紧凑模型的现状和应用前景,简单说明了多晶硅TFT特有的电学特性,这是多晶硅TFT建模的基础,重点介绍了基于阈值电压和基于表面势的多晶硅TFT紧凑模型的研究进展,并对这些模型进行了评述,其中RPI模型是基于阈值电压的TFT模型的典范。虽然TFT模型已经有所发展,但成熟度还远远不够。最后提出了改进多晶硅TFT模型的方向和策略,包括二维器件模拟的应用、基于表面势模型的发展、多晶硅材料特性的应用、统一模型的发展、短沟效应的建模和参数提取等。 展开更多

关键词 多晶硅 薄膜晶体管 紧凑模型

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BSIM3v3模型关键参数提取的研究 被引量：1

5

作者 李盛峰 李斌 郑学仁 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2008年第7期116-118,122,共4页

BSIM3v3是现在业界普遍使用的MOSFET模型,用它仿真电路能够得到准确的结果,但这个复杂的模型给电路设计者的手算过程带来了相当大的困难.为得到更为准确的关键参数,对用HSPICE从BSIM3v3模型提取关键参数的方法进行了改进,并以一个运放... BSIM3v3是现在业界普遍使用的MOSFET模型,用它仿真电路能够得到准确的结果,但这个复杂的模型给电路设计者的手算过程带来了相当大的困难.为得到更为准确的关键参数,对用HSPICE从BSIM3v3模型提取关键参数的方法进行了改进,并以一个运放设计为例进行比较,该方法提取的关键参数的手算结果比其他方法更接近仿真结果. 展开更多

关键词 MOSFET BSIM3V3 参数提取 HSPICE 运放

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RSDS接口接收器的研究与设计 被引量：1

6

作者 陈智荣 李斌 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2008年第6期108-111,共4页

根据RSDS接口规范,围绕接口接收器最小建立保持时间的性能,重点研究低摆幅差分信号放大器的设计.基于特许0.35μmCMOS工艺,先介绍使用基本OTA结构实现差分信号放大,并结合流片测试结果分析其优缺点.针对输出信号抖动的问题,提出一种对... 根据RSDS接口规范,围绕接口接收器最小建立保持时间的性能,重点研究低摆幅差分信号放大器的设计.基于特许0.35μmCMOS工艺,先介绍使用基本OTA结构实现差分信号放大,并结合流片测试结果分析其优缺点.针对输出信号抖动的问题,提出一种对称输出结构,仿真结果表明该电路结构使放大器输出的占空比相关抖动峰峰值减小了80%,有效地改善了接收器最小建立保持时间. 展开更多

关键词 接收器 比较器 差分信号 RSDS 抖动 占空比

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多晶硅薄膜晶体管Kink效应研究与建模

7

作者 陈荣盛 郑学仁 +3 位作者 邓婉玲 姚若河 吴朝晖 吴为敬 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第3期231-234,共4页

多晶硅薄膜晶体管(P-Si TFTs)技术在SOP(system on panel)显示应用中发挥着越来越重要的作用。随着尺寸的不断缩小,P-Si TFT的Kink效应越来越明显,对有源液晶显示矩阵和驱动电路的性能影响很大。对发生Kink效应的物理机制、二维数值仿... 多晶硅薄膜晶体管(P-Si TFTs)技术在SOP(system on panel)显示应用中发挥着越来越重要的作用。随着尺寸的不断缩小,P-Si TFT的Kink效应越来越明显,对有源液晶显示矩阵和驱动电路的性能影响很大。对发生Kink效应的物理机制、二维数值仿真及其一维解析模型进行了分析,讨论了晶粒边界、沟道长度与Kink效应的关系,提出建立适合电路仿真的一维解析模型的关键与展望。 展开更多

关键词 多晶硅薄膜晶体管 KINK 效应 建模

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MOSFET和Poly-Si TFTs参数提取策略的研究

8

作者 魏长河 郑学仁 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第7期653-657,共5页

随着半导体制造技术的不断改善和工艺的不断升级,精确的模型参数对于代工厂和设计者尤为重要。而参数提取策略的选择是整个参数提取过程中的关键步骤。该研究以伯克利大学开发的SPICE Level-3MOSFET和多晶硅薄膜晶体管模型为研究对象,... 随着半导体制造技术的不断改善和工艺的不断升级,精确的模型参数对于代工厂和设计者尤为重要。而参数提取策略的选择是整个参数提取过程中的关键步骤。该研究以伯克利大学开发的SPICE Level-3MOSFET和多晶硅薄膜晶体管模型为研究对象,以包括了短沟效应、窄沟效应、漏致势垒降低效应的MOSFET阈值电压方程和多晶硅薄膜晶体管统一漏电流方程作为研究出发点,然后分别讨论了模型中几个主要参数的提取方法,最后给出了参数提取的流程图。 展开更多

关键词 多晶硅薄膜晶体管 短沟效应 阈值电压 漏电流 参数提取

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P-SiTFTs带间隧穿电流的建模研究

9

作者 李树花 李斌 《电子产品可靠性与环境试验》 2008年第3期6-8,共3页

介绍了多晶硅薄膜晶体管(P-SiTFTs)中的带间隧穿(BBT)效应的产生机理,分析了BBT对P-SiTFT电流特性的影响,总结了关于P-SiTFT带间隧穿效应的研究现状,并提出建立更为完善的BBT电流模型的建模思路。

关键词 多晶硅薄膜晶体管 带间隧穿 建模

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MATLAB在TFT-LCD屏显示MURA缺陷检测的应用 被引量：10

10

作者 刘毅 郑学仁 +1 位作者 王亚南 梁志明 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2007年第6期731-736,共6页

提出一种以MATLAB为主要工具的TFT-LCD屏显示缺陷检测方案,该方案根据CMOS工业摄像机采集到的数字图像,结合二维图像拟合技术和以韦伯定律为原理的自动阈值获取技术,使用MATLAB作为数字图像分析工具实现对屏幕缺陷的检测。介绍了该方案... 提出一种以MATLAB为主要工具的TFT-LCD屏显示缺陷检测方案,该方案根据CMOS工业摄像机采集到的数字图像,结合二维图像拟合技术和以韦伯定律为原理的自动阈值获取技术,使用MATLAB作为数字图像分析工具实现对屏幕缺陷的检测。介绍了该方案的硬件组成和检测原理,给出了MATLAB算法流程和部分代码、介绍了GUI检测界面的设计和详细的检测步骤及结果,为TFT-LCD液晶屏显示缺陷的检测提供了一种快速有效的方法。 展开更多

关键词 TFT-LCD MURA MATLAB 缺陷检测

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先进工艺对MOS器件总剂量辐射效应的影响 被引量：4

11

作者 刘远 恩云飞 +2 位作者 李斌 师谦 何玉娟 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第10期738-742,746,共6页

器件栅氧厚度的减小、场氧工艺的改变以及衬底材料的不同等都将导致MOS器件的总剂量辐射效应发生改变。亚阈斜率、阈值电压漂移、衬底技术和场氧抗辐射能力已经成为器件按比例缩小给器件带来冲击的最主要的四个方面。综述了上述条件、高... 器件栅氧厚度的减小、场氧工艺的改变以及衬底材料的不同等都将导致MOS器件的总剂量辐射效应发生改变。亚阈斜率、阈值电压漂移、衬底技术和场氧抗辐射能力已经成为器件按比例缩小给器件带来冲击的最主要的四个方面。综述了上述条件、高k介质/硅系统以及选择SOI材料作为衬底材料对MOS器件总剂量辐射效应的影响。 展开更多

关键词 辐射效应 总剂量 金属-氧化物-半导体场效应晶体管

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基于TMS320VC5509实现MP3解码 被引量：2

12

作者 刘毅 姚若河 郑学仁 《电子技术应用》 北大核心 2006年第11期111-113,共3页

介绍了利用数字信号处理芯片TMS320VC5509实现MP3解码的方案。讨论了MP3霍夫曼解码方法,并利用DSP的C语言在TMS320VC5509上实现了该算法。利用CCS的Profile功能对运算复杂度进行了估算,结果显示TMS320VC5509完全能够达到该解码算法的计... 介绍了利用数字信号处理芯片TMS320VC5509实现MP3解码的方案。讨论了MP3霍夫曼解码方法,并利用DSP的C语言在TMS320VC5509上实现了该算法。利用CCS的Profile功能对运算复杂度进行了估算,结果显示TMS320VC5509完全能够达到该解码算法的计算量要求,并能够实现实时解码。 展开更多

关键词 DSP TMS320VC5509 MCBSP CCS MP3 霍夫曼解码

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IP设计仿真平台控制软件开发及IP验证 被引量：1

13

作者 郑学仁 陈国辉 +3 位作者 邓婉玲 姚若河 陈玲晶 范健民 《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第9期15-19,共5页

在简要介绍基于PCI总线的IP(Intellectual Property)设计仿真验证平台的基本框架和硬件结构的基础上,论述了在W indows 2000/XP下开发该平台的WDM(W indowsDriverModel)设备驱动程序和应用程序的基本方法,对其中的关键技术,如配置寄存... 在简要介绍基于PCI总线的IP(Intellectual Property)设计仿真验证平台的基本框架和硬件结构的基础上,论述了在W indows 2000/XP下开发该平台的WDM(W indowsDriverModel)设备驱动程序和应用程序的基本方法,对其中的关键技术,如配置寄存器、内存和I/O读写、应用程序编写等作了分析,并以可编程直接存储器存取(PDMA)和图像二值化为IP验证实例.结果表明:所开发的仿真验证平台大大地提高了IP的仿真效率,优于现今测试时难以产生大批测试数据和难以获得数据处理结果的一般仿真验证平台. 展开更多

关键词 IP 仿真验证 控制软件 软件开发 WDM

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深亚微米CMOS器件建模与BSIM模型 被引量：1

14

作者 陈志坚 郑学仁 +1 位作者 姚若河 李斌 《微纳电子技术》 CAS 2004年第6期44-48,共5页

介绍了深亚微米CMOS器件基于电荷模型、基于表面势模型和基于电导模型的建模方法及其优缺点,并以BSIM系列模型为例,讨论了BSIM系列模型特点及半导体工艺发展对CMOS器件建模方法的影响。

关键词 深亚微米 CMOS BSIM 电荷模型 表面势模型 电导模型

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射频系统的系统级封装 被引量：1

15

作者 陈国辉 郑学仁 +2 位作者 刘汉华 范健民 陈玲晶 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第11期17-21,共5页

论述了高速数据处理和高密度封装技术的特点及对射频系统封装的特殊要求,介绍了射频系统 封装的基本技术和一种包含LNA、PPA、滤波器及天线开关的射频系统级封装模块。概述了射频系统级封 装的设计、仿真和测试的方法和步骤。

关键词 系统级封装 射频系统 设计与仿真

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多晶硅薄膜晶体管的电流和电容分析模型(英文) 被引量：1

16

作者 郑学仁 邓婉玲 陈荣盛 《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第10期221-226,共6页

提出一种用于电路模拟的基于表面势的多晶硅薄膜晶体管(poly-Si TFTs)的电流和电容分析模型.采用非迭代方法计算poly-Si TFTs表面势随端电压的变化,从而大大地提高了上述模型的计算效率.基于表面势的解析计算和薄层电荷方法,提出了包括... 提出一种用于电路模拟的基于表面势的多晶硅薄膜晶体管(poly-Si TFTs)的电流和电容分析模型.采用非迭代方法计算poly-Si TFTs表面势随端电压的变化,从而大大地提高了上述模型的计算效率.基于表面势的解析计算和薄层电荷方法,提出了包括小尺寸效应和翘曲效应的电流电压模型.同时,文中还提出了基于电荷的电容模型.电流和电容模型在线性区和饱和区都是连续和准确的,不需要没有物理意义的光滑处理.与实验数据的比较发现,模型和实验数据符合得较好,这也证明了所提出模型的准确性.并且,该模型适用于电路仿真器. 展开更多

关键词 多晶硅薄膜晶体管 表面势 电流模型 电容模型

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基于物理并适用于电路仿真的多晶硅薄膜晶体管薄层电荷模型(英文) 被引量：1

17

作者 邓婉玲 郑学仁 +1 位作者 陈荣盛 吴为敬 《电子器件》 CAS 2008年第1期117-120,123,共5页

本文利用薄层电荷理论,建立了一个基于表面势的、物理的多晶硅薄膜晶体管(Polysilicon Thin-Film Transistors ,poly-Si TFTs)的电流模型,且该模型适用于电路仿真。推导了poly-Si TFTs表面势的近似解法,该求解法非迭代的计算大大地提高... 本文利用薄层电荷理论,建立了一个基于表面势的、物理的多晶硅薄膜晶体管(Polysilicon Thin-Film Transistors ,poly-Si TFTs)的电流模型,且该模型适用于电路仿真。推导了poly-Si TFTs表面势的近似解法,该求解法非迭代的计算大大地提高了计算效率,且精确度高并得到实验验证。基于物理的迁移率方程考虑了晶界势垒高度,和由于声子散射与表面粗糙散射引起的迁移率退化。基于Brews的薄层电荷模型和上述非迭代计算表面势,本电流模型同时考虑了漏致势垒降低(DIBL)效应、kink效应和沟道长度调制效应。对不同沟长的器件实验数据比较发现,提出的模型在很广的工作电压内与实验数据符合得非常好。同时本模型的所有方程都具有解析形式,电流方程光滑连续,适用于电路仿真器如SPICE。 展开更多

关键词 多晶硅薄膜晶体管 表面势 薄层电荷模型

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基于表面势的多晶硅薄膜晶体管的栅电容模型 被引量：1

18

作者 邓婉玲 郑学仁 陈荣盛 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期248-252,共5页

显式地推导多晶硅薄膜晶体管(Polysilicon thin-film transistors,poly-SiTFT)表面势隐含方程的近似解,该求解法非迭代的计算大大地提高了计算效率,且精确度非常高,与数值迭代结果比较,绝对误差范围只在纳伏数量级。利用求得的表面势,... 显式地推导多晶硅薄膜晶体管(Polysilicon thin-film transistors,poly-SiTFT)表面势隐含方程的近似解,该求解法非迭代的计算大大地提高了计算效率,且精确度非常高,与数值迭代结果比较,绝对误差范围只在纳伏数量级。利用求得的表面势,建立了一个poly-SiTFT栅电容模型,该电容电压模型能连续、准确地描述poly-SiTFT在线性区和饱和区的动态特性,同时该模型考虑了kink效应、沟道长度调制效应和寄生电容等。对实验数据进行拟合发现,提出的模型与实验数据符合得较好,能准确地预测poly-SiTFT的栅电容特性。 展开更多

关键词 多晶硅薄膜晶体管 表面势 栅电容

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基于ARM926EJ-S的MPEG-4软解码器的优化与实现 被引量：1

19

作者 董素鸽 郑学仁 闾晓晨 《现代电子技术》 2008年第5期89-92,共4页

MPEG-4解码器的软件实现是嵌入式应用领域的热门研究课题。但是由于MPEG-4解码系统庞大的数据处理量和嵌入式微处理器处理能力不高的矛盾致使软解码的速度非常低。对此,根据MPEG-4软解码系统的特性及当前嵌入式领域主流微处理器ARM核的... MPEG-4解码器的软件实现是嵌入式应用领域的热门研究课题。但是由于MPEG-4解码系统庞大的数据处理量和嵌入式微处理器处理能力不高的矛盾致使软解码的速度非常低。对此,根据MPEG-4软解码系统的特性及当前嵌入式领域主流微处理器ARM核的特点,研究了一种基于ARM9微处理器上实现MPEG-4软解码的算法优化方法和实现方案。详细介绍了优化的三个方面,包括软件结构优化;对数据处理较多模块编写ARM汇编函数替换;对关键模块寻找快速算法和并行处理算法等。实验结果表明优化后的算法在ARM9微处理器平台上对QVGA格式的MPEG-4码流播放速度由优化前的10 f/s提高到了37 f/s,完全实现了流畅播放,具备很高的实用价值。 展开更多

关键词 ARM9 MPEG-4 软解码 ARM汇编

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多晶硅薄膜晶体管泄漏电流建模 被引量：1

20

作者 胡云峰 李斌 《电子器件》 CAS 2008年第4期1104-1108,共5页

泄漏电流是多晶硅薄膜晶体管应用的一个主要问题,多晶硅薄膜晶体管泄漏电流的建模对集成多晶硅薄膜晶体管设计和工艺改进具有重要意义。本文以陷阱辅助热电子场致发射理论为基础,通过对物理模型的近似处理,提出了一个在大的栅压范围和... 泄漏电流是多晶硅薄膜晶体管应用的一个主要问题,多晶硅薄膜晶体管泄漏电流的建模对集成多晶硅薄膜晶体管设计和工艺改进具有重要意义。本文以陷阱辅助热电子场致发射理论为基础,通过对物理模型的近似处理,提出了一个在大的栅压范围和温度范围内与实验数据吻合较好的多晶硅薄膜晶体管泄漏电流解析模型。模型适合于电路仿真器。 展开更多

关键词 多晶硅薄膜晶体管 泄漏电流 热电子场致发射 解析模型

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