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GaN基薄膜LED倒装芯片表面结构设计及光萃取效率研究
被引量：
4
1
作者
齐赵毅
胡晓龙
王洪
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017年第3期338-346,共9页
利用FDTD方法研究具有表面微纳结构氮化镓基倒装薄膜LED芯片的光萃取效率。通过优化表面结构并研究了器件的光萃取效率随p-Ga N层厚的变化。研究发现,具有表面光子晶体和六棱锥结构的器件的光萃取效率最大值比无表面微结构器件分别提高...
利用FDTD方法研究具有表面微纳结构氮化镓基倒装薄膜LED芯片的光萃取效率。通过优化表面结构并研究了器件的光萃取效率随p-Ga N层厚的变化。研究发现,具有表面光子晶体和六棱锥结构的器件的光萃取效率最大值比无表面微结构器件分别提高了56%和97%。尽管两种表面结构都能有效提高器件的光萃取效率,然而采用光子晶体的方案对p-Ga N厚度和腔长要求极为苛刻。采用六棱锥结构则不仅可以获得更高的光萃取效率,并且还将大大降低实验上材料外延生长及器件制备的难度。
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关键词
倒装薄膜LED
FDTD
光萃取效率
光子晶体
六棱锥
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职称材料
纳米柱高度对GaN基绿光LED光致发光谱的影响
被引量：
6
2
作者
黄华茂
黄江柱
+1 位作者
胡晓龙
王洪
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第8期967-972,共6页
纳米柱结构是释放高In组分InGaN/GaN绿光LED量子阱层应变的有效方法。本文采用自组装的聚苯乙烯微球掩模、感应耦合等离子体干法刻蚀和KOH溶液的湿法腐蚀,在GaN基绿光LED外延片上制备了3种高度的纳米柱结构,通过扫描电子显微镜观察纳米...
纳米柱结构是释放高In组分InGaN/GaN绿光LED量子阱层应变的有效方法。本文采用自组装的聚苯乙烯微球掩模、感应耦合等离子体干法刻蚀和KOH溶液的湿法腐蚀,在GaN基绿光LED外延片上制备了3种高度的纳米柱结构,通过扫描电子显微镜观察纳米柱结构的形貌,并测试了常温和10 K低温时的光致发光谱(PL)。结果表明:应变释放对压电场的影响显著,使得纳米柱结构样品的内量子效率(IQE)提高,PL谱峰值波长蓝移;应变在量子阱中的不均匀分布还使得PL谱半高全宽(FWHM)展宽。与普通平面结构相比,高度为747 nm的纳米柱结构可使得IQE提升917%,PL谱峰值波长蓝移18 nm、FWHM展宽7 nm。另外,纳米柱结构样品的有源区有效面积减小可使得PL谱FWHM减小。
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关键词
GAN基LED
绿光LED
纳米柱结构
光致发光谱
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职称材料
基于谐振腔效应的近紫外垂直结构LED光萃取效率优化
被引量：
3
3
作者
胡晓龙
齐赵毅
+1 位作者
黄华茂
王洪
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第7期836-844,共9页
利用有限时域差分法研究近紫外垂直结构LED的光萃取效率的影响因素。结果显示,LED的光萃取效率随p-GaN层厚度的变化呈周期性振荡变化,在极大值点处的光萃取效率是极小值点处的4.8倍。进一步地,对上述振荡极大值点和极小值点的n-GaN层厚...
利用有限时域差分法研究近紫外垂直结构LED的光萃取效率的影响因素。结果显示,LED的光萃取效率随p-GaN层厚度的变化呈周期性振荡变化,在极大值点处的光萃取效率是极小值点处的4.8倍。进一步地,对上述振荡极大值点和极小值点的n-GaN层厚度和表面光子晶体结构进行优化,优化的光萃取效率分别达到35.3%和24.7%,比优化前各提高了37.9%和280%。因此,合理的外延层和光子晶体结构可有效提高近紫外垂直结构LED的光萃取效率,这对实验制备高效近紫外垂直结构LED芯片具有一定的指导作用。
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关键词
发光二极管
光萃取效率
近紫外
光子晶体
谐振腔效应
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职称材料
题名
GaN基薄膜LED倒装芯片表面结构设计及光萃取效率研究
被引量：
4
1
作者
齐赵毅
胡晓龙
王洪
机构
华南理工大学广东省光电工程技术研究开发中心
华南理工大学
电子与信息学院
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017年第3期338-346,共9页
基金
国家高技术研究发展计划(863)(2014AA032609)
国家自然科学基金(61404050)
+2 种基金
广东省重大科技专项(2014B010119002)
广东省应用型科技专项资金重大项目(2015B010127013)
广州市产学研协同创新重大专项项目(201504291502518)资助~~
文摘
利用FDTD方法研究具有表面微纳结构氮化镓基倒装薄膜LED芯片的光萃取效率。通过优化表面结构并研究了器件的光萃取效率随p-Ga N层厚的变化。研究发现,具有表面光子晶体和六棱锥结构的器件的光萃取效率最大值比无表面微结构器件分别提高了56%和97%。尽管两种表面结构都能有效提高器件的光萃取效率,然而采用光子晶体的方案对p-Ga N厚度和腔长要求极为苛刻。采用六棱锥结构则不仅可以获得更高的光萃取效率,并且还将大大降低实验上材料外延生长及器件制备的难度。
关键词
倒装薄膜LED
FDTD
光萃取效率
光子晶体
六棱锥
Keywords
FC-TFLED
FDTD
light extraction efficiency
photonie crystals
hexagonal cone
分类号
TN383.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
纳米柱高度对GaN基绿光LED光致发光谱的影响
被引量：
6
2
作者
黄华茂
黄江柱
胡晓龙
王洪
机构
华南理工大学广东省光电工程技术研究开发中心
物理与
光电
学院
广州现代产业
技术
研究
院
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第8期967-972,共6页
基金
"863"国家高技术研究发展计划(2014AA032609)
国家自然科学基金(61404050)
+3 种基金
广东省科技计划(2014B010119002
2016A010103011)
广州市珠江科技新星专项(201610010038)
中央高校基本科研业务费专项资金(2015ZM131)资助项目
文摘
纳米柱结构是释放高In组分InGaN/GaN绿光LED量子阱层应变的有效方法。本文采用自组装的聚苯乙烯微球掩模、感应耦合等离子体干法刻蚀和KOH溶液的湿法腐蚀,在GaN基绿光LED外延片上制备了3种高度的纳米柱结构,通过扫描电子显微镜观察纳米柱结构的形貌,并测试了常温和10 K低温时的光致发光谱(PL)。结果表明:应变释放对压电场的影响显著,使得纳米柱结构样品的内量子效率(IQE)提高,PL谱峰值波长蓝移;应变在量子阱中的不均匀分布还使得PL谱半高全宽(FWHM)展宽。与普通平面结构相比,高度为747 nm的纳米柱结构可使得IQE提升917%,PL谱峰值波长蓝移18 nm、FWHM展宽7 nm。另外,纳米柱结构样品的有源区有效面积减小可使得PL谱FWHM减小。
关键词
GAN基LED
绿光LED
纳米柱结构
光致发光谱
Keywords
GaN-based LED
green LED
nanorod structure
photoluminescence spectrum
分类号
TN303 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
基于谐振腔效应的近紫外垂直结构LED光萃取效率优化
被引量：
3
3
作者
胡晓龙
齐赵毅
黄华茂
王洪
机构
华南理工大学广东省光电工程技术研究开发中心
华南理工大学
物理与
光电
学院
华南理工大学
电子与信息学院
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第7期836-844,共9页
基金
“863”国家高技术发展研究计划（2014AA032609）
国家自然科学基金（61404050,61504044）
+1 种基金
广东省战略性新兴产业专项资金（2012A080302003）
广东省重大科技专项（2014B010119002）资助项目
文摘
利用有限时域差分法研究近紫外垂直结构LED的光萃取效率的影响因素。结果显示,LED的光萃取效率随p-GaN层厚度的变化呈周期性振荡变化,在极大值点处的光萃取效率是极小值点处的4.8倍。进一步地,对上述振荡极大值点和极小值点的n-GaN层厚度和表面光子晶体结构进行优化,优化的光萃取效率分别达到35.3%和24.7%,比优化前各提高了37.9%和280%。因此,合理的外延层和光子晶体结构可有效提高近紫外垂直结构LED的光萃取效率,这对实验制备高效近紫外垂直结构LED芯片具有一定的指导作用。
关键词
发光二极管
光萃取效率
近紫外
光子晶体
谐振腔效应
Keywords
light-emitting diodes
light extraction efficiency
ultraviolet-A
photonic crystals
resonant cavity effect
分类号
TN383.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
GaN基薄膜LED倒装芯片表面结构设计及光萃取效率研究
齐赵毅
胡晓龙
王洪
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017
4
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
纳米柱高度对GaN基绿光LED光致发光谱的影响
黄华茂
黄江柱
胡晓龙
王洪
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016
6
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下载PDF
职称材料
3
基于谐振腔效应的近紫外垂直结构LED光萃取效率优化
胡晓龙
齐赵毅
黄华茂
王洪
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016
3
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职称材料
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