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氯离子敏感场效应晶体管电极的研制
1
作者
廖永忠
郑忠
李翠荣
《华南理工大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
1993年第1期78-82,共5页
本文采用两个场效应管并联的芯片,在其中一个的栅区以聚酰亚胺膜作为参比膜,另一个的栅区以氯化银膜作为氯离子敏感膜,制成氯离子敏感场效应晶体管(Cl^--ISFET)。采用差分测试法对氯离子进行测试,其线性响应范围是1.0～1.0×10^(-5)...
本文采用两个场效应管并联的芯片,在其中一个的栅区以聚酰亚胺膜作为参比膜,另一个的栅区以氯化银膜作为氯离子敏感膜,制成氯离子敏感场效应晶体管(Cl^--ISFET)。采用差分测试法对氯离子进行测试,其线性响应范围是1.0～1.0×10^(-5)mol·L^(-1),响应时间小于5秒,24小时漂移小于1mv/hr,连续使用寿命75天。
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关键词
氯离子
场效应晶体管
电极
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职称材料
题名
氯离子敏感场效应晶体管电极的研制
1
作者
廖永忠
郑忠
李翠荣
机构
华南理大学应用化学系
出处
《华南理工大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
1993年第1期78-82,共5页
文摘
本文采用两个场效应管并联的芯片,在其中一个的栅区以聚酰亚胺膜作为参比膜,另一个的栅区以氯化银膜作为氯离子敏感膜,制成氯离子敏感场效应晶体管(Cl^--ISFET)。采用差分测试法对氯离子进行测试,其线性响应范围是1.0～1.0×10^(-5)mol·L^(-1),响应时间小于5秒,24小时漂移小于1mv/hr,连续使用寿命75天。
关键词
氯离子
场效应晶体管
电极
Keywords
chlorion
field effect transistor
ion sensitive field effect transistor
分类号
O657.15 [理学—分析化学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
氯离子敏感场效应晶体管电极的研制
廖永忠
郑忠
李翠荣
《华南理工大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
1993
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