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高亮度发光二极管中的电注入和光输出过程的理论分析
被引量：
4
1
作者
邓云龙
廖常俊
+2 位作者
刘颂豪
范广涵
文尚胜
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第3期255-260,共6页
通过对典型结构的高亮度发光二极管 (HB LED)的注入电流扩展以及器件的光输出的理论分析 ,计算了LED的电流密度分布和光输出效率与顶层厚度的关系 ,结果表明顶层厚度对器件光电特性的影响很大 ,较厚的顶层可以使器件的注入电流容易扩展...
通过对典型结构的高亮度发光二极管 (HB LED)的注入电流扩展以及器件的光输出的理论分析 ,计算了LED的电流密度分布和光输出效率与顶层厚度的关系 ,结果表明顶层厚度对器件光电特性的影响很大 ,较厚的顶层可以使器件的注入电流容易扩展、光容易耦合输出。优化设计后得到顶层厚度应该在 4 9～ 98μm之间。最后给出器件外量子效率与顶层厚度的关系曲线 ,并预言以GaAs为吸收衬底的LED外量子效率最大不超过 12 1%。
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关键词
电注入
光输出
理论分析
高亮度发光二极管
内量子效率
外量子效率
电流密度分布
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职称材料
垂直腔面发射激光器的原理与设计
被引量：
1
2
作者
邓云龙
范广涵
+6 位作者
廖常俊
刘颂豪
文尚胜
刘鹏
王浩
曹明德
刘鲁
《华南师范大学学报（自然科学版）》
CAS
2001年第3期33-39,共7页
阐述了垂直腔面发射激光器(VCSEL)的工作原理及器件的设计方案.并设计出激射波长为 980 nm,InGaAs/GaAs多量子阱作为发光材料,氧化物限制电流,衬底面出光的基横模低阈值的器件 结构.
关键词
半导体激光器
面发射激光器
INGAAS
氧化物
垂直腔面发射激光器
工作原理
设计
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职称材料
题名
高亮度发光二极管中的电注入和光输出过程的理论分析
被引量：
4
1
作者
邓云龙
廖常俊
刘颂豪
范广涵
文尚胜
机构
华南师范大学量子电子学研究所mocvd室
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第3期255-260,共6页
基金
广州市科技重点攻关计划资助项目 (1999 Z 0 3 5 0 1)
文摘
通过对典型结构的高亮度发光二极管 (HB LED)的注入电流扩展以及器件的光输出的理论分析 ,计算了LED的电流密度分布和光输出效率与顶层厚度的关系 ,结果表明顶层厚度对器件光电特性的影响很大 ,较厚的顶层可以使器件的注入电流容易扩展、光容易耦合输出。优化设计后得到顶层厚度应该在 4 9～ 98μm之间。最后给出器件外量子效率与顶层厚度的关系曲线 ,并预言以GaAs为吸收衬底的LED外量子效率最大不超过 12 1%。
关键词
电注入
光输出
理论分析
高亮度发光二极管
内量子效率
外量子效率
电流密度分布
Keywords
HB LED
internal quantum efficiency
external quantum efficiency
current density distribution
分类号
TN312.8 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
垂直腔面发射激光器的原理与设计
被引量：
1
2
作者
邓云龙
范广涵
廖常俊
刘颂豪
文尚胜
刘鹏
王浩
曹明德
刘鲁
机构
华南师范大学量子电子学研究所mocvd室
出处
《华南师范大学学报（自然科学版）》
CAS
2001年第3期33-39,共7页
基金
2000年国家科技攻关计划(00-068)
文摘
阐述了垂直腔面发射激光器(VCSEL)的工作原理及器件的设计方案.并设计出激射波长为 980 nm,InGaAs/GaAs多量子阱作为发光材料,氧化物限制电流,衬底面出光的基横模低阈值的器件 结构.
关键词
半导体激光器
面发射激光器
INGAAS
氧化物
垂直腔面发射激光器
工作原理
设计
Keywords
semiconductor lasers
surface emitting lasers
InGaAs
Oxide
DBR
分类号
TN248.4 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
高亮度发光二极管中的电注入和光输出过程的理论分析
邓云龙
廖常俊
刘颂豪
范广涵
文尚胜
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
4
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职称材料
2
垂直腔面发射激光器的原理与设计
邓云龙
范广涵
廖常俊
刘颂豪
文尚胜
刘鹏
王浩
曹明德
刘鲁
《华南师范大学学报（自然科学版）》
CAS
2001
1
在线阅读
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职称材料
已选择
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引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
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