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纳米柱高度对GaN基绿光LED光致发光谱的影响
被引量:
6
1
作者
黄华茂
黄江柱
+1 位作者
胡晓龙
王洪
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第8期967-972,共6页
纳米柱结构是释放高In组分InGaN/GaN绿光LED量子阱层应变的有效方法。本文采用自组装的聚苯乙烯微球掩模、感应耦合等离子体干法刻蚀和KOH溶液的湿法腐蚀,在GaN基绿光LED外延片上制备了3种高度的纳米柱结构,通过扫描电子显微镜观察纳米...
纳米柱结构是释放高In组分InGaN/GaN绿光LED量子阱层应变的有效方法。本文采用自组装的聚苯乙烯微球掩模、感应耦合等离子体干法刻蚀和KOH溶液的湿法腐蚀,在GaN基绿光LED外延片上制备了3种高度的纳米柱结构,通过扫描电子显微镜观察纳米柱结构的形貌,并测试了常温和10 K低温时的光致发光谱(PL)。结果表明:应变释放对压电场的影响显著,使得纳米柱结构样品的内量子效率(IQE)提高,PL谱峰值波长蓝移;应变在量子阱中的不均匀分布还使得PL谱半高全宽(FWHM)展宽。与普通平面结构相比,高度为747 nm的纳米柱结构可使得IQE提升917%,PL谱峰值波长蓝移18 nm、FWHM展宽7 nm。另外,纳米柱结构样品的有源区有效面积减小可使得PL谱FWHM减小。
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关键词
GAN基LED
绿光LED
纳米柱结构
光致发光谱
在线阅读
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职称材料
题名
纳米柱高度对GaN基绿光LED光致发光谱的影响
被引量:
6
1
作者
黄华茂
黄江柱
胡晓龙
王洪
机构
华南理工大学广东省光电工程技术研究开发中心物理与光电学院
广州现代产业
技术
研究
院
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第8期967-972,共6页
基金
"863"国家高技术研究发展计划(2014AA032609)
国家自然科学基金(61404050)
+3 种基金
广东省科技计划(2014B010119002
2016A010103011)
广州市珠江科技新星专项(201610010038)
中央高校基本科研业务费专项资金(2015ZM131)资助项目
文摘
纳米柱结构是释放高In组分InGaN/GaN绿光LED量子阱层应变的有效方法。本文采用自组装的聚苯乙烯微球掩模、感应耦合等离子体干法刻蚀和KOH溶液的湿法腐蚀,在GaN基绿光LED外延片上制备了3种高度的纳米柱结构,通过扫描电子显微镜观察纳米柱结构的形貌,并测试了常温和10 K低温时的光致发光谱(PL)。结果表明:应变释放对压电场的影响显著,使得纳米柱结构样品的内量子效率(IQE)提高,PL谱峰值波长蓝移;应变在量子阱中的不均匀分布还使得PL谱半高全宽(FWHM)展宽。与普通平面结构相比,高度为747 nm的纳米柱结构可使得IQE提升917%,PL谱峰值波长蓝移18 nm、FWHM展宽7 nm。另外,纳米柱结构样品的有源区有效面积减小可使得PL谱FWHM减小。
关键词
GAN基LED
绿光LED
纳米柱结构
光致发光谱
Keywords
GaN-based LED
green LED
nanorod structure
photoluminescence spectrum
分类号
TN303 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
纳米柱高度对GaN基绿光LED光致发光谱的影响
黄华茂
黄江柱
胡晓龙
王洪
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016
6
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