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衬底温度对氮化锌薄膜特性的影响
被引量：
2
1
作者
邵士运
陈俊芳
+2 位作者
赵益冉
冯军勤
高鹏
《华南师范大学学报（自然科学版）》
CAS
北大核心
2012年第4期66-69,共4页
采用直流磁控溅射的方法,在不同温度的玻璃衬底上生长Zn3N2薄膜.研究了衬底温度对样品的微结构、表面形貌以及光学性质的影响.结果表明,随着衬底温度的升高,生长的Zn3N2薄膜择优取向增多;晶粒尺寸逐渐变大;Zn3N2薄膜间接光学带隙由1.86...
采用直流磁控溅射的方法,在不同温度的玻璃衬底上生长Zn3N2薄膜.研究了衬底温度对样品的微结构、表面形貌以及光学性质的影响.结果表明,随着衬底温度的升高,生长的Zn3N2薄膜择优取向增多;晶粒尺寸逐渐变大;Zn3N2薄膜间接光学带隙由1.86 eV逐渐增大到2.26 eV.
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关键词
氮化锌薄膜
直流磁控溅射
表面形貌
光学带隙
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职称材料
等离子体辅助有机金属(CH_3)_3Ga化学气相沉积GaN薄膜
2
作者
郭超峰
陈俊芳
+4 位作者
符斯列
薛永奇
王燕
邵士运
赵益冉
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第6期86-88,94,共4页
采用ECR等离子体辅助技术,融合化学气相沉积法,在450℃的相对低温条件下于Si(100)衬底上生长出GaN薄膜。对样品进行了XRD、FT-IR和AFM表征,并在制备过程中采集到反应室中N2-(CH3)3Ga等离子体的发射光谱。结果表明,所制备的多晶体GaN薄...
采用ECR等离子体辅助技术,融合化学气相沉积法,在450℃的相对低温条件下于Si(100)衬底上生长出GaN薄膜。对样品进行了XRD、FT-IR和AFM表征,并在制备过程中采集到反应室中N2-(CH3)3Ga等离子体的发射光谱。结果表明,所制备的多晶体GaN薄膜是由N2-(CH3)3Ga等离子体中的活性成分通过复杂的反应生成的,其生长过程符合岛状生长机制。
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关键词
等离子体
化学气相沉积
GAN
反应
生长机制
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职称材料
氮分压与衬底温度对光透明材料氮化锌的影响
3
作者
刘振兴
陈俊芳
+1 位作者
陈兴来
孙辰
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第4期7-10,共4页
采用射频磁控溅射方法,在Ar-N2混合气中Si衬底上生长Zn3N2薄膜.研究了氮分压和衬底温度对样品的光透明性、微结构、表面形貌以及光学性质的影响,同时研究了样品在空气氛围下保持20天后的性能,并与新镀薄膜进行比较.结果表明,Zn3N2薄膜...
采用射频磁控溅射方法,在Ar-N2混合气中Si衬底上生长Zn3N2薄膜.研究了氮分压和衬底温度对样品的光透明性、微结构、表面形貌以及光学性质的影响,同时研究了样品在空气氛围下保持20天后的性能,并与新镀薄膜进行比较.结果表明,Zn3N2薄膜直接光学带隙可由氮分压调节的范围为1.18～1.50 eV,氮分压比例增大,薄膜的光透明性减弱,并且对暴露在空气中20天以后的薄膜进行测试发现,薄膜的光透明性明显增强,随着衬底温度的升高,生长的薄膜择优取向增多,晶粒尺寸逐渐变大.
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关键词
磁控溅射等离子体
光学禁带宽度
氮化锌
光学特性
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职称材料
题名
衬底温度对氮化锌薄膜特性的影响
被引量：
2
1
作者
邵士运
陈俊芳
赵益冉
冯军勤
高鹏
机构
华南师范大学物理与电信工程学院量子信息技术重点实验室
华南师范大学
实验
中心
出处
《华南师范大学学报（自然科学版）》
CAS
北大核心
2012年第4期66-69,共4页
基金
国家自然科学基金项目(61072028)
广东省自然科学基金项目(10151063101000048)
文摘
采用直流磁控溅射的方法,在不同温度的玻璃衬底上生长Zn3N2薄膜.研究了衬底温度对样品的微结构、表面形貌以及光学性质的影响.结果表明,随着衬底温度的升高,生长的Zn3N2薄膜择优取向增多;晶粒尺寸逐渐变大;Zn3N2薄膜间接光学带隙由1.86 eV逐渐增大到2.26 eV.
关键词
氮化锌薄膜
直流磁控溅射
表面形貌
光学带隙
Keywords
zinc nitride films
DC magnetron sputtering
surface morphology
optical band gap
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
等离子体辅助有机金属(CH_3)_3Ga化学气相沉积GaN薄膜
2
作者
郭超峰
陈俊芳
符斯列
薛永奇
王燕
邵士运
赵益冉
机构
华南师范大学物理与电信工程学院量子信息技术重点实验室
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第6期86-88,94,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(10575039)
广东省重点攻关资助项目(ZKM01401G)
文摘
采用ECR等离子体辅助技术,融合化学气相沉积法,在450℃的相对低温条件下于Si(100)衬底上生长出GaN薄膜。对样品进行了XRD、FT-IR和AFM表征,并在制备过程中采集到反应室中N2-(CH3)3Ga等离子体的发射光谱。结果表明,所制备的多晶体GaN薄膜是由N2-(CH3)3Ga等离子体中的活性成分通过复杂的反应生成的,其生长过程符合岛状生长机制。
关键词
等离子体
化学气相沉积
GAN
反应
生长机制
Keywords
plasma, chemical vapor deposition, GaN, reaction, growth mechanism
分类号
O484.1 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
氮分压与衬底温度对光透明材料氮化锌的影响
3
作者
刘振兴
陈俊芳
陈兴来
孙辰
机构
华南师范大学物理与电信工程学院量子信息技术重点实验室
华南师范大学
实验
中心
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第4期7-10,共4页
基金
国家自然科学基金(61072028)
广东省自然科学基金(10151063101000048)
文摘
采用射频磁控溅射方法,在Ar-N2混合气中Si衬底上生长Zn3N2薄膜.研究了氮分压和衬底温度对样品的光透明性、微结构、表面形貌以及光学性质的影响,同时研究了样品在空气氛围下保持20天后的性能,并与新镀薄膜进行比较.结果表明,Zn3N2薄膜直接光学带隙可由氮分压调节的范围为1.18～1.50 eV,氮分压比例增大,薄膜的光透明性减弱,并且对暴露在空气中20天以后的薄膜进行测试发现,薄膜的光透明性明显增强,随着衬底温度的升高,生长的薄膜择优取向增多,晶粒尺寸逐渐变大.
关键词
磁控溅射等离子体
光学禁带宽度
氮化锌
光学特性
Keywords
magnetron sputtering plasma, optical band gap, zinc nitride, optical properties
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
衬底温度对氮化锌薄膜特性的影响
邵士运
陈俊芳
赵益冉
冯军勤
高鹏
《华南师范大学学报（自然科学版）》
CAS
北大核心
2012
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
等离子体辅助有机金属(CH_3)_3Ga化学气相沉积GaN薄膜
郭超峰
陈俊芳
符斯列
薛永奇
王燕
邵士运
赵益冉
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
氮分压与衬底温度对光透明材料氮化锌的影响
刘振兴
陈俊芳
陈兴来
孙辰
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014
0
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职称材料
已选择
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