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光学双稳系统的记忆,涨落与随机力
1
作者
欧发
何明高
《量子电子学报》
CAS
CSCD
1999年第1期16-24,共9页
本文的研究结果表明，作为记忆元件的双稳系统应在远离平衡统计分布的准平衡分布状态下运行。Ｂｏｎｉｆａｃｉｏ与Ｌｕｇｉａｔｏ等提出关着重讨论过的所谓‘反常’涨落，其实是平衡分布的双稳系统所有固有，这也是在平衡分布下它完全...
本文的研究结果表明，作为记忆元件的双稳系统应在远离平衡统计分布的准平衡分布状态下运行。Ｂｏｎｉｆａｃｉｏ与Ｌｕｇｉａｔｏ等提出关着重讨论过的所谓‘反常’涨落，其实是平衡分布的双稳系统所有固有，这也是在平衡分布下它完全失去记忆功能的一种反映。在双稳系统中，随机力既驱使涨落增长，又通过非线性项对涨落起镇定作用。
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关键词
光学双稳性
涨落
随机力
统计分布
记忆元件
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职称材料
PECVD法低温形成纳米级薄介质膜击穿特性的实验研究
2
作者
陈蒲生
刘剑
+1 位作者
张昊
冯文修
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第6期71-75,共5页
对等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)法制成纳米级SiOxNy薄膜组成的MIS结构样品,通过美国HP系列设备测试I-V特性、准静态及高频C-V特性。分析了薄膜I-V特性、击穿机理与各项电学性能;探讨了膜的击穿电场等电学参数以及击穿电场随反应室...
对等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)法制成纳米级SiOxNy薄膜组成的MIS结构样品,通过美国HP系列设备测试I-V特性、准静态及高频C-V特性。分析了薄膜I-V特性、击穿机理与各项电学性能;探讨了膜的击穿电场等电学参数以及击穿电场随反应室气压、混合气体比例、衬底温度的变化关系;给出了击穿等电性优良的PECVD形成SiOxNy薄介质膜的优化工艺条件。
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关键词
PECVD
等离子体增强化学汽相淀积
薄介质膜
击穿机理
电学性能
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职称材料
题名
光学双稳系统的记忆,涨落与随机力
1
作者
欧发
何明高
机构
华南
理在
大学
应用
物理
系
广东工业
大学
数理
系
出处
《量子电子学报》
CAS
CSCD
1999年第1期16-24,共9页
基金
国家自然科学基金
文摘
本文的研究结果表明，作为记忆元件的双稳系统应在远离平衡统计分布的准平衡分布状态下运行。Ｂｏｎｉｆａｃｉｏ与Ｌｕｇｉａｔｏ等提出关着重讨论过的所谓‘反常’涨落，其实是平衡分布的双稳系统所有固有，这也是在平衡分布下它完全失去记忆功能的一种反映。在双稳系统中，随机力既驱使涨落增长，又通过非线性项对涨落起镇定作用。
关键词
光学双稳性
涨落
随机力
统计分布
记忆元件
Keywords
optical bistability
fluctuation
statistical distribution
stochastic force
分类号
O431 [机械工程—光学工程]
TN201 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
PECVD法低温形成纳米级薄介质膜击穿特性的实验研究
2
作者
陈蒲生
刘剑
张昊
冯文修
机构
华南大学应用物理系
广东省邮电科学研究院
中国电子科技集团公司第五研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第6期71-75,共5页
基金
广东省自然科学基金项目(950186)
文摘
对等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)法制成纳米级SiOxNy薄膜组成的MIS结构样品,通过美国HP系列设备测试I-V特性、准静态及高频C-V特性。分析了薄膜I-V特性、击穿机理与各项电学性能;探讨了膜的击穿电场等电学参数以及击穿电场随反应室气压、混合气体比例、衬底温度的变化关系;给出了击穿等电性优良的PECVD形成SiOxNy薄介质膜的优化工艺条件。
关键词
PECVD
等离子体增强化学汽相淀积
薄介质膜
击穿机理
电学性能
Keywords
PECVD
thin dielectric film
I-V characteristic
breakdown mechanism
elec-trical property
分类号
TN304.05 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
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1
光学双稳系统的记忆,涨落与随机力
欧发
何明高
《量子电子学报》
CAS
CSCD
1999
0
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职称材料
2
PECVD法低温形成纳米级薄介质膜击穿特性的实验研究
陈蒲生
刘剑
张昊
冯文修
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2004
0
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职称材料
已选择
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参考文献
引证文献
统计分析
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