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渐变异质结在HB-LED器件中的应用以及实现技术: 1; 作者刘鲁范广涵廖常俊《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第6期689-698,共10页; 本文首先讨论通过渐变方式使异质结处的尖峰消失或减小,从而改善高亮度发光二极管(HB-LED)的器件性能。讨论在实际中用双层突变拟合缓变异质结遇到的问题.; 关键词渐变异质结 HB-LED器件高亮度发光二极管双层突变拟合镓铝铟磷; 在线阅读下载PDF 职称材料

P型GaMnAs/AlGaAs量子阱红外探测器研究: 2; 作者毕艳军郭志友于敏丽《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2008年第8期784-785,795,共3页; 介绍了P型量子阱中空穴子带间跃迁原理,提出了一种基于铁磁性半导体的P型GaMnAs/AlGaAs量子阱红外探测器的设计方案,分析了器件的性能,对于新型量子阱红外探测器的研制提供一种可能的参考。; 关键词自旋电子器件子带间跃迁 GaMnAs/AlGaAs量子阱红外探测器; 在线阅读下载PDF 职称材料

Co和Mn共掺杂ZnO铁磁性的第一性原理被引量：6: 3; 作者毕艳军郭志友 +1 位作者林竹董玉成《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期1031-1035,共5页; 基于密度泛函理论(DFT)的总体能量平面波超软赝势方法,结合广义梯度近似(GGA),对Co单独掺杂ZnO和(Co,Mn)共掺杂ZnO的32原子超原胞体系进行了几何结构优化,计算了纤锌矿结构ZnO、Co-ZnO及(Co,Mn)共掺杂ZnO的能带结构、电子态密度,并对此... 展开更多; 关键词氧化锌第一性原理铁磁性; 在线阅读下载PDF 职称材料

金属有机化学气相沉积法在欧泊空隙中生长磷化铟的影响因素: 4; 作者谭春华范广涵黄旭光《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第12期2763-2767,共5页; 制备磷化铟(InP)反欧泊三维光子晶体的关键是提高InP在欧泊空隙中的填充率。使用低压金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统在人工欧泊空隙中生长了InP晶体,分析了影响InP在欧泊空隙中填充的因素及确定了InP的最佳生长条件。实验和理论分析... 展开更多; 关键词光子晶体人工欧泊光子带隙金属有机化学气相沉积磷化铟; 在线阅读下载PDF 职称材料

新型硅激光器系统的优化设计: 5; 作者尉然郭志友 +1 位作者张建中刘松麟《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2007年第9期832-834,共3页; 通过在硅波导上添加反向偏压的PIN结构,建立了完整的全硅激光器系统。该系统包括半导体泵浦光源和硅波导放大器。建立的硅激光器增益模型,与已知的实验结果达到了很好的一致,并给出了泵浦光源输出波形和硅激光器的输出波形。该系统可以... 展开更多; 关键词全硅激光器泵浦光源波长可调 PIN硅波导双光子吸收; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于硅波导的喇曼光放大器: 6; 作者张建中郭志友尉然《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期1007-1010,共4页; 在硅波导上添加反向偏压的PIN结构,当波导产生受激喇曼散射时,可以将波导中双光子吸收(TPA)产生的光生自由载流子扫出波导,降低了波导的非线性损失,极大地提高了硅波导中泵浦光对信号光的喇曼增益。为了应用已经非常成熟的硅工艺,并且... 展开更多; 关键词喇曼放大器受激喇曼散射 PIN硅波导双光子吸收(TPA); 在线阅读下载PDF 职称材料

硅波导受激喇曼散射放大信号光的数值模拟: 7; 作者张建中郭志友尉然《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第9期1606-1608,共3页; 提出了用连续泵浦光在硅波导中的受激喇曼散射对信号光进行放大的方法.建立了信号光和泵浦光在硅波导中传输的耦合方程,得到了计算信号光增益的理论模型.利用数值模拟结果,对泵浦功率沿波导的分布,信号光在不同波导长度以及输入功率情... 展开更多; 关键词受激喇曼散射双光子吸收(TPA) PIN硅波导; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名渐变异质结在HB-LED器件中的应用以及实现技术: 1; 作者刘鲁范广涵廖常俊; 机构广东轻工职业技术学院机电系华南师范大学信息光电子科技学院光电子材料与技术研究所华南师范大学信息光电子科技学院量子电子研究所; 出处《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第6期689-698,共10页; 基金广州市科技重点计划资金(1999-z-035-01); 文摘本文首先讨论通过渐变方式使异质结处的尖峰消失或减小,从而改善高亮度发光二极管(HB-LED)的器件性能。讨论在实际中用双层突变拟合缓变异质结遇到的问题.; 关键词渐变异质结 HB-LED器件高亮度发光二极管双层突变拟合镓铝铟磷; Keywords AlGaInP heterojunction graded LED; 分类号 TN312.8 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名P型GaMnAs/AlGaAs量子阱红外探测器研究: 2; 作者毕艳军郭志友于敏丽; 机构华南师范大学信息光电子科技学院光电子材料与技术研究所河北省邢台职业技术学院电气工程系; 出处《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2008年第8期784-785,795,共3页; 基金广东省科技计划项目(No.0711020500090) 广州市科技攻关重大项目(No.2005Z1-D0071)课题资助; 文摘介绍了P型量子阱中空穴子带间跃迁原理,提出了一种基于铁磁性半导体的P型GaMnAs/AlGaAs量子阱红外探测器的设计方案,分析了器件的性能,对于新型量子阱红外探测器的研制提供一种可能的参考。; 关键词自旋电子器件子带间跃迁 GaMnAs/AlGaAs量子阱红外探测器; Keywords spin electric devices intersubband transitions GaMnAs/AlGaAs quantum well infrared photoconductor; 分类号 TN215 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名Co和Mn共掺杂ZnO铁磁性的第一性原理被引量：6: 3; 作者毕艳军郭志友林竹董玉成; 机构华南师范大学信息光电子科技学院光电子材料与技术研究所; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期1031-1035,共5页; 基金国家自然科学基金(10674051 60877069) +2 种基金广东省自然科学基金(06025082) 广东省科技计划(2007A010500011) 广州市科技攻关重大项目基金(2005Z1-D0071)资助项目; 文摘基于密度泛函理论(DFT)的总体能量平面波超软赝势方法,结合广义梯度近似(GGA),对Co单独掺杂ZnO和(Co,Mn)共掺杂ZnO的32原子超原胞体系进行了几何结构优化,计算了纤锌矿结构ZnO、Co-ZnO及(Co,Mn)共掺杂ZnO的能带结构、电子态密度,并对此进行了详细的分析。计算结果表明,ZnO中单独掺杂Co元素显示出铁磁性行为,Mn的引入减弱了Co-ZnO的铁磁性。; 关键词氧化锌第一性原理铁磁性; Keywords ZnO first-principles ferromagnetism; 分类号 O482.5 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名金属有机化学气相沉积法在欧泊空隙中生长磷化铟的影响因素: 4; 作者谭春华范广涵黄旭光; 机构光子信息技术广东省高校重点实验室华南师范大学信息光电子科技学院光电子材料与技术研究所; 出处《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第12期2763-2767,共5页; 基金广东省自然科学基金重点项目(05100534)资助; 文摘制备磷化铟(InP)反欧泊三维光子晶体的关键是提高InP在欧泊空隙中的填充率。使用低压金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统在人工欧泊空隙中生长了InP晶体,分析了影响InP在欧泊空隙中填充的因素及确定了InP的最佳生长条件。实验和理论分析的结果较为符合。磷化铟在人工欧泊空隙中的填充率越高,二氧化硅球和空隙间的折射率差越大,人工欧泊光子晶体光学性能的变化就越显著;周期生长、低压、使用和InP失配小的衬底以及异质同构现象有助于InP在欧泊空隙中的填充。在优化的生长条件下制备了填充率较高的SiO2-InP光子晶体。研究结果为制备InP反欧泊结构积累了有益的经验。; 关键词光子晶体人工欧泊光子带隙金属有机化学气相沉积磷化铟; Keywords Photonic crystal Artificial opal crystal Photonic band gap MOCVD InP; 分类号 O743.3 [理学—晶体学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名新型硅激光器系统的优化设计: 5; 作者尉然郭志友张建中刘松麟; 机构华南师范大学信息光电子学院光电子材料与技术研究所; 出处《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2007年第9期832-834,共3页; 基金广东省科技攻关项目(No.2KM01102G); 文摘通过在硅波导上添加反向偏压的PIN结构,建立了完整的全硅激光器系统。该系统包括半导体泵浦光源和硅波导放大器。建立的硅激光器增益模型,与已知的实验结果达到了很好的一致,并给出了泵浦光源输出波形和硅激光器的输出波形。该系统可以集成在很小的CMOS器件上,实现光电子器件的集成化,有着广泛的应用前景。; 关键词全硅激光器泵浦光源波长可调 PIN硅波导双光子吸收; Keywords all-silicon laser pumping tunable wavelength PIN silicon waveguide two photons absorption; 分类号 TN248.1 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于硅波导的喇曼光放大器: 6; 作者张建中郭志友尉然; 机构华南师范大学信息光电子科技学院光电子材料与技术研究所; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期1007-1010,共4页; 基金科技部2000年~2005年重点攻关项目(2000-D068) 广州市科技攻关重大项目基金(2004UBD0021)资助项目; 文摘在硅波导上添加反向偏压的PIN结构,当波导产生受激喇曼散射时,可以将波导中双光子吸收(TPA)产生的光生自由载流子扫出波导,降低了波导的非线性损失,极大地提高了硅波导中泵浦光对信号光的喇曼增益。为了应用已经非常成熟的硅工艺,并且应用硅波导使器件小型化,根据法布里-帕罗(F-P)腔和行波放大器理论,在硅波导两端的解理面蒸镀增透膜,应用这种波导的喇曼效应设计了一种光放大器,即基于硅波导的喇曼光放大器。建立了计算放大器增益的方程,给出了不同波导长度和输入功率情况下的放大器增益,得出适当增加波导长度和泵浦光功率可以得到较高喇曼增益的结论。基于硅的光放大器有较高的饱和功率且没有泵浦源的限制,通过调整泵浦激光的波长可以放大不同波长的信号光。; 关键词喇曼放大器受激喇曼散射 PIN硅波导双光子吸收(TPA); Keywords Raman laser amplifier stimulated Raman scattering PIN silicon waveguide two photon absorption; 分类号 TN253 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名硅波导受激喇曼散射放大信号光的数值模拟: 7; 作者张建中郭志友尉然; 机构华南师范大学信息光电子科技学院光电子材料与技术研究所; 出处《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第9期1606-1608,共3页; 基金科技部重点攻关项目(2000-D068) 广州市科技攻关重大项目(2004 UBD0021)资助; 文摘提出了用连续泵浦光在硅波导中的受激喇曼散射对信号光进行放大的方法.建立了信号光和泵浦光在硅波导中传输的耦合方程,得到了计算信号光增益的理论模型.利用数值模拟结果,对泵浦功率沿波导的分布,信号光在不同波导长度以及输入功率情况下的增益等进行了分析和讨论.结果表明,适当增加波导长度和泵浦光功率可以得到较高喇曼增益的结论.; 关键词受激喇曼散射双光子吸收(TPA) PIN硅波导; Keywords Stimulated Raman scattering Two photon absorption PIN silicon waveguidc; 分类号 TN253 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	渐变异质结在HB-LED器件中的应用以及实现技术	刘鲁范广涵廖常俊	《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心	2003	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	P型GaMnAs/AlGaAs量子阱红外探测器研究	毕艳军郭志友于敏丽	《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心	2008	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	Co和Mn共掺杂ZnO铁磁性的第一性原理	毕艳军郭志友林竹董玉成	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2008	6	在线阅读下载PDF 职称材料
4	金属有机化学气相沉积法在欧泊空隙中生长磷化铟的影响因素	谭春华范广涵黄旭光	《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2008	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	新型硅激光器系统的优化设计	尉然郭志友张建中刘松麟	《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心	2007	0	在线阅读下载PDF 职称材料
6	基于硅波导的喇曼光放大器	张建中郭志友尉然	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2006	0	在线阅读下载PDF 职称材料
7	硅波导受激喇曼散射放大信号光的数值模拟	张建中郭志友尉然	《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2007	0	在线阅读下载PDF 职称材料