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LP-MOCVD生长InGaAlP外延层In组分控制的动力学分析被引量：1: 1; 作者文尚胜范广涵 +1 位作者廖常俊刘颂豪《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2001年第2期175-178,共4页; 本文分析了低压转盘ＭＯＣＶＤ生长室中气流的流动特征，首次提出了在高温（７００℃左右）下生长ＩｎＧａＡｌＰ外延层时，抑制Ｉｎ组分脱吸附的“动压力模型”．解释了托盘转速和生长压力等生长参数对Ｉｎ组分控制的影响．; 关键词低压有机金属化学气相外延 INGAALP 铟组分控制外延层生长动力学分析; 在线阅读下载PDF 职称材料

LP-MOCVD生长InGaAlP外延层中In并入效率的研究: 2; 作者文尚胜范广涵 +1 位作者廖常俊刘颂豪《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第8期45-48,共4页; 分析了In原子在InGaAlP外延生长表面的扩散、并入及脱附过程 ,给出了In并入外延层的效率表达式 .依据该表达式 ,解释了生长速率、生长温度及生长压力等生长参数对LP_MOCVD生长InGaAlP外延层中In组分的影响 .; 关键词低压金属有机化合物气相外延并入效率 In组分 LP-MOCVD INGAALP; 在线阅读下载PDF 职称材料

MOCVD AIGaInP LED外延片源气开关程序的研究: 3; 作者文尚胜范广涵 +1 位作者廖常俊刘颂豪《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第6期51-54,共4页; 详细分析了ＭＯＣＶＤＡＩＧａＩｎＰＬＥＤ外延片中Ｖ族源的空流保护作用、Ⅲ族源的存储效应以及Ｍｇ掺杂的延迟和记忆效应。设计出了合理实用的源气开关程序，它有利于生长无定带隙夹层、突变异质结界面的ＡＩＧａＩｎＰＬＥＤ... 展开更多; 关键词有机金属化合物汽相淀积开关程序发光二极管外延片 AIGalnPLED; 在线阅读下载PDF 职称材料

调制掺杂同型结对HB-LED工作电压的影响: 4; 作者文尚胜范广涵 +1 位作者廖常俊刘颂豪《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2001年第3期278-280,共3页; 根据电化学Ｃ－Ｖ测量ＡｌＧａＩｎＰ外延片获得的载流子浓度深度分布数据，以及其ＬＥＤ外延片封装后的工作电压，计算了其中Ｂ＋－Ｎ与Ｐ＋－Ｐ两种同型结的接触电势差，指出调制掺杂同型结的掺杂浓度分布是影响ＬＥＤ工作电压的... 展开更多; 关键词调制掺杂同型结接触电势差高亮度发光二极管工作电压; 在线阅读下载PDF 职称材料

用于UHB-LED的AlGaAs/AlAs DBR光学性质的研究被引量：1: 5; 作者曹明德范广涵 +1 位作者廖常俊刘鲁《华南师范大学学报（自然科学版）》 CAS 2002年第1期90-94,共5页; 从光学传输矩阵出发 ,研究了用于超高亮度发光二极管的AlGaAs/AlAs布拉格反射器光学性质 ,并分析了材料吸收、组分漂移和层厚偏差对布拉格反射器光学性质的影响 .; 关键词 UHB-LED AlGaAs/AlAs DBR 光学性质光学传输矩阵布拉格反射器超高亮度发光二极管反射率折射率缘砷衬底; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名LP-MOCVD生长InGaAlP外延层In组分控制的动力学分析被引量：1: 1; 作者文尚胜范广涵廖常俊刘颂豪; 机构华南理工大学应用物理系华南师范大学mocvd实验室; 出处《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2001年第2期175-178,共4页; 文摘本文分析了低压转盘ＭＯＣＶＤ生长室中气流的流动特征，首次提出了在高温（７００℃左右）下生长ＩｎＧａＡｌＰ外延层时，抑制Ｉｎ组分脱吸附的“动压力模型”．解释了托盘转速和生长压力等生长参数对Ｉｎ组分控制的影响．; 关键词低压有机金属化学气相外延 INGAALP 铟组分控制外延层生长动力学分析; Keywords LP-MOCVD InGaAlP the dynamical pressure In composition; 分类号 TN304.054 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名LP-MOCVD生长InGaAlP外延层中In并入效率的研究: 2; 作者文尚胜范广涵廖常俊刘颂豪; 机构华南理工大学应用物理系华南师范大学mocvd实验室; 出处《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第8期45-48,共4页; 文摘分析了In原子在InGaAlP外延生长表面的扩散、并入及脱附过程 ,给出了In并入外延层的效率表达式 .依据该表达式 ,解释了生长速率、生长温度及生长压力等生长参数对LP_MOCVD生长InGaAlP外延层中In组分的影响 .; 关键词低压金属有机化合物气相外延并入效率 In组分 LP-MOCVD INGAALP; Keywords LP_MOCVD incorporation efficiency In composition; 分类号 TN304.26 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名MOCVD AIGaInP LED外延片源气开关程序的研究: 3; 作者文尚胜范广涵廖常俊刘颂豪; 机构华南理工大学应用物理系华南师范大学mocvd实验室; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第6期51-54,共4页; 文摘详细分析了ＭＯＣＶＤＡＩＧａＩｎＰＬＥＤ外延片中Ｖ族源的空流保护作用、Ⅲ族源的存储效应以及Ｍｇ掺杂的延迟和记忆效应。设计出了合理实用的源气开关程序，它有利于生长无定带隙夹层、突变异质结界面的ＡＩＧａＩｎＰＬＥＤ外延片。; 关键词有机金属化合物汽相淀积开关程序发光二极管外延片 AIGalnPLED; Keywords MOCVD switching sequence wide bandgap sandwich delay effect memory effect abrupt hetero-junction; 分类号 TN312.8 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名调制掺杂同型结对HB-LED工作电压的影响: 4; 作者文尚胜范广涵廖常俊刘颂豪; 机构华南理工大学应用物理系华南师范大学mocvd实验室; 出处《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2001年第3期278-280,共3页; 文摘根据电化学Ｃ－Ｖ测量ＡｌＧａＩｎＰ外延片获得的载流子浓度深度分布数据，以及其ＬＥＤ外延片封装后的工作电压，计算了其中Ｂ＋－Ｎ与Ｐ＋－Ｐ两种同型结的接触电势差，指出调制掺杂同型结的掺杂浓度分布是影响ＬＥＤ工作电压的另一大因素，并提出了进一步降低ＬＥＤ工作电压的有效措施．; 关键词调制掺杂同型结接触电势差高亮度发光二极管工作电压; Keywords modulated doping, homo-junction contact-voltage difference HB-LED; 分类号 TN312.8 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名用于UHB-LED的AlGaAs/AlAs DBR光学性质的研究被引量：1: 5; 作者曹明德范广涵廖常俊刘鲁; 机构华南师范大学mocvd实验室; 出处《华南师范大学学报（自然科学版）》 CAS 2002年第1期90-94,共5页; 基金国家 2 0 0 0年科技攻关计划地方重大攻关项目 (0 0 - 0 6 8) 广州市科委"超高亮度LED半工业化试验"攻关项目(1999-Z - 0 35 - 1); 文摘从光学传输矩阵出发 ,研究了用于超高亮度发光二极管的AlGaAs/AlAs布拉格反射器光学性质 ,并分析了材料吸收、组分漂移和层厚偏差对布拉格反射器光学性质的影响 .; 关键词 UHB-LED AlGaAs/AlAs DBR 光学性质光学传输矩阵布拉格反射器超高亮度发光二极管反射率折射率缘砷衬底; Keywords optical transmission matrices DBR ultra-high brightness LED; 分类号 TN312.8 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	LP-MOCVD生长InGaAlP外延层In组分控制的动力学分析	文尚胜范广涵廖常俊刘颂豪	《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心	2001	1	在线阅读下载PDF 职称材料
2	LP-MOCVD生长InGaAlP外延层中In并入效率的研究	文尚胜范广涵廖常俊刘颂豪	《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心	2001	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	MOCVD AIGaInP LED外延片源气开关程序的研究	文尚胜范广涵廖常俊刘颂豪	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2001	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	调制掺杂同型结对HB-LED工作电压的影响	文尚胜范广涵廖常俊刘颂豪	《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心	2001	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	用于UHB-LED的AlGaAs/AlAs DBR光学性质的研究	曹明德范广涵廖常俊刘鲁	《华南师范大学学报（自然科学版）》 CAS	2002	1	在线阅读下载PDF 职称材料