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退火温度对ZnO薄膜晶体管电特性的影响
被引量：
5
1
作者
刘玉荣
任力飞
+5 位作者
杨任花
韩静
姚若河
温智超
徐海红
许佳雄
《华南理工大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第9期103-107,共5页
针对非晶硅和有机薄膜晶体管的低迁移率问题,以高纯Zn为靶材,反应磁控溅射沉积、且在不同温度下退火的ZnO薄膜作为半导体活性层,成功地制备出基于ZnO材料的薄膜晶体管(ZnO-TFT),研究了退火温度对ZnO-TFT电特性的影响.结果表明:ZnO-TFT...
针对非晶硅和有机薄膜晶体管的低迁移率问题,以高纯Zn为靶材,反应磁控溅射沉积、且在不同温度下退火的ZnO薄膜作为半导体活性层,成功地制备出基于ZnO材料的薄膜晶体管(ZnO-TFT),研究了退火温度对ZnO-TFT电特性的影响.结果表明:ZnO-TFT的载流子迁移率随退火温度的升高而明显增大,700℃退火的样品迁移率为8.00cm2/(V.s),阈值电压随退火温度的升高而明显减小,在较高温度下退火处理制备的ZnO-TFT呈现出较低的关态电流.结合X射线衍射谱、原子力显微镜和X射线光电子能谱对ZnO薄膜的微结构及组分的分析,发现ZnO-TFT性能随退火温度升高的改善来源于退火温度的升高使ZnO薄膜的晶粒尺寸增大且更均匀、外形更规整、表面更光滑,氧含量更少.
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关键词
薄膜晶体管
氧化锌
电特性
退火温度
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职称材料
室温下溅射法制备高迁移率氧化锌薄膜晶体管
被引量：
3
2
作者
刘玉荣
黄荷
刘杰
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017年第7期917-922,共6页
为降低氧化锌薄膜晶体管(ZnO TFT)的工作电压,提高迁移率,采用磁控溅射法在氧化铟锡(ITO)导电玻璃基底上室温下依次沉积NbLaO栅介质层和ZnO半导体有源层,制备出ZnO TFT,对器件的电特性进行了表征。该ZnO TFT呈现出优异的器件性能:当栅...
为降低氧化锌薄膜晶体管(ZnO TFT)的工作电压,提高迁移率,采用磁控溅射法在氧化铟锡(ITO)导电玻璃基底上室温下依次沉积NbLaO栅介质层和ZnO半导体有源层,制备出ZnO TFT,对器件的电特性进行了表征。该ZnO TFT呈现出优异的器件性能:当栅电压为5 V、漏源电压为10 V时,器件的饱和漏电流高达2.2 m A;有效场效应饱和迁移率高达107 cm^2/(V·s),是目前所报道的室温下溅射法制备ZnO TFT的最高值,亚阈值摆幅为0.28 V/decade,开关电流比大于107。利用原子力显微镜(AFM)对NbLaO和ZnO薄膜的表面形貌进行了分析,分析了器件的低频噪声特性,对器件呈现高迁移率、低亚阈值摆幅以及迟滞现象的机理进行了讨论。
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关键词
薄膜晶体管
氧化锌
磁控溅射
高迁移率
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职称材料
氧化锌薄膜晶体管的光诱导不稳定性
被引量：
1
3
作者
王聪
刘玉荣
+2 位作者
李星活
苏晶
姚若河
《华南理工大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第6期11-16,共6页
为促进氧化锌薄膜晶体管(ZnO-TFT)在有源驱动平板显示领域中的实际应用,以高纯氧化锌(ZnO)为靶材,采用射频磁控溅射法沉积ZnO薄膜作为半导体活性层,制备出ZnO-TFT,研究了可见光诱导引起的器件特性的不稳定性.实验结果表明:在可见光照射...
为促进氧化锌薄膜晶体管(ZnO-TFT)在有源驱动平板显示领域中的实际应用,以高纯氧化锌(ZnO)为靶材,采用射频磁控溅射法沉积ZnO薄膜作为半导体活性层,制备出ZnO-TFT,研究了可见光诱导引起的器件特性的不稳定性.实验结果表明:在可见光照射下,该ZnO-TFT器件呈现出一定程度的不稳定性;随着光照强度的增加,迁移率稍有增大,阈值电压有微弱的减小;漏电流的相对变化量受栅电压控制,即在开态时相对变化量较小,对于2210 lx的照射强度,相对变化量的最小值为0.58,而在亚阈值区和关态时,漏电流受光照强度的影响较大,在相同强度的光照射下相对变化量的最大值为36.29.对可见光诱导不稳定性恢复过程的研究发现,光照关断后的恢复过程相对缓慢,且随时间呈现出先快后慢的现象.
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关键词
薄膜晶体管
氧化锌
光诱导
稳定性
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职称材料
题名
退火温度对ZnO薄膜晶体管电特性的影响
被引量：
5
1
作者
刘玉荣
任力飞
杨任花
韩静
姚若河
温智超
徐海红
许佳雄
机构
华南理工大学
电子与信息学院
华南理工大学广东省短距离无线探测与通信重点实验室
华南理工大学
物理系
出处
《华南理工大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第9期103-107,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(61076113)
广东省自然科学基金资助项目(8451064101000257)
+1 种基金
华南理工大学中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(2011ZM0027)
广东省大学生创新实验项目(S1010561035)
文摘
针对非晶硅和有机薄膜晶体管的低迁移率问题,以高纯Zn为靶材,反应磁控溅射沉积、且在不同温度下退火的ZnO薄膜作为半导体活性层,成功地制备出基于ZnO材料的薄膜晶体管(ZnO-TFT),研究了退火温度对ZnO-TFT电特性的影响.结果表明:ZnO-TFT的载流子迁移率随退火温度的升高而明显增大,700℃退火的样品迁移率为8.00cm2/(V.s),阈值电压随退火温度的升高而明显减小,在较高温度下退火处理制备的ZnO-TFT呈现出较低的关态电流.结合X射线衍射谱、原子力显微镜和X射线光电子能谱对ZnO薄膜的微结构及组分的分析,发现ZnO-TFT性能随退火温度升高的改善来源于退火温度的升高使ZnO薄膜的晶粒尺寸增大且更均匀、外形更规整、表面更光滑,氧含量更少.
关键词
薄膜晶体管
氧化锌
电特性
退火温度
Keywords
thin film transistors
zinc oxide
electrical properties
annealing temperature
分类号
TN321.5 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
室温下溅射法制备高迁移率氧化锌薄膜晶体管
被引量：
3
2
作者
刘玉荣
黄荷
刘杰
机构
华南理工大学
电子与信息学院
华南理工大学广东省短距离无线探测与通信重点实验室
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017年第7期917-922,共6页
基金
广东省自然科学基金(2016A030313474)资助项目~~
文摘
为降低氧化锌薄膜晶体管(ZnO TFT)的工作电压,提高迁移率,采用磁控溅射法在氧化铟锡(ITO)导电玻璃基底上室温下依次沉积NbLaO栅介质层和ZnO半导体有源层,制备出ZnO TFT,对器件的电特性进行了表征。该ZnO TFT呈现出优异的器件性能:当栅电压为5 V、漏源电压为10 V时,器件的饱和漏电流高达2.2 m A;有效场效应饱和迁移率高达107 cm^2/(V·s),是目前所报道的室温下溅射法制备ZnO TFT的最高值,亚阈值摆幅为0.28 V/decade,开关电流比大于107。利用原子力显微镜(AFM)对NbLaO和ZnO薄膜的表面形貌进行了分析,分析了器件的低频噪声特性,对器件呈现高迁移率、低亚阈值摆幅以及迟滞现象的机理进行了讨论。
关键词
薄膜晶体管
氧化锌
磁控溅射
高迁移率
Keywords
thin-film transistor
zinc oxide
radio frequency sputtering
high mobility
分类号
TN321.5 [电子电信—物理电子学]
O472.4 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
氧化锌薄膜晶体管的光诱导不稳定性
被引量：
1
3
作者
王聪
刘玉荣
李星活
苏晶
姚若河
机构
华南理工大学
电子与信息学院
华南理工大学广东省短距离无线探测与通信重点实验室
汕尾职业技术学院电子信息系
出处
《华南理工大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第6期11-16,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(61076113
61274085)
广东省自然科学基金资助项目(8451064101000257)
文摘
为促进氧化锌薄膜晶体管(ZnO-TFT)在有源驱动平板显示领域中的实际应用,以高纯氧化锌(ZnO)为靶材,采用射频磁控溅射法沉积ZnO薄膜作为半导体活性层,制备出ZnO-TFT,研究了可见光诱导引起的器件特性的不稳定性.实验结果表明:在可见光照射下,该ZnO-TFT器件呈现出一定程度的不稳定性;随着光照强度的增加,迁移率稍有增大,阈值电压有微弱的减小;漏电流的相对变化量受栅电压控制,即在开态时相对变化量较小,对于2210 lx的照射强度,相对变化量的最小值为0.58,而在亚阈值区和关态时,漏电流受光照强度的影响较大,在相同强度的光照射下相对变化量的最大值为36.29.对可见光诱导不稳定性恢复过程的研究发现,光照关断后的恢复过程相对缓慢,且随时间呈现出先快后慢的现象.
关键词
薄膜晶体管
氧化锌
光诱导
稳定性
Keywords
thin film transistors
zinc oxide
photoinduction
stability
分类号
TN321.5 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
退火温度对ZnO薄膜晶体管电特性的影响
刘玉荣
任力飞
杨任花
韩静
姚若河
温智超
徐海红
许佳雄
《华南理工大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011
5
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
室温下溅射法制备高迁移率氧化锌薄膜晶体管
刘玉荣
黄荷
刘杰
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017
3
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
氧化锌薄膜晶体管的光诱导不稳定性
王聪
刘玉荣
李星活
苏晶
姚若河
《华南理工大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013
1
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职称材料
已选择
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